硫化检测传感器和硫化检测传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN115144439A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210323660.8

    申请日:2022-03-30

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 本发明提供可正确地检测硫化程度的硫化检测传感器。硫化检测传感器包括:长方体形状的绝缘基板(2);形成在绝缘基板(2)的表面的长度方向两端部的一对表电极(3);形成在一对表电极(3)的中间位置的硫化检测导体(4);在两表电极(3)之间通过硫化检测导体(4)而串联连接的一对电阻器(5);覆盖硫化检测导体(4)的一部分和两电阻器(5)的全体的绝缘性保护膜(6),硫化检测导体(4)具有从绝缘性保护膜(6)突出到外部的露出部(4a)。

    硫化检测传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN113825998B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202080015223.9

    申请日:2020-02-12

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 本发明提供一种可以高感度的检测,并且防止外部电极的剥离的硫化检测传感器。根据本发明,在大型衬底(10A)的主面形成硫化检测导体(2)后,在前述硫化检测导体(2)上形成包含不可溶性材料的一对第1保护膜(3),且形成包含可溶性材料的第2保护膜(7)覆盖位在一对第1保护膜(3)间的硫化检测导体(2),对大型衬底(10A)进行第1次分割为长条状衬底(10B),在长条状衬底(10B)的二分割面形成端面电极(5)。对长条状衬底(10B)进行第2次分割为多个芯片衬底(10C),对芯片衬底(10C)进行电镀形成外部电极(6)后,第2保护膜(7)被移除以外露硫化检测部(2a),借此完成硫化检测传感器(10)。

    硫化检测传感器的制造方法

    公开(公告)号:CN113825998A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202080015223.9

    申请日:2020-02-12

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 本发明提供一种可以高感度的检测,并且防止外部电极的剥离的硫化检测传感器。根据本发明,在大型衬底(10A)的主面形成硫化检测导体(2)后,在前述硫化检测导体(2)上形成包含不可溶性材料的一对第1保护膜(3),且形成包含可溶性材料的第2保护膜(7)覆盖位在一对第1保护膜(3)间的硫化检测导体(2),对大型衬底(10A)进行第1次分割为长条状衬底(10B),在长条状衬底(10B)的二分割面形成端面电极(5)。对长条状衬底(10B)进行第2次分割为多个芯片衬底(10C),对芯片衬底(10C)进行电镀形成外部电极(6)后,第2保护膜(7)被移除以外露硫化检测部(2a),借此完成硫化检测传感器(10)。

    硫化检测电阻器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113035476B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202011534878.5

    申请日:2020-12-23

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 本发明提供一种能够准确且容易地检测硫化的程度的硫化检测电阻器。硫化检测电阻器(100)具有:长方体形状的绝缘基板(1),一对表面电极(2),其形成在绝缘基板(1)的表面的相向的两端部,多个硫化检测导体(3),其并排配置在该一对表面电极(2)之间,多个电阻体(4),其连接在各硫化检测导体(3)的两端部与一对表面电极(2)之间,以及硫化气体非渗透性保护膜(6),其覆盖各电阻体(4)的整体和各硫化检测导体(3)的一部分,各硫化检测导体(3)具有从保护膜(6)的窗孔(6a)露出的硫化检测部(3a),通过用由丙烯系树脂、硅树脂等制成的不同种的硫化速度调整层(7)覆盖这些硫化检测部(3a),从而设定成根据各硫化检测部(3a)所累积的硫化量而断线的时刻各不相同。

    硫化检测传感器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113892021A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202080039045.3

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 本发明提供一种可正确检测硫化的程度的硫化检测传感器。硫化检测传感器10具有长方体形的绝缘衬底1、设置在绝缘衬底1的表面的长边方向二端部的一对的表电极2、连接该些表电极2的硫化检测导体3、覆盖硫化检测导体3与表电极2的一部分的一对的保护膜4、设置在绝缘衬底1的背面的长边方向二端部的一对的背电极5、设置在绝缘衬底1的长边方向二端部的一对的端面电极6、以及设置在端面电极6的表面的外部电极7。硫化检测导体3具有从一对的保护膜4露出的硫化检测部3A。当一对的表电极2以电极间方向为X方向、与该X方向正交的方向为Y方向时,在硫化检测部3A的Y方向的二端部,形成电流较难流动的特定区域3b。

    硫化检测电阻器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113035476A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202011534878.5

