公开(公告)号：CN110998446B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880049505.3

申请日：2018-07-04

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开致新株式会社

Inventor： 郑旼镐 ,  金喆禹 ,  咸珍守 ,  金仙珠 ,  朴明俊 ,  李濫揆 ,  李慧秀

IPC: G03F7/09 ,  C08G12/26

Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物。更具体地，本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物，其能够减轻光刻胶层的基板上的曝光光和照射光的反射，所述光刻胶层在制造半导体设备的光刻工艺中涂布在基板上；以及包含所述底部抗反射涂层形成用聚合物的底部抗反射涂层形成用组合物。

公开(公告)号：CN118834330A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202311242666.3

申请日：2023-09-25

Applicant: SK新技术株式会社 ,  爱思开致新株式会社

Inventor： 罗盛载 ,  朴明俊 ,  朴孝承 ,  白埈源

IPC: C08F255/02 ,  C08F236/20

Abstract: 本发明涉及一种在溶液状态下利用自由基引发剂制备改性丙烯基聚合物的方法及通过所述方法制备的改性丙烯基聚合物。通过根据一个具体实施方案的方法制备的改性丙烯基聚合物中的二甲苯可溶物含量少，并且均匀地包含长支链(LCB)，因此可以改善加工性和生产性。

公开(公告)号：CN110998446A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880049505.3

申请日：2018-07-04

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK ,  综合化学株式会社

Inventor： 郑旼镐 ,  金喆禹 ,  咸珍守 ,  金仙珠 ,  朴明俊 ,  李濫揆 ,  李慧秀

IPC: G03F7/09 ,  C08G12/26

Abstract: 本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物和包含其的底部抗反射涂层形成用组合物。更具体地，本发明涉及一种底部抗反射涂层形成用聚合物，其能够减轻光刻胶层的基板上的曝光光和照射光的反射，所述光刻胶层在制造半导体设备的光刻工艺中涂布在基板上；以及包含所述底部抗反射涂层形成用聚合物的底部抗反射涂层形成用组合物。