公开(公告)号：CN110382160A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880015662.2

申请日：2018-03-05

Applicant: LPKF激光电子股份公司

Inventor： R.奥斯托特 ,  N.安布罗修斯 ,  A.施诺尔 ,  D.邓克尔

IPC: B23K26/402 ,  B23K26/00 ,  C23C14/12 ,  C23C14/04 ,  B23K26/06 ,  B81C1/00 ,  B23K26/53 ,  B23K26/0622 ,  B23K103/00

Abstract: 本发明涉及一种用于将至少一个穿孔(1)开设到透明的或者可透射的玻璃基底(2)中的方法，其中，借助电磁射线、尤其是激光沿着射线轴(s)选择性地使玻璃基底(2)改性。由于沿着射线轴(s)通过电磁射线以不同的特性、例如通过不同的脉冲能量在玻璃基底(2)中产生改性，因此在玻璃基底(2)中的蚀刻过程不均匀地以不同的蚀刻率进行。由此形成了以下可能性，即在透明的或者可透射的材料中有针对性地并且选择性地通过不同的改性特性来形成由于蚀刻处理而产生的穿孔(1)并且例如改变穿孔(1)的锥角(α、β)。

公开(公告)号：CN110382160B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201880015662.2

申请日：2018-03-05

Applicant: LPKF激光电子股份公司

Inventor： R.奥斯托特 ,  N.安布罗修斯 ,  A.施诺尔 ,  D.邓克尔

IPC: B23K26/402 ,  B23K26/00 ,  C23C14/12 ,  C23C14/04 ,  B23K26/06 ,  B81C1/00 ,  B23K26/53 ,  B23K26/0622 ,  B23K103/00

Abstract: 本发明涉及一种用于将至少一个穿孔(1)开设到透明的或者可透射的玻璃基底(2)中的方法，其中，借助电磁射线、尤其是激光沿着射线轴(s)选择性地使玻璃基底(2)改性。由于沿着射线轴(s)通过电磁射线以不同的特性、例如通过不同的脉冲能量在玻璃基底(2)中产生改性，因此在玻璃基底(2)中的蚀刻过程不均匀地以不同的蚀刻速率进行。由此形成了以下可能性，即在透明的或者可透射的材料中有针对性地并且选择性地通过不同的改性特性来形成由于蚀刻处理而产生的穿孔(1)并且例如改变穿孔(1)的锥角(α、β)。