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公开(公告)号：CN107924140B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680049910.6
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量，并且在第二目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第二偏差量。获取第一目标结构的角分辨散射光谱和第二目标结构的角分辨散射光谱，并且从使用在第一目标结构和第二目标结构的散射光谱中发现的不对称的测量来得出光刻工艺的参数的测量。
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公开(公告)号：CN111051987A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055970.8
申请日：2018-08-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种包括用于测量器件制造工艺的参数的多个特征的基底以及相关联的方法和装置。该测量是通过用来自光学设备的测量辐射照射特征、并且检测由测量辐射与特征之间的相互作用引起的信号来进行的，其中多个特征包括以第一间距以周期性方式分布的第一特征和以第二间距以周期性方式分布的第二特征，并且其中第一间距和第二间距使得第一特征和第二特征的组合间距是恒定的，而不管多个特征中是否存在间距行走。
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公开(公告)号：CN109690411A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055646.1
申请日：2017-08-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70625 , G03F7/70683
Abstract: 一种评估图案化工艺的方法，该方法包括：获得第一量测目标的第一测量的结果；获得第二量测目标的第二测量的结果，第二量测目标与第一量测目标具有结构差异，结构差异生成在第一与第二量测目标之间的、图案化工艺的工艺参数的灵敏度差异和/或偏移；以及由计算机系统，基于第一和第二测量的结果，确定与图案化工艺有关的值。
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公开(公告)号：CN109073997A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027338.8
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：用辐射光束照射衬底，使得所述衬底上的光束斑点被单位单元的一个或多个物理实例填充，所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性；使用检测器检测由所述单位单元的所述一个或多个物理实例重定向的主要零阶辐射；以及由硬件计算机系统从检测到的辐射的光学特性值确定所述单位单元的套刻的非标称值。
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公开(公告)号：CN109073996A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027336.9
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种配置参数确定过程的方法，该方法包括：获得结构的数学模型，所述数学模型被配置为预测在用辐射光束照射所述结构时的光学响应，所述结构在标称物理配置下具有几何对称性；由硬件计算机系统使用所述数学模型来模拟所述结构的所述物理配置中的一定量的扰动，以确定多个像素中的每个像素中的所述光学响应的对应变化，从而获得多个像素灵敏度；以及基于所述像素灵敏度，确定多个权重，所述多个权重用于与衬底上的所述结构的经测量的像素光学特性值组合，以产生与所述物理配置中的变化相关联的参数的值，每个权重对应于一个像素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109073998B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780027339.2
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：获得检测到由单位单元的一个或多个物理实例重定向的辐射的表示，其中所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性，并且其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述单位单元的所述一个或多个物理实例填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统并且根据来自所述检测到的辐射的表示的光学特性值、与针对所述单位单元的第二套刻相分离地确定针对所述单位单元的第一套刻的值，所述第二套刻的值也从相同的光学特性值可获得，其中所述第一套刻处于与所述第二套刻不同的方向上，或者在与所述第二套刻不同的、所述单位单元的各部分的组合之间。
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公开(公告)号：CN113376976A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110789512.0
申请日：2018-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·哈诺坦耶 , 贾飞 , F·斯塔尔斯 , 王富明 , H·T·洛耶斯汀 , C·J·赖恩尼瑟 , M·皮萨连科 , R·沃克曼 , T·希尤维斯 , T·范赫默特 , V·巴斯塔尼 , J·S·威尔登伯格 , 埃维哈德斯·康尼利斯·摩斯 , E·J·M·沃勒伯斯
Abstract: 一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
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公开(公告)号：CN110168447B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201880006505.5
申请日：2018-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·哈诺坦耶 , 贾飞 , F·斯塔尔斯 , 王富明 , H·T·洛耶斯汀 , C·J·赖恩尼瑟 , M·皮萨连科 , R·沃克曼 , T·希尤维斯 , T·范赫默特 , V·巴斯塔尼 , J·S·威尔登伯格 , 埃维哈德斯·康尼利斯·摩斯 , E·J·M·沃勒伯斯
IPC: G03F7/20 , G05B13/04 , G05B19/418 , H01L21/66
Abstract: 一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
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公开(公告)号：CN109073996B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201780027336.9
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种配置参数确定过程的方法，该方法包括：获得结构的数学模型，所述数学模型被配置为预测在用辐射光束照射所述结构时的光学响应，所述结构在标称物理配置下具有几何对称性；由硬件计算机系统使用所述数学模型来模拟所述结构的所述物理配置中的一定量的扰动，以确定多个像素中的每个像素中的所述光学响应的对应变化，从而获得多个像素灵敏度；以及基于所述像素灵敏度，确定多个权重，所述多个权重用于与衬底上的所述结构的经测量的像素光学特性值组合，以产生与所述物理配置中的变化相关联的参数的值，每个权重对应于一个像素。
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公开(公告)号：CN105892238B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201610397542.6
申请日：2012-08-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F9/7026
Abstract: 公开了用于确定光刻投影设备的聚焦位置校正量的方法和相关设备。所述方法包括：在测试衬底上曝光多个全局校正场，每个全局校正场包括多个全局校正标记，且每个校正标记被用在其上的倾斜的聚焦位置偏置曝光；测量多个全局校正标记中的每个全局校正标记的依赖于聚焦位置的特性，以确定场间聚焦位置变化信息；和根据所述的场间聚焦位置变化信息来计算场间聚焦位置校正量。
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