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公开(公告)号：CN102132214B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200980133185.0
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
CPC classification number: G03F7/70958 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70191 , G03F7/70308 , G03F7/70575 , G21K1/062
Abstract: 一种光谱纯度滤光片(30)配置成反射极紫外辐射。所述光谱纯度滤光片(30)包括：基底(31)；和抗反射涂层(32)，所述抗反射涂层在所述基底(31)的顶表面上。所述抗反射涂层(32)配置成透射红外辐射。滤光片还包括多层堆叠体(33)，所述多层堆叠体(33)配置成反射极紫外辐射和基本上透射红外辐射。
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公开(公告)号：CN101584255B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200780046330.2
申请日：2007-12-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊凡诺夫 , K·N·科什烈夫 , D·J·W·科伦德尔
CPC classification number: H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/005
Abstract: 本发明涉及一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和等离子体内的箍缩(10)的一对电极(5)。辐射系统还包括配置接近所述箍缩并构造成中和多个等离子体颗粒的等离子体复合表面(13)。
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公开(公告)号：CN102621817A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210056238.7
申请日：2005-09-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·巴尼内 , J·H·J·莫尔斯 , C·I·M·A·斯皮 , D·J·W·克鲁德 , P·C·扎姆
IPC: G03F7/20
CPC classification number: B82Y10/00 , B08B7/0035 , B08B17/04 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , G21K1/062
Abstract: 沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备本发明提供了一种去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，该方法包括在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除沉积物的至少一部分。此外，本发明提供了一种包括光学元件的设备的光学元件的保护方法，该方法包括：通过沉积过程向光学元件提供盖层；和在设备使用期间或使用之后，在如上所述的去除过程中，从光学元件上去除盖层的至少一部分。该方法可用在光刻设备中。
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公开(公告)号：CN102132214A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133185.0
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
CPC classification number: G03F7/70958 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70191 , G03F7/70308 , G03F7/70575 , G21K1/062
Abstract: 一种光谱纯度滤光片(30)配置成反射极紫外辐射。所述光谱纯度滤光片(30)包括：基底(31)；和抗反射涂层(32)，所述抗反射涂层在所述基底(31)的顶表面上。所述抗反射涂层(32)配置成透射红外辐射。滤光片还包括多层堆叠体(33)，所述多层堆叠体(33)配置成反射极紫外辐射和基本上透射红外辐射。
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公开(公告)号：CN102132213A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132826.0
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , M·M·J·W·范赫彭 , M·J·J·杰克
CPC classification number: G03F7/70941 , G02B5/208 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/10
Abstract: 一种光谱纯度滤光片包括孔阑。光谱纯度滤光片被配置成通过配置成吸收第一波长的辐射和允许第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔阑，来提高辐射束的光谱纯度。所述第一波长大于所述第二波长。光谱纯度滤光片可以用于改善极紫外(EUV)辐射束的光谱纯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101960926A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106786.2
申请日：2009-02-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
IPC: H05G2/00
Abstract: 一种装置被构造和被布置成使用通过气体介质的放电来产生辐射。所述装置包括第一电极和第二电极(12a、12b)；和液体供给装置，其被布置成提供液体至所述装置中的位置上。所述装置被布置成电供给有电压，且将电压至少部分地供给至第一电极和第二电极，用于允许在由电压产生的电场中产生放电。放电产生辐射等离子体。所述装置还包括防护装置，其布置在放电位置(13)和连接至第一电极和/或第二电极的导电部件(11a)之间。
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公开(公告)号：CN101911839A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124729.2
申请日：2008-12-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： V·Y·班尼恩 , M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
IPC: H05G2/00
Abstract: 一种辐射源，配置用以产生辐射。辐射源包括第一电极(11；61)和第二电极(12；62)，配置成用以在使用期间产生放电，以由等离子体燃料产生用于发射辐射的等离子体。辐射源还包括：燃料供给装置，配置成将等离子体燃料供给到与所述第一电极(11；61)和第二电极(12；62)相关的燃料释放区域；和燃料释放装置，配置成引发从所述燃料释放区域的(由所述燃料供给装置供给的)燃料的释放。所述燃料释放区域与所述第一电极(11；61)和所述第二电极(12；62)间隔分开。
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公开(公告)号：CN101523293A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037966.0
申请日：2007-09-25
Applicant: ASML荷兰有限公司 , 卡尔蔡斯SMT股份公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , J·P·H·德卡斯特尔 , J·H·J·莫尔斯 , L·H·J·斯蒂文斯 , B·T·沃尔斯克里基恩 , Y·V·塞德尔尼科 , M·H·L·范德威尔登 , W·A·索尔 , K·杰里森 , T·斯蒂恩
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70925 , G03F7/7085 , G03F7/70908 , G03F7/70916
Abstract: 本发明公开一种光刻设备，其构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。该设备包括：第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器，每个探测器包括构造成接收辐射流和发射由于接收所述辐射流而产生的二次电子的二次电子发射表面，从辐射传播的方向看，所述第一辐射剂量探测器位于所述第二辐射剂量探测器的下游；和计量表，其连接到每个探测器，用以探测由来自各个电子发射表面的所述二次电子发射导致的电流或电压。
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公开(公告)号：CN1975581A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163061.5
申请日：2006-12-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , D·J·W·克伦德 , J·H·J·莫尔斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70041 , G03F7/70191 , G03F7/7055 , G03F7/70908 , G21K1/043 , G21K1/062
Abstract: 公开了一种用于产生辐射束的辐射系统。该辐射系统包括用于产生EUV辐射的脉冲EUV辐射源，和安装在EUV源前面用于选择性通过来自所述EUV源的EUV辐射束的光谱范围的光谱过滤器。该光谱过滤器被安装在与脉冲EUV源同步移动的可移动支架上，以阻止从EUV源传播的碎屑冲击光谱过滤器。因此，光谱过滤器被保持基本上免于碎屑造成的污染。
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公开(公告)号：CN1766731B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200510119945.6
申请日：2005-09-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·巴尼内 , J·H·J·莫尔斯 , C·I·M·A·斯皮 , D·J·W·克鲁德 , P·C·扎姆
CPC classification number: B82Y10/00 , B08B7/0035 , B08B17/04 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , G21K1/062
Abstract: 沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备本发明提供了一种去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，该方法包括在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除沉积物的至少一部分。此外，本发明提供了一种包括光学元件的设备的光学元件的保护方法，该方法包括：通过沉积过程向光学元件提供盖层；和在设备使用期间或使用之后，在如上所述的去除过程中，从光学元件上去除盖层的至少一部分。该方法可用在光刻设备中。
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