    申请日:2020-12-23

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 本发明提供一种能够准确且容易地检测硫化的程度的硫化检测电阻器。硫化检测电阻器(100)具有:长方体形状的绝缘基板(1),一对表面电极(2),其形成在绝缘基板(1)的表面的相向的两端部,多个硫化检测导体(3),其并排配置在该一对表面电极(2)之间,多个电阻体(4),其连接在各硫化检测导体(3)的两端部与一对表面电极(2)之间,以及硫化气体非渗透性保护膜(6),其覆盖各电阻体(4)的整体和各硫化检测导体(3)的一部分,各硫化检测导体(3)具有从保护膜(6)的窗孔(6a)露出的硫化检测部(3a),通过用由丙烯系树脂、硅树脂等制成的不同种的硫化速度调整层(7)覆盖这些硫化检测部(3a),从而设定成根据各硫化检测部(3a)所累积的硫化量而断线的时刻各不相同。

    片式电阻器
    7.
    发明公开
    片式电阻器 审中-公开

    公开(公告)号:CN119889849A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411445646.0

    申请日:2024-10-16

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 本发明提供一种浪涌特性优异且适合小型化的片式电阻器。在本发明的片式电阻器(1)中,将使第一表面电极(3)与第二表面电极(4)之间导通的电阻体(7)印刷形成为具有第一电阻体部(7a)、第二电阻体部(7b)以及第三电阻体部(7c)的曲柄状,该电阻体(7)的被将第二电阻体部(7b)的第一导出部(7b‑1)和第三电阻体部(7c)的第二导出部(7c‑1)为对边的平行四边形所包围的第一区域(S1)成为流过电流多的部位,位于第一区域(S1)的外侧的两个第二区域(S2a、S2b)成为电流分布少的部位。电阻值调整用的调整槽(12)整体形成为L形切割形状,具有:粗调部(12a),其通过与第一电阻体部(7a)的下边缘相接的第二区域(S2a)并延伸至第一区域(S1)内;以及微调部(12b),其从粗调部(12a)的顶端通过第一区域(S1)内并延伸至再次到达第二区域(S2a)的位置。

    芯片电阻器及芯片电阻器的制造方法

    公开(公告)号:CN116072363B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202211274275.5

    申请日:2022-10-18

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 本发明提供一种可维持耐硫化特性的同时,即使在低电阻下也能够确保低TCR的芯片电阻器。本发明的芯片电阻器1具备:绝缘基板2、设置于绝缘基板2的表面两端部的一对前电极3、连接两前电极3之间的电阻体5、设置于电阻体5上的底涂层6、设置于底涂层6上的外涂层7、在远离绝缘基板2的端面的位置跨过前电极3和电阻体5的连接部分的方式而设置的导电性辅助膜8、向绝缘基板2的两端面延伸而与前电极3连接的一对端面电极9、以及覆盖端面电极9和前电极3及辅助膜8的一对外部镀层10,并且辅助膜8由含有Ag等金属粒子的树脂材料形成,辅助膜8的一部分被包夹于底涂层6和外涂层7之间。

    片式电阻器
    9.
    发明公开
    片式电阻器 审中-实审

    公开(公告)号:CN118414679A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202280084352.2

    申请日:2022-10-31

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 本发明提供一种即使在低电阻下也能够实现高功率化并且能够确保低TCR的片式电阻器。本发明的片式电阻器(1)具有:绝缘基板(2);一对表面电极(3),其设置在绝缘基板(2)的表面的两端部;电阻体(5),其连接两个表面电极(3)之间;玻璃体(6),其设置在电阻体(5)上;电阻值调节用的调整槽(5a),其穿过玻璃体(6)形成在电阻体(5);第一保护膜(7),其在比一对表面电极(3)更靠内侧的区域以覆盖调整槽(5a)的方式形成;第二保护膜(8),其以覆盖第一保护膜(7)的方式形成;一对端面电极(9),其以延伸到绝缘基板(2)的两端面且与表面电极(3)连接;以及一对外部镀层(10),其覆盖端面电极(9),第一保护膜(7)由含有散热性填料的树脂材料形成,并且第二保护膜(8)由树脂材料形成。

    芯片电阻器及芯片电阻器的制造方法

    公开(公告)号:CN116913630A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310315837.4

    申请日:2023-03-24

    Inventor: 木村太郎

    Abstract: 提供一种芯片电阻器及其制造方法。芯片电阻器(10)具备:长方体形状的绝缘基板(1),具有搭载面和安装面;一对上面电极(2),设置于绝缘基板(1)的搭载面中长边方向两端部;电阻体(3),将一对上面电极(2)连接;一对下面电极5,设置于绝缘基板1的安装面中长边方向两端部;一对树脂电极层(6),由含有层积于一对下面电极(5)上的导电性粒子的合成树脂材料而成;一对端面电极(7),将一对上面电极(2与一对下面电极5导通;以及一对外部电极(8),由至少覆盖一对端面电极(7)的镀覆材料而成;并且下面电极(5)是由绝缘基板(1的安装面上经薄膜形成的金属薄膜层而成,并具有从树脂电极层(6)露出的露出部(5a);外部电极(8)与下面电极(5)的露出部(5a)及树脂电极层(6)的表面整体接触。

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