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公开(公告)号：CN110382160A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015662.2
申请日：2018-03-05
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: B23K26/402 , B23K26/00 , C23C14/12 , C23C14/04 , B23K26/06 , B81C1/00 , B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K103/00
Abstract: 本发明涉及一种用于将至少一个穿孔(1)开设到透明的或者可透射的玻璃基底(2)中的方法，其中，借助电磁射线、尤其是激光沿着射线轴(s)选择性地使玻璃基底(2)改性。由于沿着射线轴(s)通过电磁射线以不同的特性、例如通过不同的脉冲能量在玻璃基底(2)中产生改性，因此在玻璃基底(2)中的蚀刻过程不均匀地以不同的蚀刻率进行。由此形成了以下可能性，即在透明的或者可透射的材料中有针对性地并且选择性地通过不同的改性特性来形成由于蚀刻处理而产生的穿孔(1)并且例如改变穿孔(1)的锥角(α、β)。
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公开(公告)号：CN105102177A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480019446.7
申请日：2014-04-03
Applicant: LPKF激光电子股份公司
CPC classification number: B23K26/382 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B23K2103/54 , B23K2103/56 , H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/15 , H01L23/49827 , B23K26/18 , B23K26/50
Abstract: 本发明涉及一种借助激光束在用作内插器的基板(2)中引入多个凹部(5)的方法和装置，以及以这种方式制造的基板(2)。为此，将激光束(3)引导至基板(2)的表面。这种情况下，选择极短的激光束(3)的作用时长，因此仅出现基板(2)同心围绕所述激光束的光轴(Z)的改性，而不会产生基板材料的去除。首先通过具有比空气更大的、取决于强度的折射率的透射介质(8)引导激光束(3)；然后激光束(3)到达基板(2)。由于所使用的脉冲激光的强度不是恒定的而是在单脉冲长度中具有先上升至最大然后再下降的强度，因而所述折射率也会改变。由此，激光束(3)的聚焦点(9a)在基板(2)的外表面(11,12)之间沿光轴(Z)位移，从而获得所需的沿光轴(Z)的改性而无须在光轴(Z)上追踪激光加工头(10)。
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公开(公告)号：CN110382161A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016177.7
申请日：2018-03-05
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: B23K26/402 , B23K26/00 , C23C14/12 , C23C14/04
Abstract: 本发明涉及一种用于由例如玻璃、蓝宝石或者硅材质的板形的衬底(2)制造工程用掩膜(1)的方法。掩膜(1)的至少一个开口借助激光诱导的深度刻蚀制成，其中，衬底(2)至少对于激光诱导的深度刻蚀时使用的激光波长是透明的。为此，衬底(2)为了尤其闭合的轮廓(3)的分离通过激光器的脉冲沿预先定义的加工线(4)被改变。连接梁形式的加工线(4)的局部的中断(即所谓的虚断线)保证了待分离的轮廓(3)甚至在用腐蚀溶液处理之后也还暂时与板形的衬底(2)连接。以这种方式被预处理的板形的衬底(2)在后续步骤中被用腐蚀溶液、例如氢氟酸(HF)或者氢氧化钾(KOH)处理，由此使得衬底(2)的未被改性的区域均匀地和各向同性地被腐蚀。改性区域相对于衬底(2)的未处理区域各向异性地反应，因此最初在处理过的位置形成定向凹空，直到衬底(2)的材料在所述位点最终完全溶解。
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公开(公告)号：CN113784912A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080034032.7
申请日：2020-04-23
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用于在玻璃基底(1)中制造微结构的方法，其中，首先在两个外表面(2、3)中，将激光改性引入玻璃基底(1)中。通过蚀刻以这种方式处理的玻璃基底(1)，由于各向异性的材料去除，在玻璃基底(1)中产生大量锥形的凹部(5)。一旦出现期望的尺寸的凹部(5)，那么中断蚀刻过程，并且在上方的第一外表面(2)上施加抗蚀刻侵蚀的覆盖层(6)，覆盖层因此适配于凹部(5)的轮廓。随后进一步蚀刻以这种方式涂层的玻璃基底(1)，其中，在背离覆盖层(6)的第二外表面(3)上的凹部(5)中进一步去除材料，而由作为抗蚀剂的覆盖层(6)保护的第一外表面(2)保持不变。通过进一步的材料去除导致凹部(5)的凹陷(T)，直到它最终到达覆盖层(6)的后侧(7)并且蚀刻过程结束。由此，根据本发明，桥接凹部(5)的覆盖层(6)得到三维轮廓纹理，其可以用于各种各样的应用目的。
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公开(公告)号：CN107006128B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201580049903.1
申请日：2015-08-07
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: H05K3/00 , B23K26/382 , B23K26/0622
