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公开(公告)号:CN1265712A
公开(公告)日:2000-09-06
申请号:CN98807859.7
申请日:1998-07-29
申请人: MEMC电子材料有限公司
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068
摘要: 在直接法拉晶机中采用热屏蔽组件,用于有选择地保护半导体材料的单晶锭料,以便控制锭料单晶结构中聚集的缺陷类型和数据密度。热屏蔽组件具有一个上热屏蔽,该上热屏蔽连接到一个下热屏蔽上。上热屏蔽和下热屏蔽相互连接,并滑动式连接到一个中间热屏蔽上。下热屏蔽能够向上伸入中间热屏蔽,以便使位于拉晶机单晶生长室内部的热屏蔽组件的外形减至最小。然而,当必须控制单晶锭料的形成时,下热屏蔽可以从中间热屏蔽延伸,并向下伸入拉晶机坩埚中,以便非常靠近坩埚中熔化的半导体原材料的上表面。还公开了应用热屏蔽组件的方法。