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公开(公告)号：CN114391124A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202080064062.2
申请日：2020-08-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于确定光刻匹配性能的方法，包括从针对用于可用的EUV扫描仪EUV1、EUV3和EUV4的稳定性控制的周期性监控获得第一监控数据E1M、E3M、E4M。对于DUV扫描仪，以类似的方式从用于稳定性控制的周期性监控(DMW、MT、OV、SM)获得第二监控数据D2M。EUV监控数据E1M、E3M、E4M在第一布局中。DUV监控数据D2M在第二布局中。基于第一监控数据和第二监控数据，确定第一光刻设备与第二光刻设备之间的跨平台套刻精度匹配性能。这是通过将第一监控数据和第二监控数据中的至少一个重构造900、1000为通用布局E1S、E3S、E4S、D2S以允许比较802第一监控数据与第二监控数据而实现的。
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公开(公告)号：CN111033387A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052659.8
申请日：2018-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明披露了一种用于校正在图案化衬底的过程中使用的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：获得形成图案后的衬底的被测量的重叠和/或对准误差数据；依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114391124B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080064062.2
申请日：2020-08-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于确定光刻匹配性能的方法，包括从针对用于可用的EUV扫描仪EUV1、EUV3和EUV4的稳定性控制的周期性监控获得第一监控数据E1M、E3M、E4M。对于DUV扫描仪，以类似的方式从用于稳定性控制的周期性监控(DMW、MT、OV、SM)获得第二监控数据D2M。EUV监控数据E1M、E3M、E4M在第一布局中。DUV监控数据D2M在第二布局中。基于第一监控数据和第二监控数据，确定第一光刻设备与第二光刻设备之间的跨平台套刻精度匹配性能。这是通过将第一监控数据和第二监控数据中的至少一个重构造900、1000为通用布局E1S、E3S、E4S、D2S以允许比较802第一监控数据与第二监控数据而实现的。
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公开(公告)号：CN111033387B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201880052659.8
申请日：2018-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明披露了一种用于校正在图案化衬底的过程中使用的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：获得形成图案后的衬底的被测量的重叠和/或对准误差数据；依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。
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公开(公告)号：CN119882355A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411904294.0
申请日：2020-07-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 苏静 , 程亚娜 , 林晨希 , 邹毅 , D·哈诺坦耶 , E·P·施密特-威尔 , K·巴塔查里亚 , C·J·H·兰姆布列支 , H·亚古比萨德
Abstract: 本文描述一种用于确定用来预测与被图案化的当前衬底相关联的套刻精度数据的模型的方法。该方法涉及：获得（i）与当前衬底的一个或多个先前层和/或当前层相关联的第一数据的集合、（ii）包括与一个或多个先前衬底相关联的套刻精度量测数据的第二数据的集合、以及（iii）与当前衬底的当前层相关联的未被校正的测得的套刻精度数据；以及基于（i）第一数据的集合、（ii）第二数据的集合及（iii）未被校正的测得的套刻精度数据，确定与模型相关联的一组模型参数的值，使得模型预测用于当前衬底的套刻精度数据，其中，将所述值确定为使得成本函数最小化，成本函数包括预测的数据与未被校正的测得的套刻精度数据之间的差。
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公开(公告)号：CN114222949B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202080055725.4
申请日：2020-07-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 苏静 , 程亚娜 , 林晨希 , 邹毅 , D·哈诺坦耶 , E·P·施密特-威尔 , K·巴塔查里亚 , C·J·H·兰姆布列支 , H·亚古比萨德
Abstract: 本文描述一种用于确定用来预测与被图案化的当前衬底相关联的套刻精度数据的模型的方法。该方法涉及：获得(i)与当前衬底的一个或多个先前层和/或当前层相关联的第一数据的集合、(ii)包括与一个或多个先前衬底相关联的套刻精度量测数据的第二数据的集合、以及(iii)与当前衬底的当前层相关联的未被校正的测得的套刻精度数据；以及基于(i)第一数据的集合、(ii)第二数据的集合及(iii)未被校正的测得的套刻精度数据，确定与模型相关联的一组模型参数的值，使得模型预测用于当前衬底的套刻精度数据，其中，将所述值确定为使得成本函数最小化，成本函数包括预测的数据与未被校正的测得的套刻精度数据之间的差。
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公开(公告)号：CN114222949A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202080055725.4
申请日：2020-07-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 苏静 , 程亚娜 , 林晨希 , 邹毅 , D·哈诺坦耶 , E·P·施密特-威尔 , K·巴塔查里亚 , C·J·H·兰姆布列支 , H·亚古比萨德
Abstract: 本文描述一种用于确定用来预测与被图案化的当前衬底相关联的套刻精度数据的模型的方法。该方法涉及：获得(i)与当前衬底的一个或多个先前层和/或当前层相关联的第一数据的集合、(ii)包括与一个或多个先前衬底相关联的套刻精度量测数据的第二数据的集合、以及(iii)与当前衬底的当前层相关联的未被校正的测得的套刻精度数据；以及基于(i)第一数据的集合、(ii)第二数据的集合及(iii)未被校正的测得的套刻精度数据，确定与模型相关联的一组模型参数的值，使得模型预测用于当前衬底的套刻精度数据，其中，将所述值确定为使得成本函数最小化，成本函数包括预测的数据与未被校正的测得的套刻精度数据之间的差。
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