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公开(公告)号：CN115793401A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211226584.5
申请日：2018-02-15
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 公开了适合于高谐波产生(HHG)辐射源的气体输送系统，所述高谐波产生辐射源可以用于产生用于检查设备的测量辐射。在这样的辐射源中，气体输送元件在第一方向上输送气体。所述气体输送元件具有光学输入和光学输出，限定了在第二方向上延伸的光学路径。所述第一方向相对于所述第二方向以不垂直且不平行的角度来布置。也公开了一种具有气体射流成形装置的气体输送元件，或一对气体输送元件，其中的一个输送第二气体，使得所述气体射流成形装置或第二气体可操作以修改所述气体的流轮廓使得所述气体的数量密度急剧降低。
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公开(公告)号：CN109716110B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201780056418.6
申请日：2017-08-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·D·范福尔斯特 , 林楠 , S·B·鲁博尔 , S·G·J·马斯杰森 , S·T·范德波斯特
摘要： 公开了一种用于测量衬底上的目标结构的检查设备以及相关联方法。检查设备包括用于产生测量辐射的照射源；用于聚焦测量辐射至所述目标结构上的光学装置；以及补偿光学装置。补偿光学装置可以包括SLM，可操作为空间调制测量辐射的波前以便于补偿所述光学装置中非均匀制造缺陷。在备选实施例中，补偿光学装置可以位于测量辐射的光束中，或在用于在HHG源中产生高阶谐波辐射的泵浦辐射束。其中位于泵浦辐射的光束中，补偿光学装置可以用于校正指向误差，或赋予期望的分布，或者在测量辐射的光束中的变化的照射图案。
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公开(公告)号：CN109073568B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201780026352.6
申请日：2017-04-11
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , S·G·J·马斯杰森 , S·B·鲁博尔 , 林楠
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/956 , H01L21/66 , G03F7/20
摘要： 例如用x射线或EUV波段中的辐射来照射感兴趣结构(T)，并且通过检测器(19、274、908、1012)检测散射的辐射。处理器(PU)例如通过仿真(S16)辐射与结构的交互并且比较(S17)仿真交互与检测辐射来计算诸如线宽(CD)或覆盖(OV)的特性。该方法被修改(S14a、S15a、S19a)来考虑由检查辐射引起的结构中的改变。这些改变例如可以是材料的收缩或者光学特性的改变。可以在当前观察或先前观察中由检测辐射引起改变。
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公开(公告)号：CN109716110A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056418.6
申请日：2017-08-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·D·范福尔斯特 , 林楠 , S·B·鲁博尔 , S·G·J·马斯杰森 , S·T·范德波斯特
摘要： 公开了一种用于测量衬底上的目标结构的检查设备以及相关联方法。检查设备包括用于产生测量辐射的照射源；用于聚焦测量辐射至所述目标结构上的光学装置；以及补偿光学装置。补偿光学装置可以包括SLM，可操作为空间调制测量辐射的波前以便于补偿所述光学装置中非均匀制造缺陷。在备选实施例中，补偿光学装置可以位于测量辐射的光束中，或在用于在HHG源中产生高阶谐波辐射的泵浦辐射束。其中位于泵浦辐射的光束中，补偿光学装置可以用于校正指向误差，或赋予期望的分布，或者在测量辐射的光束中的变化的照射图案。
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公开(公告)号：CN109073568A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026352.6
申请日：2017-04-11
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·A·J·廷尼曼斯 , S·G·J·马斯杰森 , S·B·鲁博尔 , 林楠
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/956 , H01L21/66 , G03F7/20
摘要： 例如用x射线或EUV波段中的辐射来照射感兴趣结构(T)，并且通过检测器(19、274、908、1012)检测散射的辐射。处理器(PU)例如通过仿真(S16)辐射与结构的交互并且比较(S17)仿真交互与检测辐射来计算诸如线宽(CD)或覆盖(OV)的特性。该方法被修改(S14a、S15a、S19a)来考虑由检查辐射引起的结构中的改变。这些改变例如可以是材料的收缩或者光学特性的改变。可以在当前观察或先前观察中由检测辐射引起改变。
