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公开(公告)号：CN119472189A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411894052.8
申请日：2020-07-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 描述了用于预测与图案化过程相关联的衬底几何形状的系统和方法。接收包括图案的几何形状信息和/或过程信息的输入信息；以及使用机器学习预测模型来预测多维输出衬底的几何形状。所述多维输出信息包括图案概率图像。基于所述图案概率图像，可以预测随机边缘放置误差带和/或随机失效率。所述输入信息包括模拟空间图像、模拟抗蚀剂图像、目标衬底尺寸、和/或来自扫描器的与半导体器件制造相关联的数据。例如，不同的空间图像可以对应于与所述图案化过程相关联的抗蚀剂层的不同高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114402262B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202080061323.5
申请日：2020-07-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 描述了用于预测与图案化过程相关联的衬底几何形状的系统和方法。接收包括图案的几何形状信息和/或过程信息的输入信息；以及使用机器学习预测模型来预测多维输出衬底的几何形状。所述多维输出信息包括图案概率图像。基于所述图案概率图像，可以预测随机边缘放置误差带和/或随机失效率。所述输入信息包括模拟空间图像、模拟抗蚀剂图像、目标衬底尺寸、和/或来自扫描器的与半导体器件制造相关联的数据。例如，不同的空间图像可以对应于与所述图案化过程相关联的抗蚀剂层的不同高度。
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公开(公告)号：CN116157744A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180060669.8
申请日：2021-06-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种确定工艺空间内的工艺窗口的方法，该方法包括：针对与跨多个层提供特征相关联的多个工艺条件(600)中的每一工艺条件，获得(610)与将跨所述多个层提供给衬底(625)的特征有关的轮廓数据(615)，以及描述对跨多个层的轮廓数据的约束的故障模式数据(650)。将故障模式数据应用于轮廓数据来为每个工艺条件确定(640)故障计数；并且通过将每个工艺条件与其对应的故障计数相关联来确定(655)工艺窗口。还公开了一种基于由多个致动器施加的致动约束来确定工艺窗口的致动约束子空间的方法。
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公开(公告)号：CN116670584A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180086820.5
申请日：2021-11-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 使用光刻设备在衬底上形成图案的方法，光刻设备被设置有图案形成装置以及具有色差的投射系统，方法包括：向图案形成装置提供包括多个波长分量的辐射束；使用投射系统在衬底上形成图案形成装置的图像以形成所述图案，其中图案的位置由于所述色差而依赖于辐射束的波长；以及控制辐射束的频谱以控制图案的位置。
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公开(公告)号：CN114402262A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080061323.5
申请日：2020-07-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 描述了用于预测与图案化过程相关联的衬底几何形状的系统和方法。接收包括图案的几何形状信息和/或过程信息的输入信息；以及使用机器学习预测模型来预测多维输出衬底的几何形状。所述多维输出信息包括图案概率图像。基于所述图案概率图像，可以预测随机边缘放置误差带和/或随机失效率。所述输入信息包括模拟空间图像、模拟抗蚀剂图像、目标衬底尺寸、和/或来自扫描器的与半导体器件制造相关联的数据。例如，不同的空间图像可以对应于与所述图案化过程相关联的抗蚀剂层的不同高度。
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