半导体检测器及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113228223A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201980087099.4

    申请日:2019-12-06

    摘要: 本公开描述了一种用在临界尺寸扫描电子显微镜(CD‑SEM)中且再检测SEM系统的检测器。在一个实施例中,检测器包括具有p‑n结和孔的半导体结构,扫描光束穿过该孔被传送到目标。检测器还包括用于p‑n结的顶部电极(250)(例如,阳极电极或阴极),顶部电极提供用于检测电子或电磁辐射(例如,来自目标的反向散射)的有效区域。顶部电极具有掺杂层(230)和在掺杂层下方的掩埋部分(260),以减小顶部电极的串联电阻而不改变有效区域。在另一实施例中,可以在半导体结构中靠近孔的侧壁处形成隔离结构,以将有效区域与侧壁电隔离。还描述了一种形成顶部电极的掩埋部分的方法。