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公开(公告)号：CN1599962A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824301.3
申请日：2002-12-03
Applicant: NTT电子株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/101
Abstract: 一种光电二极管，其光吸收层由层厚为WD的耗尽的第一半导体光吸收层和层厚为WA的p型中性的第二半导体光吸收层构成，并且WA和WD之比被设定为使光吸收层内的总的载流子渡越时间τtot为最小。此外，在第一半导体光吸收层和n型半导体电极层之间设置具有比第一半导体光吸收层更大的带隙的耗尽的半导体透光层。
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