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公开(公告)号：CN110730930B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201880037959.9
申请日：2018-05-15
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 公开了一种用于确定物体中特征的特性的方法，所述特征被设置在所述物体的表面的下方。利用脉冲泵浦辐射束照射所述物体的所述表面以便在所述物体中产生声波。然后，利用测量辐射束照射物体的表面。接收从所述表面散射的所述测量辐射束的至少一部分，以及根据在测量时间段内从所述表面散射的所述测量辐射束的至少一部分确定所述物体中所述特征的特性。所述脉冲泵浦辐射束的时间强度分布被选择成使得所述测量时间段中信背比大于使用所述脉冲泵浦辐射束的单个脉冲实现的信背比。所述信背比是以下两者的比率：(a)由声波的从所述特征的反射在所述表面处生成的信号与(b)由没有从所述特征反射的声波的反射在所述表面处生成的背景信号。
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公开(公告)号：CN116848469A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202180090953.X
申请日：2021-12-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： F·阿尔佩吉安尼 , H·J·W·贝尔特 , 塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩 , I·D·塞蒂贾 , S·R·胡伊斯曼 , H·P·M·派勒曼斯
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 披露了一种用于从目标测量所关注的参数的方法和相关联的设备。所述方法包括获得与所述目标的测量相关的测量采集数据和能够操作以校正所述测量采集数据中的至少有限尺寸效应的有限尺寸效应校正数据和/或经训练的模型。所述测量采集数据中的至少有限尺寸效应是使用所述有限尺寸效应校正数据和/或经训练的模型而被校正的以获得经校正的测量数据和/或所关注的参数；其中所述校正步骤并不直接地确定所关注的参数，而是从所述经校正的测量数据确定所关注的参数。
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公开(公告)号：CN105765463B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480064504.8
申请日：2014-11-04
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01B11/02 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要： 在散射测量中，在迭代过程中使用包括正则化参数的评价函数来寻找用于测量的目标的散射性质的值。针对每个测量目标并且在迭代过程的每次迭代中获得正则化参数的最优值。可以使用多种方法来寻找正则化参数的值，方法包括偏差原理、卡方分布方法以及包括评价函数的偏差原理和包括评价函数的卡方分布方法的创新性修改。
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公开(公告)号：CN110730930A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880037959.9
申请日：2018-05-15
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 公开了一种用于确定物体中特征的特性的方法，所述特征被设置在所述物体的表面的下方。利用脉冲泵浦辐射束照射所述物体的所述表面以便在所述物体中产生声波。然后，利用测量辐射束照射物体的表面。接收从所述表面散射的所述测量辐射束的至少一部分，以及根据在测量时间段内从所述表面散射的所述测量辐射束的至少一部分确定所述物体中所述特征的特性。所述脉冲泵浦辐射束的时间强度分布被选择成使得所述测量时间段中信背比大于使用所述脉冲泵浦辐射束的单个脉冲实现的信背比。所述信背比是以下两者的比率：(a)由声波的从所述特征的反射在所述表面处生成的信号与(b)由没有从所述特征反射的声波的反射在所述表面处生成的背景信号。
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公开(公告)号：CN117813558A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280056334.3
申请日：2022-08-04
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 披露了一种用于测量衬底上的位于至少一个层下方的目标的方法。所述方法包括：利用包括至少一种泵浦波长的泵浦辐射激发所述至少一个层，以便在所述至少一个层内产生从所述目标反射的声波，由此在所述衬底的表面处产生所述目标的声学复制品；以及利用包括至少一种探测波长的探测辐射照射所述声学复制品，并且捕获从所述声学复制品散射的得到的经散射的探测辐射。所述激发步骤和所述照射步骤中的一个或两个步骤包括：在所述至少一个层的残余形貌上产生从所述目标得到的表面等离子体激元(SPP)。
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公开(公告)号：CN117441134A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280040651.6
申请日：2022-05-09
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： I·D·塞蒂贾 , J·P·德格拉夫 , A·E·C·范德博世
摘要： 一种芯片上对准传感器包括照射系统，所述照射系统被配置成发射辐射束以照射衬底上的目标。所述芯片上对准传感器还包括第一捕获光栅，所述第一捕获光栅被配置成接收由所述目标衍射的第一衍射阶辐射束并且产生第一引导模态的辐射。所述芯片上对准传感器还包括第二捕获光栅，所述第二捕获光栅被配置成接收由所述目标衍射的第二衍射阶辐射束并且产生第二引导模态的辐射。所述芯片上对准传感器还包括干涉装置，所述干涉装置被配置成基于所述第一引导模态的辐射和第二引导模态的辐射、或基于所述第一引导模态的辐射和参考辐射，产生经干涉的引导模态的辐射。
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公开(公告)号：CN114502911A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080067756.1
申请日：2020-09-15
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC分类号： G01B11/00 , G01B11/24 , G01N21/25 , G01N21/45 , G01N21/47 , G02B27/48 , G02F1/295 , G03F7/20 , G03F9/00
摘要： 一种系统包括辐射源和相控阵列。相控阵列包括光学元件、波导和相位调制器。相控阵列产生辐射束。光学元件辐射辐射波。波导将辐射从辐射源引导到光学元件。相位调制器调整辐射波的相位，使得辐射波累积以形成束。束的非相干量基于相位的随机化。
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公开(公告)号：CN105765463A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064504.8
申请日：2014-11-04
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01B11/02 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要： 在散射测量中，在迭代过程中使用包括正则化参数的评价函数来寻找用于测量的目标的散射性质的值。针对每个测量目标并且在迭代过程的每次迭代中获得正则化参数的最优值。可以使用多种方法来寻找正则化参数的值，方法包括偏差原理、卡方分布方法以及包括评价函数的偏差原理和包括评价函数的卡方分布方法的创新性修改。
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