-
公开(公告)号:CN106098658B
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201510422090.8
申请日:2015-07-17
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号: H01L21/486 , H01L23/295 , H01L23/296 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 一种半导体封装包含衬底、一组电组件、螺柱、锥形电互连件和封装体。所述电组件安置于所述衬底的顶表面上。所述螺柱的底表面安置于所述衬底的所述顶表面上。所述电互连件的底表面安置于所述螺柱的顶表面处。所述螺柱的宽度大于或等于所述电互连件的所述底表面的宽度。所述封装体安置于所述衬底的所述顶表面上,且包封所述电组件、所述螺柱和一部分所述电互连件。所述封装体暴露所述电互连件的顶表面。
-
公开(公告)号:CN106876292B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201710088191.5
申请日:2013-11-20
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L21/60 , H01L23/498 , H01L23/538
CPC分类号: H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/50 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/19 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L28/40 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/73209 , H01L2224/73259 , H01L2224/81005 , H01L2224/92133 , H01L2224/92224 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/00
摘要: 本公开内容的实施方式涉及封装装配件以及用于形成封装装配件的方法和合并封装装配件的系统。封装装配件可以包括衬底,该衬底包括诸如BBUL等的多个构建层。在各种实施方式中,电气布线构件可以被放置在衬底的外表面上。在各种实施方式中,主逻辑管芯和第二管芯或电容器可以被嵌入在所述多个构建层中。在各种实施方式中,电气路径可以被定义在所述多个构建层中,以便在第二管芯或电容器和电气布线构件之间传送电能或接地信号,这旁路了主逻辑管芯。
-
公开(公告)号:CN106664812B
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201580030530.3
申请日:2015-06-23
申请人: Z格鲁公司
CPC分类号: H01L22/34 , G01R31/2853 , G06F17/5077 , H01L22/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17177 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81908 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/15153 , H01L2924/1531 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 根据本文中的一些实例,一种系统包含基底芯片,所述基底芯片可包含用于将裸片附接到所述基底芯片的多个附接狭槽。所述附接狭槽中的一或多者可为可编程附接狭槽。所述基底芯片可进一步包含用于互连附接到所述基底芯片的所述裸片的电路。举例来说,所述基底芯片可包含多个纵横开关,所述纵横开关中的每一者与所述多个附接狭槽中的相应者相关联。所述基底芯片可进一步包含配置块,所述配置块适于接收及发射用于在将一或多个裸片附接到所述基底芯片时确定一或多个附接狭槽的被电连接信号线的测试信号,且进一步适于接收用于将所述纵横开关的信号(包含电力及接地)通道编程的配置数据。
-
公开(公告)号:CN107210240B
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201680007974.X
申请日:2016-02-01
申请人: 伊文萨思公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
摘要: 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中,第一基板具有第一表面,其中第一互连件位于所述第一表面上,第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面,所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁,并且介电层围绕所述导电衬圈。
-
公开(公告)号:CN106952879B
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201610638430.5
申请日:2016-08-05
申请人: 爱思开海力士有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L25/07 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/105 , H01L21/31058 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012
摘要: 本公开涉及包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法。提供了一种半导体封装结构和用于制造该半导体封装结构的方法。根据该方法,第一模具层被形成为覆盖第一半导体芯片和第一凸块。第一模具层的一部分被去除以暴露出所述第一凸块的顶部,并且第二凸块被设置成被连接到各个第一凸块。第二模具层被形成,并且所述第二模具层被凹进以形成具有设置在所述第一凸块上的所述第二凸块的贯通式模具连接器,所述贯通式模具连接器基本上穿透所述第二模具层。
-
公开(公告)号:CN105990375B
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201610137306.0
申请日:2016-03-10
申请人: 国际商业机器公司
CPC分类号: H01L27/144 , G02B6/00 , G02B6/12004 , G02B2006/12078 , G02B2006/12121 , G02B2006/12123 , H01L21/84 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/092 , H01L31/0304 , H01L31/184 , H01L31/1852 , H01S5/021 , H01S5/0261 , H01S5/3211 , H01S5/32316
摘要: 一种用于将光电子器件和硅器件形成在单个芯片上的方法。该方法可以包括:在单个芯片的第一区域和第二区域中形成硅衬底;将锗层形成在至少第一区域中的衬底之上;将光电子器件形成在第一区域中的锗层上,光电子器件具有顶部熔覆层、底部熔覆层以及有源区域,底部熔覆层处在半导体层上,有源区域邻近波导并且处在底部熔覆层上,顶部熔覆层处在有源区域上;以及将硅器件形成在第二区域中的硅层上。
-
公开(公告)号:CN106457383B
