用于从载体中分离晶片的装置和方法

    公开(公告)号:CN103325715B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201310096571.5

    申请日:2010-03-16

    发明人: E.塔尔纳

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/683

    摘要: 一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的装置,其带有用于接收由载体与晶片构成的载体晶片复合体的接收装置、用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件和用于从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体的分离器件,其中,解开连接器件构造成在0至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。此外本发明涉及一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的方法,其带有以下步骤:在接收装置上接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体、通过解开连接器件解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接并且通过分离器件从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体,其中,解开连接器件在直至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。

    用于从载体中分离晶片的装置和方法

    公开(公告)号:CN103325715A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310096571.5

    申请日:2010-03-16

    发明人: E.塔尔纳

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/683

    摘要: 一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的装置,其带有用于接收由载体与晶片构成的载体晶片复合体的接收装置、用于解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接的解开连接器件和用于从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体的分离器件,其中,解开连接器件构造成在0至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。此外本发明涉及一种用于从通过连接层与晶片相连接的载体中分离晶片的方法,其带有以下步骤:在接收装置上接收由载体和晶片构成的载体晶片复合体、通过解开连接器件解开载体与晶片之间的通过连接层设置的连接并且通过分离器件从载体中分离晶片或者从晶片中分离载体,其中,解开连接器件在直至350℃的、尤其10至200℃的、优选地20至80℃的温度范围中、还更优选地在环境温度下工作。

    从基板表面松动聚合物层的设备和方法

    公开(公告)号:CN102237261B

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201110110531.2

    申请日:2011-04-29

    IPC分类号: H01L21/00

    CPC分类号: H01L21/6708 H01L21/67109

    摘要: 本发明涉及从基板表面松动聚合物层的设备和方法。该设备具有以下特征:-基板保持装置,其用于接收基板,特别地在与所述表面相对的基板后侧上,-涂覆装置,其将用于松动聚合物层的流体涂覆到聚合物层上,特别地涂覆到聚合物层的整个顶侧上,以及-加热装置,其通过使加热装置的加热表面与涂覆到所述聚合物层上的流体接触而将热引入到所述流体内,另外,本发明还涉及从基板特别是晶片的表面松动聚合物层的方法,该方法包括以下步骤:-在基板保持装置上接收所述基板,-通过涂覆装置将用于松动所述聚合物层的流体涂覆到所述聚合物层上,以及-由加热装置将热引入到流体内,由此使加热装置的加热表面与涂覆到聚合物层的流体接触。

    从基板表面松动聚合物层的设备和方法

    公开(公告)号:CN102237261A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201110110531.2

    申请日:2011-04-29

    IPC分类号: H01L21/00

    CPC分类号: H01L21/6708 H01L21/67109

    摘要: 本发明涉及从基板表面松动聚合物层的设备和方法。该设备具有以下特征:基板保持装置,其用于接收基板,特别地在与所述表面相对的基板后侧上,涂覆装置,其将用于松动聚合物层的流体涂覆到聚合物层上,特别地涂覆到聚合物层的整个顶侧上,以及加热装置,其通过使加热装置的加热表面与涂覆到所述聚合物层上的流体接触而将热引入到所述流体内,另外,本发明还涉及从基板特别是晶片的表面松动聚合物层的方法,该方法包括以下步骤:在基板保持装置上接收所述基板,通过涂覆装置将用于松动所述聚合物层的流体涂覆到所述聚合物层上,以及由加热装置将热引入到流体内,由此使加热装置的加热表面与涂覆到聚合物层的流体接触。