-
公开(公告)号:CN118073557A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202311454412.8
申请日:2023-11-03
IPC: H01M4/38 , H01M4/46 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明的实施方案提供一种锂二次电池用负极活性物质。锂二次电池用负极活性物质包含多个硅基活性物质颗粒,所述硅基活性物质颗粒掺杂有金属元素且包含孔,对多个硅基活性物质颗粒中的10个彼此不同的硅基活性物质颗粒分别测量的孔隙率值的平均值为0.2‑9.0%。硅基活性物质颗粒中包含规定范围的金属元素和孔,因此可以改善锂二次电池的容量特性、充放电效率和寿命特性。
-
公开(公告)号:CN114380339A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202111221080.X
申请日:2021-10-20
Applicant: SK新技术株式会社
IPC: C01G53/00 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052
Abstract: 根据本发明的实施方案的正极活性物质包括锂复合氧化物颗粒,所述锂复合氧化物颗粒具有其中聚集有多个一次颗粒的二次颗粒形式,其中所述一次颗粒分别包括锂离子扩散通过的锂传导路径。其中所述一次颗粒包括第一颗粒,并且所述第一颗粒具有由从所述第一颗粒的中心至所述锂复合氧化物颗粒的中心的方向与包含于所述第一颗粒中的锂传导路径的方向所形成的45°至90°的夹角,其中位于所述锂复合氧化物颗粒表面上的一次颗粒中的所述第一颗粒的数量的比率为20%以上。
-
公开(公告)号:CN111225934A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201880049559.X
申请日:2018-07-02
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体和显示器的制造工艺的具有新结构的聚合物、包含该聚合物的用于半导体和显示器的制造工艺的下层膜组合物以及利用该下层膜组合物制造半导体元件的方法,更具体地,本发明的新型聚合物具有优化的蚀刻选择比和平坦化特性以及优异的耐热性,因此包含该聚合物的下层膜组合物可以在半导体多层光刻工艺中用作硬掩膜。
-
公开(公告)号:CN118016874A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202311260033.5
申请日:2023-09-27
IPC: H01M4/58 , H01M10/058 , H01M10/052 , B82Y30/00
Abstract: 本公开的实施例提供一种锂二次电池用正极活性物质。根据示例性实施例的锂二次电池用正极活性物质包括:锂金属磷氧化物颗粒,其通过X射线衍射(X‑ray diffraction,XRD)分析测量的向(020)面方向的晶粒尺寸为150nm至450nm。
-
公开(公告)号:CN118156484A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202310817894.2
申请日:2023-07-05
IPC: H01M4/48 , H01M4/587 , H01M4/36 , H01M4/04 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的实施方案提供一种锂二次电池用正极活性物质。锂二次电池用正极活性物质包含多个复合颗粒,所述复合颗粒包含锂金属磷氧化物颗粒以及形成在锂金属磷氧化物颗粒的表面的至少一部分上的碳涂层,其中,通过X射线光电子能谱法(XPS)对多个复合颗粒中的5个彼此不同的复合颗粒分别测量的碳涂层的厚度值的标准偏差为15nm以下。通过均匀地形成碳涂层,可以提高正极活性物质的电导率,并且可以改善锂二次电池的功率特性。
-
公开(公告)号:CN118073540A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202310738696.7
申请日:2023-06-21
IPC: H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/58 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种锂二次电池用正极活性物质及含其的锂二次电池。锂二次电池用正极包括锂金属氧化物颗粒,锂金属氧化物颗粒包括含磷酸铁锂系化合物且掺杂Ti或V的核及形成于所述核上的碳涂层。正极活性物质的通过拉曼光谱分析法测量的对应于PO4的峰的强度与D带的强度之比具有预定范围。因此可提供结构稳定性、高温稳定性及循环特性提高,具有高容量及高输出特性的正极。
-
-
-
-
-