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公开(公告)号：CN118231242A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311118206.X
申请日：2023-08-31
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32 , H01J37/04
摘要： 本申请涉及一种用于等离子体蚀刻介电衬底的方法及设备。
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公开(公告)号：CN118098955A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311143182.3
申请日：2023-09-05
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/02 , C23C14/35 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/67
摘要： 根据本发明，提供一种操作PVD设备以在半导体衬底上形成的导电特征上执行清洁步骤及沉积步骤的方法，所述方法包括以下步骤：提供PVD设备，其包括腔室，所述腔室具有衬底支撑件、靶、用于将RF偏压施加到所述衬底支撑件的RF偏压信号供应器及用于将电信号供应到所述靶的电信号供应器；将其上具有导电特征的所述半导体衬底定位在所述衬底支撑件上；通过将至少一种惰性气体引入所述腔室、将RF偏压施加到所述衬底支撑件及将具有相关联的电功率的电信号供应到所述靶来执行清洁步骤；及通过在所述清洁步骤期间不向所述衬底支撑件施加RF偏压或施加小于施加到所述衬底支撑件的所述RF偏压的RF偏压及将具有相关联的电功率的电信号供应到所述靶来执行沉积步骤。
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公开(公告)号：CN112176300B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010391351.5
申请日：2020-05-11
申请人： SPTS科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种沉积设备和相关联的方法。根据本发明，提供了一种用于将材料沉积到衬底上的磁控管溅射设备，所述磁控管溅射设备包括：腔室，所述腔室包括衬底支撑件和靶材；等离子体产生装置，所述等离子体产生装置被配置成在所述腔室内产生适用于将材料从所述靶材溅射到所述衬底上的等离子体；以及导热栅格，所述导热栅格包括多个单元，其中每个单元包括孔口，并且其中所述单元的高度与所述孔口的宽度的比率小于1.0，并且其中所述栅格安置于所述衬底支撑件与所述靶材之间，并且基本上平行于所述靶材，并且所述衬底支撑件的上表面定位于距所述靶材的下表面75mm或更小的距离处。
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公开(公告)号：CN110835748B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910762234.2
申请日：2019-08-19
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/513 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积氮化硅的方法，该方法包括以下步骤：提供一种PECVD设备，所述PECVD设备包括腔室和设置在该腔室内的衬底支撑件；将衬底设置在该衬底支撑件上；将氮气(N2)前体引入到该腔室中；施加高频(HF)RF功率和低频(LF)RF功率以在该腔室中持续产生等离子体；在施加所述HF RF功率和所述LF RF功率的同时，将硅烷前体引入到该腔室中，使得该硅烷前体持续形成所述等离子体的一部分；以及随后，在继续维持所述等离子体的同时，去除LF RF功率或减少至少90％的LF RF功率，使得通过PECVD将氮化硅沉积到衬底上。本发明还涉及用于将氮化硅沉积到衬底上的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备。
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公开(公告)号：CN108987342B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201810568915.0
申请日：2018-06-05
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/3065
摘要： 根据本发明，提供了一种在附接有背面金属层的硅衬底中等离子体蚀刻一个或多个切割通道的方法，该方法包括以下步骤：使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行主蚀刻，以产生具有圆齿形侧壁的切割通道；和切换到使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行第二蚀刻，直到达到背面金属层，其中，在第二蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅量是在主蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅的量的一半或者更少。本发明还提供了一种对附接有背面金属层的硅衬底进行等离子体切割的方法。
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公开(公告)号：CN116065121A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211319247.0
申请日：2022-10-26
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/35 , C23C14/50 , H01L21/768
摘要： 本申请案的实施例涉及一种PVD方法及设备。根据本发明，提供一种通过物理气相沉积PVD将沉积材料沉积到形成在衬底中的多个凹槽中的方法，所述方法包括以下步骤：将所述衬底定位在衬底支撑件的衬底支撑上表面上，其中永磁体布置定位于所述衬底支撑上表面下方，使得永磁体安置在所述衬底下方；及通过从磁控管装置的目标溅射溅射材料而将所述沉积材料沉积到形成在所述衬底中的所述凹槽中；其中，在沉积所述沉积材料的所述步骤期间，所述永磁体布置提供跨所述衬底的表面的大体上均匀的横向磁场，所述横向磁场延伸到所述衬底的外围以外的区，以增强沉积到所述凹槽中的沉积材料的再溅射。
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公开(公告)号：CN115394629A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210254222.0
申请日：2022-03-15
申请人： SPTS科技有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及衬底上的临时钝化层。衬底包含表面上的金属组件。使用分子层沉积在所述表面上沉积聚合物层。所述聚合物层包含金属锥并且具有从1nm到20nm的厚度。所述聚合物层在室温下是稳定的，但在高温下将经历结构变化。所述聚合物层可经退火以引起结构变化，所述结构变化可在焊接期间发生。
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公开(公告)号：CN106373877B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201610592934.8
申请日：2016-07-25
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
摘要： 根据本发明，提供了一种干法气相化学蚀刻结构的方法，包括以下步骤：将该结构放置在蚀刻室中，该结构包括第一材料和第二材料，其中，第一材料选自硅、钼、锗、SiGe和钨，第二材料是二氧化硅或硅氮化物，并且第一材料的至少一个表面是露出的，以便能与气相化学蚀刻剂接触；以及用惰性气体氟化物或卤素氟化物气相化学蚀刻剂蚀刻第一材料；该方法进一步包括使蚀刻室暴露于水蒸气的步骤，使得蚀刻第一材料的步骤在水蒸气的存在下执行。
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公开(公告)号：CN111945110A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010378350.7
申请日：2020-05-07
申请人： SPTS科技有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及沉积方法。本公开的一些实施例公开了一种溅射沉积含添加剂的氮化铝薄膜的方法，所述含添加剂的氮化铝薄膜含有选自钪或钇的添加剂元素，所述方法包括以下步骤：通过脉冲DC反应溅射将含添加剂的氮化铝薄膜的第一层沉积到设置在腔室内的衬底上；以及通过脉冲DC反应溅射在第一层上沉积含添加剂的氮化铝薄膜的第二层，第二层具有与第一层相同的成分。
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公开(公告)号：CN111809206A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010244783.3
申请日：2020-03-31
申请人： SPTS科技有限公司
摘要： 本发明提供用于处理衬底的设备及方法。根据一个实施例，用于电化学处理半导体衬底的设备包括：处理腔室，其具有可密封到半导体衬底的外围部分以便于界定覆盖处理体积的类型；衬底支撑件，其用于支撑所述半导体衬底；磁性布置，其安置在所述处理腔室的外部，所述磁性布置产生磁场；控制器，其用于控制所述磁性布置以便改变所述磁场；及搅拌器，其安置在所述处理腔室内，所述搅拌器包括磁性响应元件，所述磁性响应元件响应于所述磁性布置的所述磁场的改变以便向所述搅拌器提供往复运动。
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