公开(公告)号：CN100336196C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03823519.6

申请日：2003-09-26

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： E·内雷 ,  C·马勒维尔 ,  L·埃斯卡劳特

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76283

摘要： 本发明涉及一种用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺，通过转移技术获得该晶片，以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段：a)温度上升的第一个斜坡，是为了开始加热，b)第一次稳定停止，是为了稳定温度，c)温度上升的第二个斜坡，其特征在于在第二个斜坡期间，在称为低的第一温度范围之内温度上升的平均斜率具有第一值，然后在称为高的温度范围之内增加。

公开(公告)号：CN1879204B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200380110781.X

申请日：2003-12-03

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： E·内雷 ,  E·阿雷纳 ,  L·埃卡尔诺

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/302 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/76251

摘要： 本发明涉及一种降低半导体晶片自由面的粗糙度的工艺，所述工艺包括用于平滑所述自由面的单个退火步骤，所述单个退火步骤实施为纯氩气氛下的RTA，其特征在于，在RTA之前，以可控模式吹洗退火环境的气氛，以便于建立允许减少晶片上初步污染物的可控吹洗气氛。

公开(公告)号：CN1552095A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN02815864.4

申请日：2002-07-16

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： C·马勒维尔 ,  E·内雷

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及用于提高半导体材料晶片空表面条件的方法。所述方法包括存在于快速热退火的步骤以便于平滑所述空表面。本发明特征在于：所述方法包括：在快速热退火之前处理晶片的表面区以便于防止在快速热退火期间孔蚀的发生。且快速热退火工艺可以在非还原气氛下进行。本发明还涉及由所述方法制造的结构。

公开(公告)号：CN102017092A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115233.3

申请日：2009-07-31

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： M·布鲁卡特 ,  M·米热特 ,  S·莫利纳里 ,  E·内雷

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/76256 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了冲切结构(500)的方法，该结构(500)包括键合到第二晶片(300)的第一晶片(200)，该第一晶片(200)具有削边。该方法包括在包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第一深度(Pd1)以及距离该第一晶片(101)的边缘的第一宽度(ld1)上执行的第一冲切步骤(S4)。也在至少包含该第一晶片(101)的厚度(e1)的第二深度(Pd2)以及小于第一宽度(ld1)的第二宽度(ld2)上执行第二冲切步骤(S5)。

公开(公告)号：CN100550342C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200480044745.2

申请日：2004-12-28

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： N·本穆罕默德 ,  E·内雷 ,  D·德尔普拉

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明提出了一种用于确定将被转移到支撑衬底上的施主衬底部分的厚度的方法，所述部分在之后将受到包括至少一种操作的所选精整序列，该方法特征在于确定将被转移的最小厚度，以使所述转移部分：在精整序列的每个操作之后，呈现出小于所述最大密度的致命孔密度，以及一旦完成了整个精整序列就达到了所述的选择厚度。

公开(公告)号：CN1879204A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200380110781.X

申请日：2003-12-03

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： E·内雷 ,  E·阿雷纳 ,  L·埃卡尔诺

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/302 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/76251

摘要： 本发明涉及一种降低半导体晶片自由面的粗糙度的工艺，所述工艺包括用于平滑所述自由面的单个退火步骤，所述单个退火步骤实施为纯氩气氛下的RTA，其特征在于，在RTA之前，以可控模式吹洗退火环境的气氛，以便于建立允许减少晶片上初步污染物的可控吹洗气氛。

公开(公告)号：CN102017090A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115479.0

申请日：2009-07-31

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： M·布鲁卡特 ,  M·米热蒂 ,  S·莫利纳里 ,  E·内雷

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/76256

摘要： 本发明涉及冲切结构(500)的方法，该结构(500)包括键合到第二晶片(300)的第一晶片(200)，该第一晶片(200)具有倒角边。该方法包括在该第一晶片中的预定深度(Pd1)上通过机械加工执行冲切该第一晶片(200)的边缘的第一步骤(S4)。在所述第一冲切步骤之后，执行在该第一晶片的至少剩余厚度上非机械冲切的第二步骤(S5)。

公开(公告)号：CN100490070C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480005965.4

申请日：2004-03-01

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： E·内雷 ,  C·马勒维尔

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76259 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于处理多层晶片的环圈的工艺，该多层晶片通过层转移制成并包含选自半导体材料的材料，所述晶片至少包括在表面区和基层之间的中间层，其特征在于，所述工艺包括对晶片快速热退火，以通过晶片表面的所述表面区的层而造成对所述中间层的外围边缘的重叠和封装，由此在晶片的后续处理步骤期间预防对晶片所述中间层的外围部分的侵蚀。本发明还涉及相关的多层晶片。

公开(公告)号：CN101091242A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200480044745.2

申请日：2004-12-28

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： N·本穆罕默德 ,  E·内雷 ,  D·德尔普拉

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明提出了一种用于确定将被转移到支撑衬底上的施主衬底部分的厚度的方法，所述部分在之后将受到包括至少一种操作的所选精整序列，该方法特征在于确定将被转移的最小厚度，以使所述转移部分：在精整序列的每个操作之后，呈现出小于所述最大密度的致命孔密度，以及一旦完成了整个精整序列就达到了所述的选择厚度。

公开(公告)号：CN1685497A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03823519.6

申请日：2003-09-26

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

发明人： E·内雷 ,  C·马勒维尔 ,  L·埃斯卡劳特

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76283

摘要： 本发明涉及一种用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺，通过转移技术获得该晶片，以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段：a)温度上升的第一个斜坡，是为了开始加热，b)第一次稳定停止，是为了稳定温度，c)温度上升的第二个斜坡，其特征在于在第二个斜坡期间，在称为低的第一温度范围之内温度上升的平均斜率具有第一值，然后在称为高的温度范围之内增加。