Abstract: 本发明涉及一种在厚度小于3毫米的板状工件(1)内加工至少一个尤其穿孔状凹槽(4)的方法。为此，将激光束(2)对准工件(1)的表面。激光束(2)的持续作用时间选择得非常短，所以仅集中围绕激光束的射束轴线进行工件(1)的修正。以此方式修正的缺损点(3)的区域造成一连串气孔。在随后的一个工艺步骤中，基于腐蚀剂的作用，通过逐步蚀刻，导致在工件(1)的由缺损点(3)形成的、事先通过激光束(3)经历修正的那些区域内各向异性的材料去除。其结果是，沿圆柱形作用区在工件(1)内形成凹槽(4)作为穿孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115697625A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180037651.6
申请日：2021-03-31
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: B23K26/53 , B23K103/00 , B23K26/70 , B23K26/362 , B23K26/402
Abstract: 本发明涉及一种用于通过局部地降低材料厚度在基材(2)中开设作为凹处的凹部的方法。在此，通过激光射束的沿着射束轴线(4)的空间上的射束成型在基材(2)中产生改性部(5)，从而接着通过腐蚀性介质的作用产生凹部。为此沿着平行的射束轴线(4)将多个改性部(5)开设到基材(2)中，所述改性部在第一外表面(6)和基材(2)内的与对置于第一外表面(6)的第二外表面(7)间隔距离(a)的位置(P)之间具有延伸尺寸(T)。彼此相邻的改性部(5)以相应的射束轴线(4)为参照具有侧向距离(S)，该侧向距离设计为与基材(2)中的长度或者深度成反比，以便由此产生凹部的几乎平坦的表面。
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公开(公告)号：CN110382160B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201880015662.2
申请日：2018-03-05
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: B23K26/402 , B23K26/00 , C23C14/12 , C23C14/04 , B23K26/06 , B81C1/00 , B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K103/00
Abstract: 本发明涉及一种用于将至少一个穿孔(1)开设到透明的或者可透射的玻璃基底(2)中的方法，其中，借助电磁射线、尤其是激光沿着射线轴(s)选择性地使玻璃基底(2)改性。由于沿着射线轴(s)通过电磁射线以不同的特性、例如通过不同的脉冲能量在玻璃基底(2)中产生改性，因此在玻璃基底(2)中的蚀刻过程不均匀地以不同的蚀刻速率进行。由此形成了以下可能性，即在透明的或者可透射的材料中有针对性地并且选择性地通过不同的改性特性来形成由于蚀刻处理而产生的穿孔(1)并且例如改变穿孔(1)的锥角(α、β)。
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公开(公告)号：CN110545948B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201880025435.8
申请日：2018-04-06
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: B23K26/00 , B23K26/362 , B23K26/402 , C03B33/02 , B23K26/0622 , B23K26/53 , B23K103/00
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公开(公告)号：CN113784912B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202080034032.7
申请日：2020-04-23
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用于在玻璃基底(1)中制造微结构的方法，其中，首先在两个外表面(2、3)中，将激光改性引入玻璃基底(1)中。通过蚀刻以这种方式处理的玻璃基底(1)，由于各向异性的材料去除，在玻璃基底(1)中产生大量锥形的凹部(5)。一旦出现期望的尺寸的凹部(5)，那么中断蚀刻过程，并且在上方的第一外表面(2)上施加抗蚀刻侵蚀的覆盖层(6)，覆盖层因此适配于凹部(5)的轮廓。随后进一步蚀刻以这种方式涂层的玻璃基底(1)，其中，在背离覆盖层(6)的第二外表面(3)上的凹部(5)中进一步去除材料，而由作为抗蚀剂的覆盖层(6)保护的第一外表面(5)的凹陷(T)，直到它最终到达覆盖层(6)的后侧(7)并且蚀刻过程结束。由此，根据本发明，桥接凹部(5)的覆盖层(6)得到三维轮廓纹理，其可以用于各种各样的应用目的。(2)保持不变。通过进一步的材料去除导致凹部
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公开(公告)号：CN110382161B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201880016177.7
申请日：2018-03-05
Applicant: LPKF激光电子股份公司
IPC: B23K26/402 , B23K26/00 , C23C14/12 , C23C14/04
Abstract: 本发明涉及一种用于由例如玻璃、蓝宝石或者硅材质的板形的衬底(2)制造工程用掩膜(1)的方法。掩膜(1)的至少一个开口借助激光诱导的深度刻蚀制成，其中，衬底(2)至少对于激光诱导的深度刻蚀时使用的激光波长是透明的。为此，衬底(2)为了尤其闭合的轮廓(3)的分离通过激光器的脉冲沿预先定义的加工线(4)被改变。连接梁形式的加工线(4)的局部的中断(即所谓的虚断线)保证了待分离的轮廓(3)甚至在用腐蚀溶液处理之后也还暂时与板形的衬底(2)连接。以这种方式被预处理的板形的衬底(2)在后续步骤中被用腐蚀溶液、例如氢氟酸(HF)或者氢氧化钾(KOH)处理，由此使得衬底(2)的未被改性的区域均匀地和各向同性地被腐蚀。改性区域相对于衬底(2)的未处理区域各向异性地反应，因此最初在处理过的位置形成定向凹空，直到衬底(2)的材料在所述位点最终完全溶解。
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