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公开(公告)号：CN101221295A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810000672.7
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/0356
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，所述电光调制器结构包括埋入其中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。从而使得用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电子迁移及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极包括上方分支部分和具有光透性的下方部分。具有光透性的下层可以提高调制频率并且降低光损。
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公开(公告)号：CN101221294B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810000671.2
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/0356
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，它包括埋入器件中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。由此用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电化及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极至少与基片以缓冲层部分分隔，在一种实施方式中该缓冲层电导率较低。该导电缓冲层会减小偏压电极带来的光学损耗，也会减小直流漂移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101221294A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810000671.2
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/0356
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，它包括埋入器件中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。由此用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电化及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极至少与基片以缓冲层部分分隔，在一种实施方式中该缓冲层电导率较低。该导电缓冲层会减小偏压电极带来的光学损耗，也会减小直流漂移。
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公开(公告)号：CN101221295B8
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200810000672.7
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，所述电光调制器结构包括埋入其中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。从而使得用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电子迁移及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极包括上方分支部分和具有光透性的下方部分。具有光透性的下层可以提高调制频率并且降低光损。
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公开(公告)号：CN101221295B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810000672.7
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/0356
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，所述电光调制器结构包括埋入其中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。从而使得用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电子迁移及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极包括上方分支部分和具有光透性的下方部分。具有光透性的下层可以提高调制频率并且降低光损。
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公开(公告)号：CN101097275B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710123077.8
申请日：2007-06-28
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 本杰明·F.·卡钦斯 , 唐纳德·M.·弗里德 , 查尔斯·安迪·许尔斯 , 马克·K.·范·贡滕 , 詹森·里德 , 卡尔·基萨 , 格伦·德雷克 , 朱莉亚·邓肯 , 威廉·J.·明福特 , 哈苒·V.·沙阿 , 雅罗斯瓦夫·赞巴 , 詹森·家詹·许
CPC classification number: G02F1/377 , G02B6/13 , G02B6/1342 , G02B2006/1204 , G02B2006/12097 , G02F2201/06 , G02F2201/07
Abstract: 本发明涉及一种制造光波导器件的晶片级方法，特别涉及脊形波导器件的制造，和由此制得的改进的脊形波导。本发明已经发现对光波导层的厚度实现次微米级的控制的方法，其通过尺寸稳定的晶片组合实现，其中粘接剂被引入而不改变晶片级制造的载体晶片和光透射晶片间的平面关系。本方法允许晶片级制造的脊形波导器件中的脊和板的所期望的尺寸控制。更一般地，本方法允许包含薄光学透射层的光波导器件的晶片级制造。特别地，隔离物支座图案通过沉积和回蚀产生，或通过表面蚀刻方法产生以准确地将来自主表面的表面信息转到载体晶片到薄的光学透射晶片。根据该方法可实现的公差提供横跨晶片的一致产量。该方法还为完成的器件提供加强的结构完整性。
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公开(公告)号：CN101097275A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710123077.8
申请日：2007-06-28
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 本杰明·F.·卡钦斯 , 唐纳德·M.·弗里德 , 查尔斯·安迪·许尔斯 , 马克·K.·范·贡滕 , 詹森·里德 , 卡尔·基萨 , 格伦·德雷克 , 朱莉亚·邓肯 , 威廉·J.·明福特 , 哈苒·V.·沙阿 , 雅罗斯瓦夫·赞巴 , 詹森·家詹·许
CPC classification number: G02F1/377 , G02B6/13 , G02B6/1342 , G02B2006/1204 , G02B2006/12097 , G02F2201/06 , G02F2201/07
Abstract: 本发明涉及一种制造光波导器件的晶片级方法，特别涉及脊形波导器件的制造，和由此制得的改进的脊形波导。本发明已经发现对光波导层的厚度实现次微米级的控制的方法，其通过尺寸稳定的晶片组合实现，其中粘接剂被引入而不改变晶片级制造的载体晶片和光透射晶片间的平面关系。本方法允许晶片级制造的脊形波导器件中的脊和板的所期望的尺寸控制。更一般地，本方法允许包含薄光学透射层的光波导器件的晶片级制造。特别地，隔离物支座图案通过沉积和回蚀产生，或通过表面蚀刻方法产生以准确地将来自主表面的表面信息转到载体晶片到薄的光学透射晶片。根据该方法可实现的公差提供横跨晶片的一致产量。该方法还为完成的器件提供加强的结构完整性。
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