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公开(公告)号:CN1518850A
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN02812609.2
申请日:2002-06-19
Applicant: LPKF激光和电子股份公司
IPC: H05K3/10
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1608 , C23C18/1612
Abstract: 本发明涉及在不导电承载材料上的导体轨道结构,由金属晶核及后续在金属核上涂覆的金属化层构成,其中金属晶核通过电磁照射实现的精细分布地包含在承载材料中的不导电金属化合物的断裂而形成,本发明还涉及用于制造导体轨道结构的方法。本发明的特征在于,不导电的金属化合物由高度热稳定的、在含水的酸性或碱性金属化电解液中稳定且不溶解的无机氧化物构成,这些氧化物是具有尖晶石结构的较高阶氧化物,或者是简单的d-金属氧化物或其混合物或与尖晶石结构同族的混合金属化合物,并且所述的氧化物在未被照射的区域内保持不变。所采用的无机氧化物是耐热的,在焊接温度作用之后仍保持稳定。导体轨道结构可靠而简单地被制造,并且获得非常高的附着性。
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公开(公告)号:CN1326435C
公开(公告)日:2007-07-11
申请号:CN02812609.2
申请日:2002-06-19
Applicant: LPKF激光和电子股份公司
IPC: H05K3/10
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1608 , C23C18/1612
Abstract: 本发明涉及用于制造不导电承载材料上的导体轨道结构的方法,该导体轨道结构由金属晶核及后续在金属核上涂覆的金属化层构成,其中金属晶核通过电磁照射实现的精细分布地包含在承载材料中的不导电金属化合物的断裂而形成。本发明的特征在于,不导电的金属化合物由高度热稳定的、在含水的酸性或碱性金属化电解液中稳定且不溶解的无机氧化物构成,这些氧化物是具有尖晶石结构的较高阶氧化物,或者是简单的d-金属氧化物或其混合物或与尖晶石结构同族的混合金属化合物,并且所述的氧化物在未被照射的区域内保持不变。所采用的无机氧化物是耐热的,在焊接温度作用之后仍保持稳定。导体轨道结构可靠而简单地被制造,并且获得非常高的附着性。
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公开(公告)号:CN1195888C
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN98800775.4
申请日:1998-06-03
Applicant: LPKF激光和电子股份公司
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 介绍在一种非导电基材上的电路结构,特别是细微电路结构,是由一种含重金属的基体以及在该基体上的金属化层构成的,以及制造该电路结构的方法。本发明的特征在于:含重金属的基体含有重金属晶核,这是通过由受激准分子激光器发射紫外射线破坏一种非导电性有机重金属络合物生成的。重金属络合物涂敷在基材的整个微孔表面上,并在围绕电路结构的范围内构成电路的表面。本发明的电路结构的制造方法要比已知的电路结构简单。另外,沉积的金属电路的粘结性能非常好。
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