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公开(公告)号：CN113366389B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980090607.4
申请日：2019-12-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·沃克曼 , D·F·S·德克尔 , B·拉贾塞克兰 , 伊格纳西奥·萨尔瓦多·瓦斯凯罗达特 , S·罗伊
Abstract: 披露了一种确定用于光刻工艺的控制参数的方法，该方法包括：限定用于表示在衬底上各处的工艺参数特征标识的衬底模型，该衬底模型被限定为基函数的组合，该基函数包括适合于表示多个衬底之间和/或多批衬底之间的工艺参数特征标识变化的至少一个基函数；接收在至少一个衬底上各处的工艺参数的测量结果；使用测量结果及基函数计算衬底模型参数；以及基于衬底模型参数及至少一个基函数与多个衬底之间和/或多批衬底之间的工艺参数特征标识变化的相似度确定控制参数。
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公开(公告)号：CN115294068A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210951655.1
申请日：2018-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·里泽斯特拉 , C·J·H·兰姆布列支 , W·T·特尔 , S·罗伊 , C·D·格乌斯塔 , 粘惎非 , 寇伟田 , 陈彰伟 , P·G·J·斯莫恩伯格
Abstract: 本文中描述了一种用于确定对图案化过程的校正的方法。该方法包括：获得图案化过程的多个品质(例如多个参数映射，或者一个或更多个校正)，所述多个品质是从量测数据以及在图案化过程中使用的设备的数据导出的；由硬件计算机系统从所述多个品质中选择代表性品质；以及由硬件计算机系统基于代表性品质确定对图案化过程的校正。
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公开(公告)号：CN109690410B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201780055481.8
申请日：2017-08-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光学系统传送照射辐射并收集在与衬底上的目标结构的相互作用之后的辐射。测量强度轮廓被用来计算结构的性质的测量。光学系统可以包括固体浸没透镜。在校准方法中，控制光学系统以使用第一照射轮廓来获得第一强度轮廓，并使用第二照射轮廓来获得第二强度轮廓。轮廓被用来导出用于减轻重影反射影响的校正。使用例如不同取向的半月形照射轮廓，该方法甚至在SIL将引起全内反射的情况下也可以测量重影反射。光学系统可以包括污染物检测系统，以基于所接收的散射检测辐射来控制移动。光学系统可以包括具有介电涂层的光学组件，以增强渐逝波相互作用。
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公开(公告)号：CN112969967A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073186.4
申请日：2019-10-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于配置半导体制造过程的方法，该方法包括：基于与半导体制造过程中的过程步骤的第一操作相关联的测量以及第一采样方案来获得第一参数的第一值；使用递归神经网络基于第一值来确定第一参数的预测值；以及将第一参数的预测值用于配置半导体制造过程中的过程步骤的后续操作。
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公开(公告)号：CN109690410A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055481.8
申请日：2017-08-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光学系统传送照射辐射并收集在与衬底上的目标结构的相互作用之后的辐射。测量强度轮廓被用来计算结构的性质的测量。光学系统可以包括固体浸没透镜。在校准方法中，控制光学系统以使用第一照射轮廓来获得第一强度轮廓，并使用第二照射轮廓来获得第二强度轮廓。轮廓被用来导出用于减轻重影反射影响的校正。使用例如不同取向的半月形照射轮廓，该方法甚至在SIL将引起全内反射的情况下也可以测量重影反射。光学系统可以包括污染物检测系统，以基于所接收的散射检测辐射来控制移动。光学系统可以包括具有介电涂层的光学组件，以增强渐逝波相互作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117616340A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280046571.1
申请日：2022-06-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/66 , G03F9/00 , G01N21/956
Abstract: 描述了用于确定对至少一个控制参数的校正的方法和相关联的计算机程序和设备，所述至少一个控制参数用于控制半导体制造工艺以便在衬底上制造半导体器件。所述方法包括：获得与所述半导体制造工艺或所述半导体制造工艺的至少一部分相关的量测数据；获得与所述半导体制造工艺或所述半导体制造工艺的至少一部分相关的关联数据，所述关联数据提供用于解释所述量测数据的信息；以及基于所述量测数据和所述关联数据确定所述校正，其中，所述确定使得所确定的校正依赖于应当基于对所述量测数据的所述解释来校正所述量测数据中的趋势和/或事件达到的程度。
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公开(公告)号：CN117590701A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311412728.0
申请日：2018-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G06F17/18 , G06F18/24 , G01N21/956
Abstract: 一种用于生成针对图案化过程的量测采样方案的方法，所述方法包括：获取用于衬底的图案化过程的参数的参数图；由硬件计算机系统分解所述参数图以生成对所述图案化过程的设备和/或所述图案化过程的设备的组合特定的指纹；和基于所述指纹，由所述硬件计算机系统，生成用于在所述图案化过程的设备和/或所述图案化过程的设备的组合处的后续衬底的量测采样方案，其中，所述采样方案被配置为在所述后续衬底上分布采样点，以便提高量测采样密度。
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公开(公告)号：CN116224725A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310199000.8
申请日：2018-02-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G06F18/2135 , G03F9/00
Abstract: 本公开的实施例涉及优化用于产品单元的多阶段处理的装置。一种对性能数据集进行排序的方法包括：(a)确定与第一性能数据集相关联的第一概率密度函数，第一性能数据集是通过对在优化产品单元图案化的处理之前所处理的产品单元的测量而获得的；(b)确定与第二性能数据集相关联的第二概率密度函数，第二性能数据集是通过对在优化产品单元图案化的处理之后所处理的产品单元的测量而获得的；以及(c)基于第一概率密度函数和第二概率密度函数对第一性能数据集和第二性能数据集进行排序。
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公开(公告)号：CN115803685A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180044794.X
申请日：2021-05-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·罗伊
Abstract: 公开了一种用于确定指示被处理的衬底的对准性能的性能指标的方法。所述方法包括：获得包括位于所述衬底上的对准标记的多个被测量的位置值的测量数据；和计算每个被测量的位置值与对应的期望的位置值之间的位置偏差。这些位置偏差被用于确定所述对准标记之间的方向导数，并且所述方向导数被用于确定至少一个方向导数性能指标。
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公开(公告)号：CN110494865A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880021072.0
申请日：2018-02-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种优化用于诸如晶片等产品单元的多阶段处理的装置的方法，该方法包括：(a)接收对象数据(210，230)，对象数据(210，230)表示跨晶片(204，224)测量(206，208)的并且与晶片的不同处理阶段相关联的一个或多个参数；(b)确定跨晶片的对象数据的变化的指印(213，234)，这些指印与晶片的相应的不同处理阶段相关联。指印可以通过针对相应的每个不同阶段使用主成分分析将对象数据分解(212，232)成成分来确定；(c)分析(246)指印在不同阶段的共性以产生共性结果；以及(d)基于共性结果优化(250-258)用于处理(262)产品单元的装置。
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