公开(公告)号：CN103378714A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310145727.4

申请日：2013-04-24

Applicant: LS产电株式会社

Inventor： 郑在锡 ,  南景勋 ,  康圣熙 ,  金锺培

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H03K17/161 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/06 ,  H03K19/01721

Abstract: 本发明公开了一种栅极驱动装置。依照实施例的栅极驱动装置包括：第一开关器件；第二开关器件，其输出信号以所述第一开关器件的电容进行充电；第三开关器件，其与所述第二开关器件并联连接以防止从所述第二开关器件输出的电压的下降；以及第四开关器件，其输出信号以对所述第一开关器件的电容进行放电。NMOS晶体管被用作主开关器件，并且与所述NMOS晶体管并联连接的PMOS晶体管被用作辅开关器件，这样使得芯片尺寸减小而不会使所述栅极驱动装置的输出电压下降。通过阻止所述栅极驱动装置的输出电压下降来防止开关器件的损耗。

公开(公告)号：CN103684412B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310399161.8

申请日：2013-09-05

Applicant: LS产电株式会社

Inventor： 郑在锡

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/01 ,  H03K3/356113

Abstract: 公开了一种电平移位装置。用于将具有低电压电平的输入信号转换成具有高电压电平的输出信号的电平移位装置包括锁存型电平移位器和电压生成器。锁存型电平移位器包括两个上部上拉P通道晶体管和用于防止两个上部上拉P通道晶体管的栅源电压击穿的两个下部P通道晶体管。两个上部上拉P通道晶体管和两个下部P通道晶体管形成锁存结构。电压生成器生成电压以防止两个上部上拉P通道晶体管的栅源电压击穿，并且提供电压给两个下部P通道晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN103684412A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310399161.8

申请日：2013-09-05

Applicant: LS产电株式会社

Inventor： 郑在锡

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/01 ,  H03K3/356113

Abstract: 公开了一种电平移位装置。用于将具有低电压电平的输入信号转换成具有高电压电平的输出信号的电平移位装置包括锁存型电平移位器和电压生成器。锁存型电平移位器包括两个上部上拉P通道晶体管和用于防止两个上部上拉P通道晶体管的栅源电压击穿的两个下部P通道晶体管。两个上部上拉P通道晶体管和两个下部P通道晶体管形成锁存结构。电压生成器生成电压以防止两个上部上拉P通道晶体管的栅源电压击穿，并且提供电压给两个下部P通道晶体管的栅极。