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公开(公告)号：CN102456755B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110391311.1
申请日：2011-10-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/0368 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/02168 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN105655427A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510892086.8
申请日：2015-11-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , H01L31/04
Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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公开(公告)号：CN109037359B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201810878741.8
申请日：2015-11-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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公开(公告)号：CN108511557B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201810159994.X
申请日：2018-02-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 光伏太阳能电池以及制造光伏太阳能电池的方法。提供了一种制造光伏太阳能电池的方法，该方法包括：在半导体基板的一个表面和与所述一个表面相反的相反表面上形成包含第一导电类型掺杂剂的第一导电类型区域；通过执行干法蚀刻去除形成在所述半导体基板的所述相反表面上的所述第一导电类型区域；以及在所述半导体基板的所述相反表面上形成包含第二导电类型掺杂剂的第二导电类型区域。
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公开(公告)号：CN108511557A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810159994.X
申请日：2018-02-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 光伏太阳能电池以及制造光伏太阳能电池的方法。提供了一种制造光伏太阳能电池的方法，该方法包括：在半导体基板的一个表面和与所述一个表面相反的相反表面上形成包含第一导电类型掺杂剂的第一导电类型区域；通过执行干法蚀刻去除形成在所述半导体基板的所述相反表面上的所述第一导电类型区域；以及在所述半导体基板的所述相反表面上形成包含第二导电类型掺杂剂的第二导电类型区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103178132B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210300871.6
申请日：2012-07-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池。根据实施方式的太阳能电池包括：半导体衬底；形成在半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上的发射极层；形成在半导体衬底的后表面上的后表面场层；形成在发射极层上的第一电极；以及形成在后表面场层上的第二电极。后表面场层包括：形成在不形成第二电极的部分并且具有第一电阻的第一部分，以及与第二电极接触并具有低于第一电阻的第二电阻的第二部分。第二电极包括彼此平行并且间隔约0.1mm到约1mm的距离并且具有约50μm到约70μm的宽度的多个指状电极。
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公开(公告)号：CN102456755A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110391311.1
申请日：2011-10-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/02168 , H01L31/03682 , H01L31/068 , Y02E10/546 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN114127961A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080052377.5
申请日：2020-04-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0368
Abstract: 根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一铝氧化物层，第一铝氧化物层位于第一导电类型区域上，该第一导电类型区域由具有n型导电类型并且包括氢的多晶硅层组成；以及第一钝化层，该第一钝化层位于第一铝氧化物层上并且包括包含与第一铝氧化物层的材料不同的材料的第一介电层。
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公开(公告)号：CN109037359A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810878741.8
申请日：2015-11-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50
Abstract: 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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公开(公告)号：CN105655427B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201510892086.8
申请日：2015-11-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50
Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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