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公开(公告)号：CN102442825B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110309878.X
申请日：2011-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/468 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2004/52 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/767
Abstract: 六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法，一种六方晶系钛酸钡粉末，其以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，所述M的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内，所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。
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公开(公告)号：CN102731089A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210087451.4
申请日：2012-03-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/79 , C04B2235/81 , H01G4/1227
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器，更具体地，涉及BaTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用其的层叠型半导体陶瓷电容器。其目的在于提供通过提高半导体陶瓷部分的绝缘性，从而可兼具作为半导体陶瓷的高介电特性和高绝缘电阻的层叠型半导体陶瓷电容器。本发明所述的BaTiO3系半导体陶瓷，其特征在于，其由BaA(Ti1-α-βGaαNbβ)BO3所示，A/B摩尔比在0.900以上且1.060以下的范围，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围。
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公开(公告)号：CN102557616B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110295565.3
申请日：2011-09-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: C01G23/006 , C01P2002/54 , C01P2002/76 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C04B35/4682 , C04B35/6265 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2235/767 , C04B2235/79 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明的技术问题是提供作为微粒、具有均一的粒度、能够有助于电介质层的薄层化的六方晶系钛酸钡粉末。其解决方案是：本发明的六方晶系钛酸钡粉末的特征在于：其最大粒径为1.0μm以下，90%累积粒径（D90）与50%累积粒径（D50）之比（D90/D50）为3.0以下，六方晶化率为50%以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119495510A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410898091.9
申请日：2024-07-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物及电子部件。该电介质组合物包含主相颗粒和偏析颗粒，偏析颗粒的至少一部分为含有Ba、Mg、Si及O的Ba‑Mg‑Si‑O偏析颗粒，将Ba‑Mg‑Si‑O偏析颗粒中的金属元素及Si的合计设为100摩尔份时，Ba‑Mg‑Si‑O偏析颗粒中的Ba、Mg及Si的合计为70摩尔份以上。
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公开(公告)号：CN102557616A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110295565.3
申请日：2011-09-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , H01G4/12
CPC classification number: C01G23/006 , C01P2002/54 , C01P2002/76 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C04B35/4682 , C04B35/6265 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2235/767 , C04B2235/79 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明的技术问题是提供作为微粒、具有均一的粒度、能够有助于电介质层的薄层化的六方晶系钛酸钡粉末。其解决方案是：本发明的六方晶系钛酸钡粉末的特征在于：其最大粒径为1.0μm以下，90%累积粒径（D90）与50%累积粒径（D50）之比（D90/D50）为3.0以下，六方晶化率为50%以上。
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公开(公告)号：CN102442825A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110309878.X
申请日：2011-09-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/468 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2004/52 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/767
Abstract: 六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法，一种六方晶系钛酸钡粉末，其以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，所述M的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内，所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。
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公开(公告)号：CN119495509A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410897999.8
申请日：2024-07-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物及电子部件。该电介质组合物包含主相颗粒和偏析颗粒，偏析颗粒的至少一部分为含有RE元素、Mg、Ti及O的RE‑Mg‑Ti‑O偏析颗粒，RE元素为稀土元素，将RE‑Mg‑Ti‑O偏析颗粒中所含的金属元素的合计设为100摩尔份时，RE‑Mg‑Ti‑O偏析颗粒中所含的RE元素、Mg及Ti的合计为70摩尔份以上，RE‑Mg‑Ti‑O偏析颗粒中的Mg相对于RE元素及Mg的合计的比率为0.1～0.3。
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