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201580026546.7
申请日:2015-04-10
申请人: 阿尔法装配解决方案公司
CPC分类号: H01L24/29 , B22F1/0003 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B22F7/04 , B22F2007/047 , B22F2301/255 , B22F2302/45 , B23K1/0016 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3601 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , B23K35/365 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01B1/22 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L51/5246 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/11003 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/131 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/13387 , H01L2224/1339 , H01L2224/13439 , H01L2224/1349 , H01L2224/13499 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27332 , H01L2224/27436 , H01L2224/27505 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32146 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/81075 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/8184 , H01L2224/81948 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83948 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/206 , H01L2924/2064 , H05K3/321 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/0493 , H01L2924/01004 , H01L2224/27 , H01L2924/01074 , H01L2224/81 , H01L2224/11436 , H01L2224/11 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要: 一种烧结粉末,其包含:具有从100nm至50μm的平均最长尺寸的第一类型的金属颗粒。
-
公开(公告)号:CN106898593B
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201611031782.0
申请日:2016-11-22
申请人: 东和株式会社
发明人: 竹内慎
IPC分类号: H01L23/498 , H01L25/10 , H01L21/98
CPC分类号: H01L25/105 , H01L23/3121 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1076 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,以提高构成PoP型半导体装置的下侧的半导体装置的生产率。在布线基板(2)的上表面设置多个布线(4)、相当于布线(4)的一端的焊接引线(5)、以及相当于布线(4)的另一端的焊盘(6)。在布线基板(2)的中央部安装半导体芯片(3)。使用焊线将半导体芯片(3)的电极垫(11)和焊接引线(5)电连接。在各焊盘(6)上分别设置焊球(13)。在布线基板(2)的上表面设置密封树脂(14),该密封树脂(14)覆盖半导体芯片(3)、多个布线(4)、焊线(12)、焊球(13)等。在密封树脂(14)中设置使焊球(13)的上部露出的连续槽(15)。通过将在下侧的半导体装置(1)上设置的焊球(13)和在上侧的半导体装置上设置的焊球电连接,来制造PoP型半导体装置。
-
公开(公告)号:CN106206488B
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201610365386.5
申请日:2016-05-27
申请人: 钰桥半导体股份有限公司
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/4817 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/8314 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06558 , H01L2225/06572 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/37001 , H01L2224/83 , H01L2224/81
摘要: 本发明提出一种面朝面半导体组体。第一及第二半导体元件面朝面地接置于第一路由电路的两相反侧上,并通过第一路由电路电性连接至互连板。该互连板具有散热座及第二路由电路,该散热座可提供第二半导体元件散热的途径,而形成于散热座上的第二路由电路则电性耦接至第一路由电路。由此,第一路由电路可对第一及第二半导体元件提供初级的扇出路由,而第二路由电路则对第一路由电路提供进一步的扇出线路结构。
-
公开(公告)号:CN105990205B
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201510096614.9
申请日:2015-03-04
申请人: 东芝存储器株式会社
CPC分类号: G01B11/26 , G01B11/272 , G08B21/086 , H01L21/681 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2224/16145 , H01L2224/75702 , H01L2224/75753 , H01L2224/75804 , H01L2224/75901 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/8116 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81205 , H01L2224/81908 , H01L2225/06513 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014
摘要: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。本发明的实施方式通过减少积层芯片间的位置偏移量而改善积层芯片的良率,从而削减成本。实施方式的半导体装置的制造方法包括:获取第1半导体芯片的位置的步骤;及将第2半导体芯片安装在所述第1半导体芯片上的步骤。该半导体装置的制造方法还包括:获取所述第2半导体芯片的位置的步骤;计算第1偏移量的步骤,所述第1偏移量是所述第1半导体芯片的位置与所述第2半导体芯片的位置的偏移量;及进行所述第1偏移量是否为第1范围内的第1判定的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-