复合配线基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1968569A

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:CN200610147049.5

    申请日:2006-11-13

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明在组合陶瓷基板和树脂层的复合配线基板中,实现制造工序的简化的同时,实现尺寸精度和平面度的提高。复合配线基板具有:陶瓷基板(1);与陶瓷基板(1)的至少一方的面接触而设置的树脂层(3);以及贯通树脂层(3)的烧结金属导体(6)。制造复合配线基板的方法具有:在具有收缩抑制效果的薄片上形成的贯通孔内填充导电糊料得到导体形成用薄片的工序;在叠加导体形成用薄片和基板用生片的状态下进行烧成,得到在表面具有烧结金属导体的陶瓷基板的工序;从陶瓷基板表面除去具有收缩抑制效果的薄片的烧成物的工序;以及在陶瓷基板表面形成树脂层的工序。作为具有收缩抑制效果的薄片,可以使用收缩抑制用生片或包含碳酸钙的薄片。

    玻璃和使用该玻璃的陶瓷基片

    公开(公告)号:CN1127456C

    公开(公告)日:2003-11-12

    申请号:CN97102688.2

    申请日:1997-02-27

    CPC classification number: C03C14/004 C03C3/091 C03C8/02 C03C8/14

    Abstract: 一种用于陶瓷基片的硼硅酸盐玻璃组合物,其组成为:55~67mol%的SiO2,3~11mol%的Al2O3、16~26mol%的B2O3和3~11mol%的至少一种选自SrO、CaO、MgO和ZnO组成的组中的氧化物。由于使与潮湿空气接触的玻璃上形成的原硼酸的量最小化,所以这种玻璃在陶瓷基片的制造中很少产生问题。使用这种玻璃和填料的陶瓷组合物可以在低温下烧结成基片,特点在于低的介电常数、低的介电损耗因子和高的弯曲强度。

    玻璃和使用该玻璃的陶瓷基片

    公开(公告)号:CN1165117A

    公开(公告)日:1997-11-19

    申请号:CN97102688.2

    申请日:1997-02-27

    CPC classification number: C03C14/004 C03C3/091 C03C8/02 C03C8/14

    Abstract: 一种用于陶瓷基片的硼硅酸盐玻璃组合物,其组成为:55~67mol%的SiO2,3~11mol%的Al2O3、16~26mol%的B2O3和3~11mol%的至少一种选自SrO、CaO、MgO和ZnO组成的组中的氧化物。由于使与潮湿空气接触的玻璃上形成的原硼酸的量最小化,所以这种玻璃在陶瓷基片的制造中很少产生问题。使用这种玻璃和填料的陶瓷组合物可以在低温下烧结成基片,特点在于低的介电常数、低的介电损耗因子和高的弯曲强度。

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