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公开(公告)号:CN105967680B
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201610144652.1
申请日:2016-03-14
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/49
摘要: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件,其特征在于,上述介电陶瓷组合物含有:具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物,相对于100摩尔的上述主成分,如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔,将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔,将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔,将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔,则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。
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公开(公告)号:CN105967680A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201610144652.1
申请日:2016-03-14
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/49
CPC分类号: C04B35/4682 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/488 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2237/68 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/1245 , H01G4/30 , C04B35/481
摘要: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件,其特征在于,上述介电陶瓷组合物含有:具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物,相对于100摩尔的上述主成分,如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔,将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔,将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔,将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔,则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。
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