公开(公告)号：CN105336587B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201410268654.2

申请日：2014-06-17

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 三重野文健

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78663 ,  H01L31/1055

摘要： 公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的实施例，利用包括由交替的第一材料层和第二材料层构成的叠层的半导体鳍，在半导体器件的沟道中诱发应力，从而能够有效地实施应变finFET。此外，可选地，利用设置于第二材料层的横向凹进的空间中的绝缘体，可以形成隔离的finFET结构，从而能够更加有效地在半导体器件的沟道中诱发应力，进一步提高半导体器件性能。

公开(公告)号：CN103594346A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210291312.3

申请日：2012-08-16

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 鲍宇

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66568 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4983

摘要： 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和第一硬掩膜层；图案化栅极区域的所述第一硬掩膜层，并暴露栅极区域的所述多晶硅层；对所述栅极区域的多晶硅层执行一次或多次功函数调整离子注入；在所述栅极区域的多晶硅层上形成第二硬掩膜层；依次去除所述第一硬掩膜、栅极区域以外的所述多晶硅层和所述第二硬掩膜层，形成具有横向可变的功函数的栅极；执行形成源极和漏极的步骤。解决了现有技术中沟道区上的栅电极的不充分电控电平的问题，并可以有效提高半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN102117831B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200910249095.X

申请日：2009-12-31

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 尹海洲 ,  骆志炯 ,  朱慧珑

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： 本发明为一种晶体管，其包括具有沟道区的基底；位于该基底沟道区两端的源区和漏区；界于所述源区和漏区之间的该沟道区上方基底顶层的栅极高K介质层；位于该栅极高K介质层下面的界面层，该界面层第一部分靠近源极，第二部分靠近漏极，且第一部分的等效氧化层厚度大于第二层。非对称替代的金属栅形成非对称界面层，在漏极侧较薄而在源极侧较厚。在较薄的漏极侧，短沟道效应比较重要，非对称的界面层有利于控制短沟道效应；在较厚的源极侧，载流子迁移率对器件影响较大，非对称的界面层可以避免载流子迁移速率下降。此外，非对称替代的金属栅也可以形成非对称的金属功函数。

公开(公告)号：CN101675501B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200880002035.1

申请日：2008-01-10

申请人： ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 ,  恩智浦半导体

发明人： 马库斯·慕勒 ,  格里高利·比达尔

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明涉及一种形成场效应晶体管的方法，该场效应晶体包括形成在绝缘层上的栅极(G)，在与绝缘层接触的区域中该栅极具有在栅极(G)长度上的半导体中心区域(50)和横向区域(48)，该方法包括形成栅极(G)，该栅极包括绝缘层部分(32)、形成在绝缘层(32)上方的半导体层部分、和形成在半导体层上方的掩模层部分；执行掩模层部分的蚀刻以便在栅极(G)的中心只留下一部分；和使半导体栅极与沉积在栅极上方的金属起反应。

公开(公告)号：CN102138217A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980133735.9

申请日：2009-06-26

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： D·法姆 ,  B-Y·恩古云

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/42372

摘要： 一种半导体器件，包括第一导电类型和第一掺杂浓度的半导体层。第一导电类型的被用作漏极的第一半导体区域具有比半导体层低的掺杂浓度并在半导体层之上。栅极电介质(109)在第一半导体区域之上。栅极电介质之上的栅电极(405)具有包含金属的中心部分(407)和在中心部分的相对侧的第一和第二硅部分(401、403)。第二导电类型的被用作沟道的第二半导体区域具有在第一硅部分和栅极电介质下面的第一部分。第一导电类型的被用作源极的第三半导体区域横向地邻近于第二半导体区域的第一部分。取代硅的包含金属的中心部分增加源极至漏极击穿电压。

公开(公告)号：CN101536153B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200780041125.7

申请日：2007-10-25

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 赫尔本·多恩博斯 ,  拉杜·苏尔代亚努

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28132 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/78

摘要： 一种制造具有多个材料的FET栅极的方法，包括沉积虚设区域(8)，其后通过保形沉积每个金属层构成的一个层且其后进行各向异性的回蚀以留下虚设区域的侧面(10)上的金属层从而在栅极电介质(6)上形成多个金属层(16，18，20)。其后，去除虚设区域以留下金属层(16，18，20)作为栅极电介质(6)上的栅极。

公开(公告)号：CN102117831A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910249095.X

申请日：2009-12-31

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 尹海洲 ,  骆志炯 ,  朱慧珑

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： 本发明为一种晶体管，其包括具有沟道区的基底；位于该基底沟道区两端的源区和漏区；界于所述源区和漏区之间的该沟道区上方基底顶层的栅极高K介质层；位于该栅极高K介质层下面的界面层，该界面层第一部分靠近源极，第二部分靠近漏极，且第一部分的等效氧化层厚度大于第二层。非对称替代的金属栅形成非对称界面层，在漏极侧较薄而在源极侧较厚。在较薄的漏极侧，短沟道效应比较重要，非对称的界面层有利于控制短沟道效应；在较厚的源极侧，载流子迁移率对器件影响较大，非对称的界面层可以避免载流子迁移速率下降。此外，非对称替代的金属栅也可以形成非对称的金属功函数。

公开(公告)号：CN101924035A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200910167343.6

申请日：2009-08-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶明熙 ,  林舜武 ,  陈启群 ,  陈嘉仁 ,  陈薏新 ,  陈建豪 ,  赵元舜 ,  黄国宾

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28105 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/401

摘要： 本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，硬掩模层包含高介电常数的介电材料。在另一实施例中，保护层形成于光致抗蚀剂图案下。在剥除光致抗蚀剂的步骤中，保护层可保护基板上的一层或多层结构。与公知技术相较，上述方法改善光致抗蚀剂层的附着力。公知干灰化和/或湿蚀刻等工艺在移除光致抗蚀剂层和/或硬掩模层时，可能损伤金属栅极和/或高介电常数的栅极介电层的问题可通过上述方法改善。

公开(公告)号：CN100527437C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200580010856.6

申请日：2005-03-28

申请人： 英特尔公司

发明人： B·多伊尔 ,  S·A·哈尔兰德 ,  M·多茨 ,  R·仇

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： 一种晶体管包括在形成于衬底上的栅电介质层上形成的栅电极。在栅电极的横向相对侧壁的相对侧上的衬底中形成一对源/漏区。栅电极具有形成于栅电介质层上和源区与漏区之间的衬底区上方的中心部分，以及与一部分源/漏区重叠的一对侧壁部分，其中中心部分具有第一功函数，并且所述侧壁部分对具有第二功函数，其中第二功函数与第一功函数不同。

公开(公告)号：CN100481504C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610080109.6

申请日：2006-04-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明公开了一种MOS晶体管、CMOS集成电路器件及相关制造方法，其中本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。