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公开(公告)号：CN108700819A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082524.7
申请日：2016-12-07
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备具有检查设备，该检查设备具有利用波长为2‑40nm的照射辐射的照射系统。该照射系统包括光学元件，该光学元件将照射辐射分成第一和第二照射辐射，并将时间延迟引入至第一或第二照射辐射。检测器检测已经由目标结构散射的辐射。检查设备具有处理单元，所述处理单元可操作以控制所述第一散射辐射和所述第二散射辐射之间的时间延迟，以便优化所述组合后的第一散射辐射和第二散射辐射的属性。
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公开(公告)号：CN116670577A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180079427.3
申请日：2021-10-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 彼得·迈克尔·克劳斯 , S·D·C·罗斯卡门阿丁 , 菲律浦·坎皮 , 张庄严 , P·W·斯摩奥伦堡 , 林楠 , 斯特凡·米歇尔·维特 , A·J·登鲍埃夫
IPC分类号： G02F1/35
摘要： 公开了一种量测设备及相关方法，量测设备用于测量通过光刻过程在衬底上形成的目标。量测设备包括：辐射源，可操作以提供第一辐射；经配置的固体高次谐波产生介质，被配置成接收第一辐射，并被第一辐射激励，以从经配置的固体高次谐波产生介质的输出表面产生高次谐波第二辐射；以及检测布置，可操作以检测第二辐射，第二辐射的至少一部分被目标散射。经配置的固体高次谐波产生介质被配置成整形第二辐射的束，和/或分离第一辐射与第二辐射。
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公开(公告)号：CN116490766A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079048.4
申请日：2021-10-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 彼得·迈克尔·克劳斯 , S·D·C·罗斯卡门阿丁 , 菲律浦·坎皮 , 张庄严 , P·W·斯摩奥伦堡 , 林楠 , 斯特凡·米歇尔·维特 , A·J·登鲍埃夫
IPC分类号： G01N21/47
摘要： 披露了用于测量衬底上的衍射结构的量测设备和方法。所述量测设备包括：辐射源，所述辐射源能够操作以提供第一辐射以用于激发所述衍射结构，使得从所述衍射结构和/或衬底产生高阶谐波的第二辐射；以及检测装置，所述检测装置能够操作以检测所述第二辐射，所述第二辐射的至少一部分已经由所述衍射结构衍射。
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公开(公告)号：CN114830026A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080072661.9
申请日：2020-10-07
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 金文杰 , 林楠 , C·L·波特 , P·W·斯莫雷恩伯格
摘要： 公开了一种照射源，其包括具有气体喷嘴的气体递送系统。气体喷嘴包括在气体喷嘴的出口平面中的开口。所述气体递送系统被配置成从所述开口提供气流以用于在相互作用区域处产生所发射的辐射。该照射源被配置成接收具有传播方向的泵浦辐射并且在气流中提供该泵浦辐射。气体喷嘴的几何形状适于成形气流的轮廓，使得气流的气体密度首先增加到最大值，随后沿着传播方向在截止区域急剧下降。
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公开(公告)号：CN114342564A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080062427.8
申请日：2020-09-04
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·J·H·薛乐肯 , D·奥德怀尔 , 林楠 , G·J·H·布鲁塞尔
IPC分类号： H05G2/00
摘要： 一种用于生成高次谐波辐射的高次谐波生成组件和方法。所述组件包括空腔，被配置为接收输入辐射，并且增加所述空腔内的所述输入辐射的所述强度，以形成适合用于高次谐波生成的驱动辐射。所述组件还包括：所述空腔内的相互作用区域，在使用中，所述相互作用区域存在介质，所述介质被配置为当所述驱动辐射被入射到其上时通过高次谐波生成来生成谐波辐射；以及光学组件，被配置为引导所述驱动辐射穿过所述相互作用区域，并且包括输出耦合器，所述输出耦合器包括孔径，通过所述孔径所生成的谐波辐射的至少一部分能够离开所述空腔。所述光学组件还被配置为在所述驱动辐射穿过所述相互作用区域之前将所述驱动辐射整形为会聚的中空束。
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