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    半导体检测器及其制造方法
    2.
    发明公开
    半导体检测器及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113228223A

    公开(公告)日：2021-08-06

    申请号：CN201980087099.4

    申请日：2019-12-06

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： G·洛里托 ,  S·尼蒂亚诺维 ,  梁心清 ,  金井建一

    IPC分类号： H01J37/244 ,  G01T1/28 ,  H01L31/115 ,  H01J37/28

    摘要： 本公开描述了一种用在临界尺寸扫描电子显微镜(CD‑SEM)中且再检测SEM系统的检测器。在一个实施例中，检测器包括具有p‑n结和孔的半导体结构，扫描光束穿过该孔被传送到目标。检测器还包括用于p‑n结的顶部电极(250)(例如，阳极电极或阴极)，顶部电极提供用于检测电子或电磁辐射(例如，来自目标的反向散射)的有效区域。顶部电极具有掺杂层(230)和在掺杂层下方的掩埋部分(260)，以减小顶部电极的串联电阻而不改变有效区域。在另一实施例中，可以在半导体结构中靠近孔的侧壁处形成隔离结构，以将有效区域与侧壁电隔离。还描述了一种形成顶部电极的掩埋部分的方法。

    用于显微镜检查的半导体带电粒子检测器
    3.
    发明公开
    用于显微镜检查的半导体带电粒子检测器 审中-公开

    公开(公告)号：CN116601530A

    公开(公告)日：2023-08-15

    申请号：CN202180078535.9

    申请日：2021-10-26

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： S·尼蒂亚诺维 ,  金井建一 ,  P·拉马钱德拉·拉奥

    IPC分类号： G01T1/24

    摘要： 可以提供一种用于带电粒子装置的检测器，包括感测元件，该感测元件包括二极管；和电路，该电路被配置为用于检测由电子撞击感测元件引起的电子事件，其中电路包括电压监测设备和复位设备，其中复位设备被配置为通过将跨二极管的电压设置为预定值来定期复位二极管，并且其中电压监测设备连接到二极管以在复位事件之间监测跨二极管的电压。

    检测器衬底、检查设备和样品评估方法
    5.
    发明公开
    检测器衬底、检查设备和样品评估方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115769376A

    公开(公告)日：2023-03-07

    申请号：CN202180048186.6

    申请日：2021-07-05

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： M·J-J·维兰德 ,  S·尼蒂亚诺维 ,  R·R·文斯特拉 ,  姜珲

    IPC分类号： H01L27/144

    摘要： 提供了一种检测器衬底(或检测器阵列)，用于带电粒子多束评估工具中以检测来自样品的带电粒子。检测器衬底对用于多束的相应带电粒子束的束路径的孔径阵列进行限定。检测器衬底包括：传感器单位阵列。传感器单位阵列的传感器单位与孔径阵列中的对应孔径相邻。传感器单位被配置为从样品捕获带电粒子。检测器阵列包括放大电路，该放大电路与传感器单位阵列中的每个传感器单位相关联，并且接近于孔径阵列中的对应孔径。放大电路包括跨阻放大器和/或模数转换器。