公开(公告)号：CN106373877A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610592934.8

申请日：2016-07-25

申请人： SPTS科技有限公司

发明人： 约翰·诺伊曼 ,  凯尔·S·勒布伊茨

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67069

摘要： 根据本发明，提供了一种干法气相化学蚀刻结构的方法，包括以下步骤：将该结构放置在蚀刻室中，该结构包括第一材料和第二材料，其中，第一材料选自硅、钼、锗、SiGe和钨，第二材料是二氧化硅或硅氮化物，并且第一材料的至少一个表面是露出的，以便能与气相化学蚀刻剂接触；以及用惰性气体氟化物或卤素氟化物气相化学蚀刻剂蚀刻第一材料；该方法进一步包括使蚀刻室暴露于水蒸气的步骤，使得蚀刻第一材料的步骤在水蒸气的存在下执行。

公开(公告)号：CN106373877B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201610592934.8

申请日：2016-07-25

申请人： SPTS科技有限公司

发明人： 约翰·诺伊曼 ,  凯尔·S·勒布伊茨

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/67

摘要： 根据本发明，提供了一种干法气相化学蚀刻结构的方法，包括以下步骤：将该结构放置在蚀刻室中，该结构包括第一材料和第二材料，其中，第一材料选自硅、钼、锗、SiGe和钨，第二材料是二氧化硅或硅氮化物，并且第一材料的至少一个表面是露出的，以便能与气相化学蚀刻剂接触；以及用惰性气体氟化物或卤素氟化物气相化学蚀刻剂蚀刻第一材料；该方法进一步包括使蚀刻室暴露于水蒸气的步骤，使得蚀刻第一材料的步骤在水蒸气的存在下执行。