公开(公告)号：CN102341919A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010764.9

申请日：2010-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李洪哲 ,  文世连 ,  安世源 ,  柳东柱

IPC: H01L31/042

Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池。该太阳能电池包含基板、在基板上的第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的至少一个光电转换单元。所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(i-型)半导体层、n-型半导体层和位于p-型半导体层与i-型半导体层之间的缓冲层。缓冲层的氢含量高于i-型半导体层的氢含量。

公开(公告)号：CN102341919B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201080010764.9

申请日：2010-01-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李洪哲 ,  文世连 ,  安世源 ,  柳东柱

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池。该太阳能电池包含基板、在基板上的第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的至少一个光电转换单元。所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(i-型)半导体层、n-型半导体层和位于p-型半导体层与i-型半导体层之间的缓冲层。缓冲层的氢含量高于i-型半导体层的氢含量。