公开(公告)号：CN108409320A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810149473.6

申请日：2018-02-13

申请人： 西安理工大学

发明人： 何立 ,  谢宏伟 ,  王建红 ,  张超

IPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

CPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/2633 ,  C04B35/2666 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明公开了一种双织构复合磁介电陶瓷材料xBa(CoTi)mFe12-2mO19-(1-x)SrTiO3及其制备方法，由M型六角铁氧体Ba(CoTi)mFe12-mO19和SrTiO3复合而成，其中，CoTi为等摩尔比Co2+-Ti4+金属阳离子组合，且0

公开(公告)号：CN108249915A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611235524.4

申请日：2016-12-28

申请人： TDK株式会社 ,  厦门TDK有限公司

发明人： 葛桂宾 ,  张瑞伦 ,  张帆 ,  黄锦涛 ,  武藤和也 ,  大津大辅 ,  渡边翔

IPC分类号： C04B35/468 ,  H01G4/10

CPC分类号： C01G23/006 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/34 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/768 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33

摘要： 一种电介质组合物，其含有钛酸钡、钛酸锶、氧化钛及氧化铋。将钛酸钡的含量以BaTiO3换算设为a摩尔％、将钛酸锶的含量以SrTiO3换算设为b摩尔％、将氧化钛及氧化铋的含量以Bi2Ti3O9换算设为c摩尔％，a+b+c＝100。其特征为，a、b及c为在三元系相图上被下述点A、点B、点C及点D这4点包围的范围内的值。点A：(a，b，c)＝(52.1，40.0，7.9)；点B：(a，b，c)＝(86.5，5.6，7.9)；点C：(a，b，c)＝(91.0，5.6，3.4)；点D：(a，b，c)＝(56.6，40.0，3.4)。

公开(公告)号：CN107954713A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201711345863.2

申请日：2017-12-15

申请人： 徐州易尔环保科技有限公司

发明人： 贾文彬 ,  王振亚 ,  刘伟宇 ,  孟庆楠

IPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B35/632 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/386

摘要： 本发明公开了一种复合陶瓷电容材料的制备方法，包括如下步骤：称量原料：碳酸钙1-2份、三氧化二镱2.5-3.5份、甘油三醋酸酯1-2份、钛酸锶5-6份、钛酸铋5-6份、氮化硼3-5份、二氧化钛1-2份、硝酸锰1-2份，将各原料均匀混合，搅拌15-20min；于600-650℃温度下预烧结，冷却到室温后球磨烘干；在1000-1120℃温度下烧结，冷却到室温后球磨烘干；最后在150MPa下干压成型后于1120-1200℃烧结，得到复合陶瓷电容材料。本发明的制备过程操作简单，采用的原料中不含有毒物质、不会对环境造成污染；最终的产品具有较高的介电常数和低的介质损耗，结构稳定性好，能够长期稳定使用。

公开(公告)号：CN107140974A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710233742.2

申请日：2017-04-11

申请人： 陕西科技大学

发明人： 蒲永平 ,  崔晨薇

IPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  H01G4/12

CPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/667 ,  H01G4/1209 ,  C04B41/4535

摘要： 本发明公开了一种微波烧结的无铅高储能密度ST‑NBT陶瓷材料及其制备方法，首先按照摩尔比分别称量相应质量的Na2CO3、Bi2O3、SrCO3、TiO2得到混合物，并将此混合物进行球磨、烘干、压块后，形成全配料，然后将全配料依次进行造粒和过筛，形成造粒料；其次将造粒料压制成试样，并将制好的试样进行烧结得到烧结试样；最后打磨、清洗烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极的试样进行烧结得到ST‑NBT体系陶瓷。利用本发明的方法得到的ST‑NBT无铅弛豫铁电体陶瓷材料不但具有高的介电常数，明显的弛豫特性，适用于更宽的温度范围，而且制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，成为替代铅基陶瓷材料用作高端工业应用材料在技术和经济上兼优的重要候选材料。

公开(公告)号：CN106745205A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611047109.6

申请日：2016-11-23

申请人： 吕梁学院

发明人： 高淑娟 ,  薛玫 ,  薛金辉 ,  李林枝 ,  贾胜利

IPC分类号： C01G23/00 ,  C04B35/47 ,  C04B35/626

CPC分类号： C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215

摘要： 本发明提出一种棒状Mg2+掺杂SrTiO3的合成方法，以二氧化钛，氢氧化钠为原料，首先在200℃的水热条件下制备了前驱体Na2Ti3O7，其次在以Na2Ti3O7，氢氧化锶，硝酸镁为原料制备了棒状的Mg2+掺杂SrTiO3粉体。通过FT‑IR分析产物不含有其他杂质，为纯物质。并通过XRD，ICP，SEM，CA，分别对最终产物SMT的内部结构和表面进行了探讨。本发明的反应条件温和、环境友好、产率高，同时能有效地控制掺镁钛酸锶形态、结晶度、尺寸大小。步骤简单、操作方便、实用性强。

