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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102290453B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110168794.9
申请日：2011-06-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
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公开(公告)号：CN113302747A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080008582.1
申请日：2020-01-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0224 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。
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公开(公告)号：CN102290453A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110168794.9
申请日：2011-06-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
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公开(公告)号：CN108511557B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201810159994.X
申请日：2018-02-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 光伏太阳能电池以及制造光伏太阳能电池的方法。提供了一种制造光伏太阳能电池的方法，该方法包括：在半导体基板的一个表面和与所述一个表面相反的相反表面上形成包含第一导电类型掺杂剂的第一导电类型区域；通过执行干法蚀刻去除形成在所述半导体基板的所述相反表面上的所述第一导电类型区域；以及在所述半导体基板的所述相反表面上形成包含第二导电类型掺杂剂的第二导电类型区域。
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公开(公告)号：CN108511557A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810159994.X
申请日：2018-02-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 光伏太阳能电池以及制造光伏太阳能电池的方法。提供了一种制造光伏太阳能电池的方法，该方法包括：在半导体基板的一个表面和与所述一个表面相反的相反表面上形成包含第一导电类型掺杂剂的第一导电类型区域；通过执行干法蚀刻去除形成在所述半导体基板的所述相反表面上的所述第一导电类型区域；以及在所述半导体基板的所述相反表面上形成包含第二导电类型掺杂剂的第二导电类型区域。
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