ARTMS阱中的痕量气体浓度
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104380099A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201380024283.7

    申请日:2013-03-13

    申请人: MKS仪器公司

    IPC分类号: G01N27/64

    摘要: 本发明提供了一种检测离子阱中特定气体种类的方法,所述特定气体种类最初为一定量的气体中第一低浓度的痕量组分,所述方法包括离子化包含所述特定气体种类的气体从而产生特定离子种类。所述方法还包括产生将所述特定离子种类限制于离子阱中的轨道的静电势。所述方法还包括用具有激发频率的AC激发源激发受限的特定离子种类、扫描AC激发源的激发频率以从所述离子阱中逐出所述特定离子种类、和检测所逐出的特定离子种类。所述方法还包括在扫描逐出所述特定气体种类的离子的激发频率之前,相对于所述第一低浓度增大所述离子阱内所述特定离子种类的浓度。

    用于高压操作的电离计
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104303033A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201380014817.8

    申请日:2013-02-07

    申请人: MKS仪器公司

    IPC分类号: G01L21/32

    摘要: 一种电离计,在控制由操作在高压下的溅射得到沉积的位置而测量压力,所述电离计包括至少一个发射电子的电子源,和限定电离体积的阳极。电离计还包括用于收集在电离体积中由电子与气体分子和原子之间的碰撞所形成的离子的收集器电极,以提供气体压力输出。电子源可以被定位在电离体积的端部处,使得电子源到溅射离开收集器电极和包层表面的原子束的暴露最小化。可替换地,电离计可以包括电离体积的外部的第一遮挡件,所述第一遮挡件被定位在电子源和收集器电极之间,并且可选地,处于包层和电子源之间的第二遮挡件,使得溅射离开包层的原子受到抑制不在电子源上沉积。

    ART MS阱中的痕量气体浓度

    公开(公告)号:CN104380099B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201380024283.7

    申请日:2013-03-13

    申请人: MKS仪器公司

    IPC分类号: G01N27/64

    摘要: 本发明提供了一种检测离子阱中特定气体种类的方法,所述特定气体种类最初为一定量的气体中第一低浓度的痕量组分,所述方法包括离子化包含所述特定气体种类的气体从而产生特定离子种类。所述方法还包括产生将所述特定离子种类限制于离子阱中的轨道的静电势。所述方法还包括用具有激发频率的AC激发源激发受限的特定离子种类、扫描AC激发源的激发频率以从所述离子阱中逐出所述特定离子种类、和检测所逐出的特定离子种类。所述方法还包括在扫描逐出所述特定气体种类的离子的激发频率之前,相对于所述第一低浓度增大所述离子阱内所述特定离子种类的浓度。

    具有离子源的气体分析器系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114730695A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202080081522.2

    申请日:2020-11-24

    申请人: MKS仪器公司

    IPC分类号: H01J49/28 G01M3/20 H01J49/04

    摘要: 气体分析器系统使用可为热阴极离子源的离子源。定位磁铁组件以界定磁场,所述磁铁组件允许基于其离子的质荷比来分开离子分量。使用离子束偏转器、例如一对偏转板,可横越侦测器扫描离子分量。离子束偏转器横越磁场及横越由离子源发射的离子的行进方向界定偏转电场。

    用于高压操作的电离计
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104303033B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201380014817.8

    申请日:2013-02-07

    申请人: MKS仪器公司

    IPC分类号: G01L21/32

    摘要: 一种电离计,在控制由操作在高压下的溅射得到沉积的位置而测量压力,所述电离计包括至少一个发射电子的电子源,和限定电离体积的阳极。电离计还包括用于收集在电离体积中由电子与气体分子和原子之间的碰撞所形成的离子的收集器电极,以提供气体压力输出。电子源可以被定位在电离体积的端部处,使得电子源到溅射离开收集器电极和包层表面的原子束的暴露最小化。可替换地,电离计可以包括电离体积的外部的第一遮挡件,所述第一遮挡件被定位在电子源和收集器电极之间,并且可选地,处于包层和电子源之间的第二遮挡件,使得溅射离开包层的原子受到抑制不在电子源上沉积。