公开(公告)号：CN101675501A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880002035.1

申请日：2008-01-10

申请人： ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 ,  恩智浦半导体

发明人： 马库斯·慕勒 ,  格里高利·比达尔

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明涉及一种形成场效应晶体管的方法，该场效应晶体包括形成在绝缘层上的栅极(G)，在与绝缘层接触的区域中该栅极具有在栅极(G)长度上的半导体中心区域(50)和横向区域(48)，该方法包括形成栅极(G)，该栅极包括绝缘层部分(32)、形成在绝缘层(32)上方的半导体层部分、和形成在半导体层上方的掩模层部分；执行掩模层部分的蚀刻以便在栅极(G)的中心只留下一部分；和使半导体栅极与沉积在栅极上方的金属起反应。

公开(公告)号：CN101675501B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200880002035.1

申请日：2008-01-10

申请人： ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 ,  恩智浦半导体

发明人： 马库斯·慕勒 ,  格里高利·比达尔

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明涉及一种形成场效应晶体管的方法，该场效应晶体包括形成在绝缘层上的栅极(G)，在与绝缘层接触的区域中该栅极具有在栅极(G)长度上的半导体中心区域(50)和横向区域(48)，该方法包括形成栅极(G)，该栅极包括绝缘层部分(32)、形成在绝缘层(32)上方的半导体层部分、和形成在半导体层上方的掩模层部分；执行掩模层部分的蚀刻以便在栅极(G)的中心只留下一部分；和使半导体栅极与沉积在栅极上方的金属起反应。