公开(公告)号：CN115118226A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210271208.1

申请日：2022-03-18

申请人： QORVO美国公司

发明人： 乔尔·劳伦斯·道森 ,  甘加达尔·伯拉 ,  弗雷德里克·L·马丁 ,  马可·布里法 ,  拉赫德·海基 ,  艾米尼·沙湾迪 ,  埃利亚斯·里斯 ,  尼古劳斯·克莱默 ,  杰夫·金格勒

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F1/30 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21

摘要： 提供一种具有准静态漏极电压调整的功率放大器，所述功率放大器具有由氮化镓(GaN)制成的晶体管。在示范性方面，所述晶体管为具有源极、栅极和漏极的场效应晶体管(FET)。测试所述晶体管的工艺变异。基于检测到的工艺变异，微控制器可升高漏极电压以增加输出功率容量。所述功率放大器的功率容量按所述漏极电压的平方缩放，因此少量调整足以抵消慢速工艺拐点，同时维持可靠性。