公开(公告)号：CN101100639A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610171911.6

申请日：2006-07-05

申请人： ST微电子公司

发明人： O·德萨迦赞 ,  M·德诺埃尔

IPC分类号： C12M3/00 ,  C12Q1/04 ,  G01N1/28

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0361 ,  Y10S438/911

摘要： 一种制造包括一片测微齿棱的装置的方法，包括以下步骤：在载体上形成多晶层；使用包括氯气和氦气的气体混合物各向异性等离子体刻蚀全部或部分多晶层，由此在多晶层表面形成齿棱。

公开(公告)号：CN101100639B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200610171911.6

申请日：2006-07-05

申请人： ST微电子公司

发明人： O·德萨迦赞 ,  M·德诺埃尔

IPC分类号： C12M3/00 ,  C12Q1/04 ,  G01N1/28

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0361 ,  Y10S438/911

摘要： 一种制造包括一片测微齿棱的装置的方法，包括以下步骤：在载体上形成多晶层；使用包括氯气和氦气的气体混合物各向异性等离子体刻蚀全部或部分多晶层，由此在多晶层表面形成齿棱。