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公开(公告)号：CN101606442A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200780049879.7
申请日：2007-12-14
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70916 , H05G2/005
摘要： 本发明提供一种等离子体辐射源、形成等离子体辐射的方法、用于将图案从图案形成装置投影到衬底上的设备和器件制造方法。将图案化的辐射束投射到衬底上。反射光学元件被用来帮助将从等离子体源的等离子体区域发射的辐射形成为辐射束。在等离子体源内，在等离子体区域内产生等离子体电流。为了减小对反射光学元件的损坏，在等离子体区域内提供具有至少一个沿等离子体电流的方向取向的分量的磁场。该轴向磁场有助于限制等离子体的Z箍缩区域的破坏。通过限制这种破坏，发射的快速离子的数量可以被减少。
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公开(公告)号：CN101584255A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780046330.2
申请日：2007-12-13
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊凡诺夫 , K·N·科什烈夫 , D·J·W·科伦德尔
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/005
摘要： 本发明涉及一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和等离子体内的箍缩(10)的一对电极(5)。辐射系统还包括配置接近所述箍缩并构造成中和多个等离子体颗粒的等离子体复合表面(13)。
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公开(公告)号：CN101584255B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200780046330.2
申请日：2007-12-13
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊凡诺夫 , K·N·科什烈夫 , D·J·W·科伦德尔
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/005
摘要： 本发明涉及一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和等离子体内的箍缩(10)的一对电极(5)。辐射系统还包括配置接近所述箍缩并构造成中和多个等离子体颗粒的等离子体复合表面(13)。
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公开(公告)号：CN101606442B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200780049879.7
申请日：2007-12-14
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70916 , H05G2/005
摘要： 本发明提供一种等离子体辐射源、形成等离子体辐射的方法、用于将图案从图案形成装置投影到衬底上的设备和器件制造方法。将图案化的辐射束投射到衬底上。反射光学元件被用来帮助将从等离子体源的等离子体区域发射的辐射形成为辐射束。在等离子体源内，在等离子体区域内产生等离子体电流。为了减小对反射光学元件的损坏，在等离子体区域内提供具有至少一个沿等离子体电流的方向取向的分量的磁场。该轴向磁场有助于限制等离子体的Z箍缩区域的破坏。通过限制这种破坏，发射的快速离子的数量可以被减少。
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