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公开(公告)号：CN107710899B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201680034059.X
申请日：2016-04-07
申请人： JX金属株式会社
摘要： 本发明提供一种电磁波屏蔽特性、轻量特性以及成形性优良的电磁波屏蔽材料。该电磁波屏蔽材料为当N设为2以上的整数时，由厚度5～100μm的N张金属箔和厚度5μm以上的N+1张树脂层交替层叠的层叠体，或者由厚度5～100μm的N+1张金属箔和厚度5μm以上的N张树脂层交替层叠的层叠体所构成的电磁波屏蔽材料，所述层叠体的厚度为100～500μm，对于以层叠体的厚度中心为基准位于上下两侧的树脂层和金属箔的顺序相对应的边界面，从基准到这些边界面的距离的误差均在±10％以内。
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公开(公告)号：CN108575083B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810200221.1
申请日：2018-03-12
申请人： JX金属株式会社
发明人： 田中幸一郎
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 本发明提供一种改善了成型加工性的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，具有至少一片金属箔和至少两层树脂层密合层叠等多层结构，各金属箔的两面与树脂层密合层叠，各金属箔与相邻的两层树脂层分别满足0.02≤VM/VM’≤1.2的关系(式中，VM：金属箔相对于金属箔与树脂层的总体积的体积率，VM’：(σR－σR’)/(σM+σR－σR’)，σM：对金属箔施加拉伸应力时金属箔断裂时的应力(MPa)，σR：对树脂层施加拉伸应力时树脂层断裂时的应力(MPa)，σR’：对树脂层施加与金属箔断裂时的应变相同的应变时树脂层的应力(MPa))。
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公开(公告)号：CN112566481A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010079927.4
申请日：2016-04-07
申请人： JX金属株式会社
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 本发明提供一种电磁波屏蔽特性、轻量特性以及成形性优良的电磁波屏蔽材料。该电磁波屏蔽材料为当N设为2以上的整数时，由厚度5～100μm的N张金属箔和厚度5μm以上的N+1张树脂层交替层叠的层叠体，或者由厚度5～100μm的N+1张金属箔和厚度5μm以上的N张树脂层交替层叠的层叠体所构成的电磁波屏蔽材料，所述层叠体的厚度为100～500μm，对于以层叠体的厚度中心为基准位于上下两侧的树脂层和金属箔的顺序相对应的边界面，从基准到这些边界面的距离的误差均在±10％以内。
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公开(公告)号：CN107710899A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680034059.X
申请日：2016-04-07
申请人： JX金属株式会社
CPC分类号： H05K9/0075 , B32B15/08 , H05K9/0071 , H05K9/0088
摘要： 本发明提供一种电磁波屏蔽特性、轻量特性以及成形性优良的电磁波屏蔽材料。该电磁波屏蔽材料为当N设为2以上的整数时，由厚度5～100μm的N张金属箔和厚度5μm以上的N+1张树脂层交替层叠的层叠体，或者由厚度5～100μm的N+1张金属箔和厚度5μm以上的N张树脂层交替层叠的层叠体所构成的电磁波屏蔽材料，所述层叠体的厚度为100～500μm，对于以层叠体的厚度中心为基准位于上下两侧的树脂层和金属箔的顺序相对应的边界面，从基准到这些边界面的距离的误差均在±10％以内。
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公开(公告)号：CN108688258B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810266540.2
申请日：2018-03-28
申请人： JX金属株式会社
发明人： 田中幸一郎
摘要： 本发明提供一种适于拉深加工的金属箔和树脂层的层叠体。一种层叠体，是层叠有至少一片金属箔和至少两层树脂层的、厚度为25～500μm的层叠体，其中，各金属箔的两面与树脂层密合层叠，将依照JIS K7127：1999对层叠体进行拉伸试验时的5％标称应变中的标称应力设为σY(MPa)，将依照JIS K7127：1999对层叠体进行拉伸试验时层叠体中的金属箔断裂的标称应变中的标称应力设为σb(MPa)时，60≤σY≤150、且1.4≤σb/σY成立。
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公开(公告)号：CN106460219B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201480079441.3
申请日：2014-05-30
申请人： JX金属株式会社
发明人： 田中幸一郎
