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公开(公告)号：CN111562524B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010088120.7
申请日：2020-02-12
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明涉及信号处理电路和磁传感器系统。信号处理电路包括进行修正函数决定处理的修正函数决定部和进行修正处理的修正处理部。修正处理使用修正函数修正第一检测信号和第二检测信号生成第一修正后信号和第二修正后信号。修正函数由用于将包含第一检测信号和第二检测信号作为元素的第一列向量转换成包含第一修正后信号和第二修正后信号作为元素的第二列向量的系数矩阵表示。修正函数决定处理通过使用了多组第一检测信号和第二检测信号的值的运算处理，将一个或两个未确定的修正系数确定为修正函数的修正系数。本发明无需产生专用磁场的装置，且无需中断多个磁传感器的正常动作，而能够决定用于实现其它轴灵敏度修正的修正函数。
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公开(公告)号：CN111562525B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010090667.0
申请日：2020-02-13
申请人： TDK株式会社
摘要： 本发明提供一种磁传感器系统，其包含检测外部磁场的两个方向的成分的两个磁传感器、附加磁场产生部、信号处理电路。附加磁场产生部能够产生用于两个磁传感器的灵敏度测量的两个附加磁场。信号处理电路包含灵敏度测量处理部和检测信号修正处理部。灵敏度测量处理部基于控制附加磁场产生部而产生了两个附加磁场时的关于两个磁传感器的检测信号的变化的数据测量灵敏度。检测信号修正处理部对于两个磁传感器的检测信号，进行降低两个附加磁场引起的变化成分的处理。
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公开(公告)号：CN108445431A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201711226134.5
申请日：2017-11-20
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明提供了一种磁传感器装置，包含多个磁检测元件部和多个运算处理部，即使在该运算处理部中发生计算出错误的物理量的异常情况时，也能够迅速地把握该异常，因而可靠性高。其包括：根据外部磁场的变化而输出第一传感器信号的第一磁检测元件部和输出第二传感器信号的第二磁检测元件部；根据第一传感器信号而计算规定的物理量的第一运算处理部；根据第二传感器信号而计算规定的物理量的第二运算处理部；和将至少第一磁检测元件部和第二磁检测元件部作为一体而封装的封装部，第一运算处理部根据第一运算算法而计算物理量，第二运算处理部根据与第一运算算法不同种类的第二运算算法来计算与由第一运算处理部计算的物理量相同种类的物理量。
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公开(公告)号：CN1677500A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059932.4
申请日：2005-04-01
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
摘要： 提供一种复合型薄膜磁头，包括：具有上屏蔽层、下屏蔽层和磁阻层的磁阻读取头元件，其中在磁阻层读出电流通过所述上屏蔽层和所述下屏蔽层在与所述磁阻层的表面垂直的方向流过；以及在所述磁阻读取头元件上形成的感应式写入头元件，所述感应式写入头元件具有上磁极层、记录间隙层、其端部通过所述记录间隙层与所述上磁极层的一个端部相对的下磁极层、和写线圈；所述写线圈与所述上屏蔽层之间的电容C12被调到0.1pF或更小。
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公开(公告)号：CN112051524B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010504222.2
申请日：2020-06-05
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明提供一种磁传感器。检测对象磁场在第一平面内的基准位置，具有在第一平面内变化的第一方向。磁传感器包含MR元件。MR元件包含具有在第二平面内可变的方向的第一磁化的磁性层。第一平面和第二平面形成除90°以外的二面角α并交叉。检测对象磁场能够被分为平行于第二平面的面内分量和垂直于第二平面的垂直分量。面内分量具有相应于第一方向的变化而变化的第二方向。第一磁化的方向相应于第二方向的变化而变化。检测值取决于第一磁化的方向。
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公开(公告)号：CN111707175B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010180619.0
申请日：2020-03-16
申请人： TDK株式会社
摘要： 磁传感器系统具备磁传感器装置和信号处理电路。磁传感器装置生成与相对于磁传感器装置的相对的位置能够变化的磁场产生器所产生的磁场的三个方向的分量相对应的第一至第三检测信号。信号处理电路在直角坐标系中，包含当将表示某一时刻的第一至第三检测信号的值的组的坐标设定为测量点时，从多个时刻的多个测量点中，抽出连结它们的线段的长度成为最大的第一点和第二点的最大线段抽出部、以及连结第一点和第二点的线段的重点的坐标的中点坐标运算部。
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公开(公告)号：CN102607405B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210022816.5
申请日：2012-01-12
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G01R33/091 , G01D5/145 , G01R33/0011
摘要： 一种旋转角度传感器，具备：磁铁，具有垂直于旋转轴的端面并具有与旋转轴垂直的方向的磁化，以旋转轴为中心旋转；以及磁性传感器，与磁铁的端面相向，检测磁铁的磁场。磁铁具有包含端面的板状部，以及相对于板状部配置于端面的相反侧并与板状部连结的环状部。板状部不包含供旋转轴通过的空腔，而环状部包含供旋转轴通过的空腔。
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公开(公告)号：CN102384758B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110252342.9
申请日：2011-08-30
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G01D5/145
摘要： 本发明涉及旋转磁场传感器。第1检测部具有第1和第2检测电路，第2检测部具有第3和第4检测电路。第2和第4检测电路的输出信号的相位分别相对于第1和第3检测电路的输出信号的相位，相差信号周期的1/4的奇数倍。第3检测电路的输出信号的相位相对于第1检测电路的输出信号的相位，相差除了信号周期的1/2的整数倍之外的信号周期的1/6的整数倍。旋转磁场传感器基于第1和第3检测电路的输出信号生成第1信号，基于第2和第4检测电路的输出信号生成第2信号，基于第1和第2信号计算角度检测值。
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公开(公告)号：CN101988956A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243163.4
申请日：2010-07-28
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/091 , G01R33/0023 , G01R33/0029
摘要： 一种用于检测外部磁场的方向的磁传感器，包括：桥接电路，被配置为提供根据外部磁场的方向而改变的输出，桥接电路包括四个电阻元件部分，每个电阻元件部分包括至少一个磁阻效应元件；以及两个电阻器，连接至桥接电路的相应输出端子。当每个电阻元件部分的电阻对应于磁阻的改变而处于最小值时，每个电阻器的电阻与桥接电路的电阻之比至少是2。
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公开(公告)号：CN1848245A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610072053.X
申请日：2006-04-04
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/455 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(nS1－1－nS2－1)－1·(μ0－μ)·(nμ)－1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。
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