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公开(公告)号:CN110323021B
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN201910249479.5
申请日:2019-03-29
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01F1/057
摘要: 本发明提供一种相对降低了重稀土元素的使用量且磁特性优异R‑T‑B系永久磁铁。R‑T‑B系永久磁铁中,R为稀土元素,T为铁族元素,B为硼。R‑T‑B系永久磁铁含有重稀土元素。包括:包含R2T14B晶相的主相颗粒和形成于主相颗粒之间的晶界。在晶界中包含R、O、C和N的浓度均高于主相颗粒内的浓度的R‑O‑C‑N浓缩部。在将存在于R‑T‑B系永久磁铁的表面的R‑O‑C‑N浓缩部中的C/R比(原子数比)设为C/R(S)、将存在于R‑T‑B系永久磁铁的中央的R‑O‑C‑N浓缩部中的C/R比(原子数比)设为C/R(C)时,满足C/R(S)>C/R(C)。
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公开(公告)号:CN110036452B
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN201780074306.3
申请日:2017-11-30
申请人: TDK株式会社
摘要: 本发明提供一种以具有保持较高的剩余磁化强度及矫顽力的Nd5Fe17型晶体结构的化合物为主相的永久磁铁等。本发明的永久磁铁含有R及T(R为由以Sm为必需元素的1种以上构成的稀土元素,T为以Fe或Fe及Co为必需元素的1种以上的过渡金属元素)。永久磁铁的R的组成比率为20at%以上且40at%以下。余部实质上仅为T或仅为T及C。T含量比R含量的1.5倍多且比4.0倍少。永久磁铁中所含有的主相颗粒具有Nd5Fe17型晶体结构。永久磁铁的主相颗粒的平均晶体粒径大于1μm。晶体粒径小于0.4μm的主相颗粒的个数比例低于20%。
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公开(公告)号:CN110323021A
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201910249479.5
申请日:2019-03-29
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01F1/057
摘要: 本发明提供一种相对降低了重稀土元素的使用量且磁特性优异R-T-B系永久磁铁。R-T-B系永久磁铁中,R为稀土元素,T为铁族元素,B为硼。R-T-B系永久磁铁含有重稀土元素。包括:包含R2T14B晶相的主相颗粒和形成于主相颗粒之间的晶界。在晶界中包含R、O、C和N的浓度均高于主相颗粒内的浓度的R-O-C-N浓缩部。在将存在于R-T-B系永久磁铁的表面的R-O-C-N浓缩部中的C/R比(原子数比)设为C/R(S)、将存在于R-T-B系永久磁铁的中央的R-O-C-N浓缩部中的C/R比(原子数比)设为C/R(C)时,满足C/R(S)>C/R(C)。
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公开(公告)号:CN108695064A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810294183.0
申请日:2018-03-30
申请人: TDK株式会社
摘要: 本发明提供一种介电特性优异的电介质薄膜及电容元件。所述电介质薄膜其特征在于,该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n=5)表示的氧氮化物构成的主组成,所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上,所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上,构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶,所述电介质薄膜所包含的晶粒的微晶的尺寸为100nm以下。
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公开(公告)号:CN110024057A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201780073790.8
申请日:2017-11-30
申请人: TDK株式会社
摘要: 本发明提供一种具有较高的矫顽力的以Nd5Fe17型结晶结构的化合物为主相的稀土类永久磁铁。稀土类永久磁铁以Nd5Fe17型结晶结构为主相,在将稀土类永久磁铁的组成比以RaT(100-a-b)Cb表示时,a和b满足18<a<40,以及0.5≤b,其中,R为以Sm为必须元素的一种以上的稀土类元素,T为以Fe或Fe及Co为必须元素的一种以上的过渡金属元素,并且,稀土类永久磁铁的晶界相中,具备R和C的浓度比主相高的相。
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公开(公告)号:CN104733147B
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201410804193.6
申请日:2014-12-19
申请人: TDK株式会社
CPC分类号: H01F1/057 , H01F1/0577
摘要: 本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁,以所述晶界相包含在作为R、T和M相对原子比的R:25~35%、T:60~70%、M:2~10%的范围内至少含有R、T和M元素的晶界相的方式控制烧结体的微结构。
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公开(公告)号:CN104733145B
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201410798283.9
申请日:2014-12-19
申请人: TDK株式会社
CPC分类号: H01F1/057 , C22C33/0278 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/008 , C22C38/02 , C22C38/06 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577
摘要: 本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁,以所述晶界相包含在作为R、T和M相对原子比的R:60~80%、T:15~35%、M:1~20%的范围内至少含有R、T和M元素的晶界相的方式控制烧结体的微结构。
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公开(公告)号:CN108695063B
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201810293209.X
申请日:2018-03-30
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01G4/08 , H01G4/33 , C04B35/495 , C04B35/622
摘要: 本发明提供一种制造效率高、介电特性优异的具有由氧氮化物构成的主组成的电介质薄膜及包含其的电容元件。所述电介质薄膜其特征在于,该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n=5)表示的氧氮化物构成的主组成,所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上,所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上,构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶,而且由柱状的颗粒构成。
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