公开(公告)号：CN1607444A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410083705.0

申请日：2004-10-14

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 林炳昊 ,  柳洵城 ,  李昌德 ,  南承熙 ,  吴载映 ,  金泓植 ,  郭喜荣

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136254

Abstract: 用减少数量的工序制造的薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：具有扩大接触面的栅极焊盘和数据焊盘，以方便与检测装置的检测针接触。具有该TFT阵列基板的液晶显示器件通过将检测针与栅极焊盘和数据焊盘接触进行检测。该TFT阵列基板包括第一、第二和第三导电图案组。第一导电图案组包括：栅极、栅极线和下栅极焊盘电极。第二导电图案组包括源极和漏极、数据线和下数据焊盘电极。第三导电图案组包括像素电极、上栅极焊盘电极和上数据焊盘电极。在第二导电图案组下，沿第二导电图案组设置半导体图案。栅极绝缘图案和保护膜图案位于没有第三导电图案组的区域上。

公开(公告)号：CN1992237A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610162249.8

申请日：2006-12-13

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李昌德 ,  洪玄硕

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种适于使用三轮掩模工序同时形成良好布图设计并去除阶梯差的薄膜晶体管基板制造方法。根据本发明的薄膜晶体管基板制造方法，包括：在基板上形成栅线；形成与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜的数据线；在栅线和数据线的交叉部分形成薄膜晶体管；在形成有薄膜晶体管的栅绝缘膜上形成钝化膜以后，形成用于露出将要形成接触孔和像素电极的区域的第一光刻胶图案；在沉积透明导电膜以后，形成第二光刻胶图案，该第二光刻胶图案暴露出形成于除将要形成接触孔和像素电极的区域以外区域的透明导电膜；以及在对由所述第二光刻胶图案暴露出的透明导电膜进行蚀刻以后，通过去除留在钝化膜上的第一和第二光刻胶图案形成钝化膜和像素电极。

公开(公告)号：CN1991449A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610087180.7

申请日：2006-06-15

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 李昌德

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明公开了一种LCD及其制造方法。该LCD包括栅焊盘。该栅焊盘包括形成在基板上的ITO栅极，形成在该ITO栅极的预定区域上的第一栅焊盘底部电极和第二栅焊盘底部电极，形成在第一栅焊盘底部电极和第二栅焊盘底部电极上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层上的钝化层，形成在钝化层上的栅焊盘顶部电极，以及至少一个接触孔。该LCD还包括具有栅线的液晶面板，该栅线具有与第一栅焊盘底部电极和第二栅焊盘顶部电极整体形成的双层结构。

公开(公告)号：CN100368909C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410083705.0

申请日：2004-10-14

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 林炳昊 ,  柳洵城 ,  李昌德 ,  南承熙 ,  吴载映 ,  金泓植 ,  郭喜荣

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136254

Abstract: 用减少数量的工序制造的薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：具有扩大接触面的栅极焊盘和数据焊盘，以方便与检测装置的检测针接触。具有该TFT阵列基板的液晶显示器件通过将检测针与栅极焊盘和数据焊盘接触进行检测。该TFT阵列基板包括第一、第二和第三导电图案组。第一导电图案组包括：栅极、栅极线和下栅极焊盘电极。第二导电图案组包括源极和漏极、数据线和下数据焊盘电极。第三导电图案组包括像素电极、上栅极焊盘电极和上数据焊盘电极。在第二导电图案组下，沿第二导电图案组设置半导体图案。栅极绝缘图案和保护膜图案位于没有第三导电图案组的区域上。