公开(公告)号：CN106587997A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611123214.3

申请日：2016-12-08

申请人： 陕西科技大学

发明人： 蒲永平 ,  崔晨薇

IPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01G4/12

CPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3234 ,  H01G4/1227

摘要： 本发明公开了一种SrTiO3基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，属于材料制备技术领域，先将Na0.5Bi0.5TiO3粉体按摩尔百分数10～30mol％添加到SrTiO3粉体中形成混合物，并将此混合物进行球磨和烘干后得到烘干料，然后将烘干料依次进行造粒和过筛，形成造粒料；将造粒料制成试样，然后进行烧结得到烧结试样；打磨、清洗得到的烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，然后烧结得到(1‑x)SrTiO3‑xNa0.5Bi0.5TiO3陶瓷。利用本发明的方法得到的高储能密度的陶瓷材料，制备工艺简单，材料成本低，可以实现批量化生产，从而为高储能密度陶瓷材料的应用，提供了一种有效途径。

公开(公告)号：CN103688319B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280023571.6

申请日：2012-05-16

申请人： 于利希研究中心

发明人： 克里斯蒂安·皮萨安 ,  哈约托·卡兹 ,  温妮·瓦塞尔 ,  尤尔根·多恩赛弗尔

IPC分类号： H01C7/02 ,  C04B35/46

CPC分类号： H01C7/025 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/465 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62615 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785

摘要： 本发明涉及一种用于带正温度系数的非线性电阻的半导体陶瓷材料的制造方法。其中，将具有钙钛矿结构的施主掺杂的铁电材料和通常的表达式为AxByO3的前体物质在1200℃的还原气体中烧结。其中，烧结材料的平均尺寸在亚微米范围内。然后，在其晶界将该烧结材料在600℃下再氧化。该前体物质的晶粒的平均主要晶粒尺寸在亚微米范围内，优选地，平均主要晶粒尺寸是50nm，进一步优选地，最大至20nm，及再进一步优选地，最大10nm。同样，使用该方法生产的半导体陶瓷材料的平均晶粒尺寸在亚微米范围内，这样优选地，80%的晶粒小于800nm，进一步优选地，小于300nm，再进一步优选地小于200nm。

公开(公告)号：CN105967680A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610144652.1

申请日：2016-03-14

申请人： TDK株式会社

发明人： 兼子俊彦 ,  藤野辰哉 ,  吉田武尊 ,  海老名阳辉 ,  森崎信人

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/488 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30 ,  C04B35/481

摘要： 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物，相对于100摩尔的上述主成分，如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔，将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔，将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔，将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔，则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。

公开(公告)号：CN105934419A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580004963.1

申请日：2015-01-21

申请人： 爱普科斯公司

发明人： 田内古史 ,  井村智也 ,  广濑政和

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  H01G4/12 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/005 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/228 ,  H01G4/30

摘要： 要解决的问题在于提供一种介电组合物，其在施加至少8V/μm的DC偏压时具有800或更大的相对较高的介电常数，并且还在于提供使用所述介电组合物的介电元件、电子部件以及层压电子部件。[解决方案]一种介电组合物，其中，主要成分的组成是根据以下公式(1)：(BiaNabSrc)(MgdTi1‑d)O3(1)[其中，a、b、c和d满足以下：0.10≤a≤0.65、0

公开(公告)号：CN104355613A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410568464.2

申请日：2014-10-22

申请人： 华文蔚

发明人： 华文蔚

IPC分类号： C04B35/47 ,  C04B35/462

CPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3409

摘要： 本发明提供了一种陶瓷组合物，所述陶瓷组合物按重量份数由如下组分组成：B2O35～15.5、TiO25～15、Al2O33～15、MO20～35、SrTiO3或/和CaTiO325～45，M选自Ca、Mg、Sr以及Ba中的任意一种或者至少两种的组合。本发明通过采用上述技术方案可以得到容易控制煅烧时的陶瓷烧结体的收缩行为的同时介电特性提高的陶瓷组合物，可以得到能够同时实现上述收缩行为的控制和介电特性的陶瓷组合物。具体而言，可以得到具有相对介电常数εr为45以上、Q值为800以上、绝缘电阻logIR为12以上的特性、并且容易控制煅烧时的收缩行为的烧结性良好的陶瓷组合物。