公开(公告)号：CN104426334A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410400467.5

申请日：2014-08-14

Applicant: LS产电株式会社

Inventor： 南景勋 ,  康圣熙 ,  金锺培

IPC: H02M1/08 ,  H02H7/20

CPC classification number: H03K17/08128 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/163 ,  H03K17/168

Abstract: 本发明提供了一种栅极驱动器及其操作方法。所述栅极驱动器放大输入的控制信号以驱动高侧和低侧晶体管的栅极。高侧驱动芯片放大用于控制高侧晶体管的高侧控制信号并将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极。低侧驱动芯片放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极。所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子。所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备。所述低侧驱动芯片包括死区时间控制单元和输出驱动器，所述死区时间控制单元对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号，所述输出驱动器放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并输出被放大的信号。

公开(公告)号：CN103378714A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310145727.4

申请日：2013-04-24

Applicant: LS产电株式会社

Inventor： 郑在锡 ,  南景勋 ,  康圣熙 ,  金锺培

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H03K17/161 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/06 ,  H03K19/01721

Abstract: 本发明公开了一种栅极驱动装置。依照实施例的栅极驱动装置包括：第一开关器件；第二开关器件，其输出信号以所述第一开关器件的电容进行充电；第三开关器件，其与所述第二开关器件并联连接以防止从所述第二开关器件输出的电压的下降；以及第四开关器件，其输出信号以对所述第一开关器件的电容进行放电。NMOS晶体管被用作主开关器件，并且与所述NMOS晶体管并联连接的PMOS晶体管被用作辅开关器件，这样使得芯片尺寸减小而不会使所述栅极驱动装置的输出电压下降。通过阻止所述栅极驱动装置的输出电压下降来防止开关器件的损耗。