摘要： 本发明的课题是提供即使暴露在高温环境中，耐腐蚀性也难以降低的电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料及屏蔽电缆。解决手段为电磁波屏蔽用金属箔10，其中，在由金属箔1构成的基材的一面或两面形成由Ni构成的基底层2，在该基底层的表面形成Sn‑Ni合金层3，Sn‑Ni合金层含有20~80质量%的Sn，在将Sn的总附着量记为TSn[μg/dm2]，将Sn‑Ni合金中Sn的比例记为ASn[质量%]，将Ni的总附着量记为TNi[μg/dm2]，将Sn‑Ni合金中Ni的比例记为ANi[质量%]时，TSn：500~91000μg/dm2，TNi：2200~236000μg/dm2，170000≥{TNi‑TSn×(ANi/ASn)}≥1700。
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公开(公告)号：CN108688258A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810266540.2
申请日：2018-03-28
申请人： JX金属株式会社
发明人： 田中幸一郎
CPC分类号： B32B15/09 , B32B7/12 , B32B15/088 , B32B15/092 , B32B15/095 , B32B15/20 , B32B38/12 , B32B2250/03 , B32B2250/40 , B32B2255/06 , B32B2255/26 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/212 , B32B2307/50 , B32B2307/732 , B32B2309/105 , B32B2367/00 , B32B2457/00 , H05K9/0084 , H05K9/0088 , B32B15/08 , B32B27/06 , B32B37/06 , B32B37/10
摘要： 本发明提供一种适于拉深加工的金属箔和树脂层的层叠体。一种层叠体，是层叠有至少一片金属箔和至少两层树脂层的、厚度为25～500μm的层叠体，其中，各金属箔的两面与树脂层密合层叠，将依照JIS K7127：1999对层叠体进行拉伸试验时的5％标称应变中的标称应力设为σY(MPa)，将依照JIS K7127：1999对层叠体进行拉伸试验时层叠体中的金属箔断裂的标称应变中的标称应力设为σb(MPa)时，60≤σY≤150、且1.4≤σb/σY成立。
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公开(公告)号：CN108886883B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201680083953.6
申请日：2016-12-01
申请人： JX金属株式会社
发明人： 田中幸一郎
摘要： 本发明提供对1MHz以下的低频电磁场的磁场屏蔽特性良好、重量轻、成型加工性也优良的电磁波屏蔽材料。所述电磁波屏蔽材料具有将至少二张金属箔隔着树脂层进行密合层叠的结构，构成树脂层的树脂在150℃无屈服点，构成电磁波屏蔽材料的金属箔与树脂层的所有组合满足下述的式(A)，式(A)：σM×dM×dR≥3×10‑3；并满足下述的式(B)，式(B)：进一步，所有的金属箔满足下述的式(C)，式(C)：{(dRb1×fRb1)+(dRb2×fRb2)}/(dMb×fMb)≥0.8。
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公开(公告)号：CN108886883A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680083953.6
申请日：2016-12-01
申请人： JX金属株式会社
发明人： 田中幸一郎
摘要： 本发明提供对1MHz以下的低频电磁场的磁场屏蔽特性良好、重量轻、成型加工性也优良的电磁波屏蔽材料。所述电磁波屏蔽材料具有将至少二张金属箔隔着树脂层进行密合层叠的结构，构成树脂层的树脂在150℃无屈服点，构成电磁波屏蔽材料的金属箔与树脂层的所有组合满足下述的式(A)，式(A)：σM×dM×dR≥3×10‑3；并满足下述的式(B)，式(B)：进一步，所有的金属箔满足下述的式(C)，式(C)：{(dRb1×fRb1)+(dRb2×fRb2)}/(dMb×fMb)≥0.8。
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公开(公告)号：CN108575083A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810200221.1
申请日：2018-03-12
申请人： JX金属株式会社
发明人： 田中幸一郎
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 本发明提供一种改善了成型加工性的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，具有至少一片金属箔和至少两层树脂层密合层叠等多层结构，各金属箔的两面与树脂层密合层叠，各金属箔与相邻的两层树脂层分别满足0.02≤VM/VM’≤1.2的关系(式中，VM：金属箔相对于金属箔与树脂层的总体积的体积率，VM’：(σR－σR’)/(σM+σR－σR’)，σM：对金属箔施加拉伸应力时金属箔断裂时的应力(MPa)，σR：对树脂层施加拉伸应力时树脂层断裂时的应力(MPa)，σR’：对树脂层施加与金属箔断裂时的应变相同的应变时树脂层的应力(MPa))。
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