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公开(公告)号:CN1119792A
公开(公告)日:1996-04-03
申请号:CN95104524.5
申请日:1995-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/38
Abstract: 一种制造环行器的方法包括步骤为:在至少一片绝缘铁磁材料上,形成由以温度等于或小于绝缘铁磁材料烧结完成温度热分解的材料制成的空内导体,叠层多个绝缘铁磁材料的片,以致至少一个绝缘铁磁材料片覆盖形成在片上的空内导体,熔烧叠层的绝缘铁磁材料片,以形成在单个连续体中的绝缘铁材料体和形成在由空内导体占据部分处的内导体槽,用压力把导电胶注入在绝缘铁磁材料体中的槽,和焙烧绝缘材料体,以形成在绝缘铁磁体中的内导体。
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公开(公告)号:CN1164000C
公开(公告)日:2004-08-25
申请号:CN00102386.1
申请日:2000-02-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M2/1673 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M6/181 , H01M6/188 , H01M10/0525 , H01M10/0565 , H01M10/0585 , H01M2300/0085 , Y10T29/49108 , Y10T29/4911 , Y10T29/49114 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种二次电池的制造方法。该方法包括下列步骤:提供正极、负极和多孔膜;将上述正极和上述负极与上述多孔膜并置,并把上述正极的一部分和上述负极的一部分固定到上述多孔膜上;将上述正极、负极和多孔膜浸入电解液中,以及通过加压将上述正极、负极和多孔膜结合成一体。用该方法可低价且简易地制造轻质和薄型的聚合物二次电池。
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公开(公告)号:CN1038283C
公开(公告)日:1998-05-06
申请号:CN95104524.5
申请日:1995-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/38
Abstract: 一种制造环行器的方法包括步骤为:在至少一片绝缘铁磁材料上,形成由以温度等于或小于绝缘铁磁材料烧结完成温度热分解的材料制成的空内导体,叠层多个绝缘铁磁材料的片,以致至少一个绝缘铁磁材料片覆盖形成在片上的空内导体,熔烧叠层的绝缘铁磁材料片,以形成在单个连续体中的绝缘铁材料体和形成在由空内导体占据部分处的内导体槽,用压力把导电胶注入在绝缘铁磁材料体中的槽,和焙烧绝缘材料体,以形成在绝缘铁磁体中的内导体。
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公开(公告)号:CN1057984C
公开(公告)日:2000-11-01
申请号:CN94105815.8
申请日:1994-05-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/00
CPC classification number: C04B35/497 , H01B3/12 , H01G4/1254
Abstract: 含有以(Pb1-zCaz)(WsFetNbu)O3为主相的介电陶瓷材料,其中s+t+u=10.01≤s≤0.20.5≤t≤0.60.2≤u≤0.490.3≤z≤0.9可以得到低温烧结性良好,微波频率中的谐振频率的温度变化率小,介电常数和Q·f值大的介电陶磁材料。
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公开(公告)号:CN1265524A
公开(公告)日:2000-09-06
申请号:CN00102386.1
申请日:2000-02-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M2/1673 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M6/181 , H01M6/188 , H01M10/0525 , H01M10/0565 , H01M10/0585 , H01M2300/0085 , Y10T29/49108 , Y10T29/4911 , Y10T29/49114 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种二次电池的制造方法,包括下列步骤:提供正极、负极和多孔膜;将上述正极和上述负极与上述多孔膜并置,并把上述正极的一部分和上述负极的一部分固定到上述多孔膜上;将上述正极、负极和多孔膜浸入电解液中,以及通过加压将上述正极、负极和多孔膜结合成一体。用该方法可低价且简易地制造轻质和薄型的聚合物二次电池。
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公开(公告)号:CN1102631A
公开(公告)日:1995-05-17
申请号:CN94105815.8
申请日:1994-05-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/00
CPC classification number: C04B35/497 , H01B3/12 , H01G4/1254
Abstract: 含有以(Pb1-zCaz)(WsFetNbu)O3为主相的介电陶瓷材料,其中s+t+u=10.01≤s≤0.20.5≤t≤0.60.2≤u≤0.490.3≤z≤0.9,可以得到低温烧结性良好,微波频率中的谐振频率的温度变化率小,介电常数和Q·f值大的介电陶磁材料。
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