公开(公告)号：CN105073684A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480017478.3

申请日：2014-02-04

申请人： TDK株式会社

发明人： 井村友哉 ,  田内刚士 ,  古川正仁

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

摘要： 本发明的目的在于提供一种5V/μm的DC偏置变化率非常小以至小到-15％以内，并且具有1000以上的比较高的相对介电常数的介电陶瓷组合物以及使用了该介电陶瓷组合物的介电元件。本发明所涉及的介电陶瓷组合物为由下述通式(1)所表示的复合氧化物，{[(BisNat)a(BiuKv)bBac]1-dAd}xTi1-dNbdO3 (1)[在通式(1)中，A表示选自Li、Na、K中的至少一种元素。a、b、c、d、s、t、u、v以及x分别是满足下述关系式的数字。]0.10≤a＜0.950.00＜b≤0.850.05≤c≤0.70a+b+c＝10.10≤d≤0.500.90≤s+u≤1.000.45≤t≤0.500.45≤v≤0.500.95≤x≤1.05。

公开(公告)号：CN102557632A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110302695.5

申请日：2011-09-28

申请人： TDK株式会社

发明人： 田内刚士 ,  田中大介 ,  古川正仁

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/1876

摘要： 本发明涉及压电陶瓷、压电元件以及具备该压电元件的压电装置。本发明的优选实施方式的压电陶瓷含有具有由下述式(1)或式(2)所表示的组成的复合氧化物以及Mn，换算成MnCO3时，Mn的含量分别为0.2～1.2质量％或0.2～3质量％。(Pb1-aA1a)TixZr1-x-y-z-b(Zn1/3A22/3)y(Yb1/2A21/2)zSnbO3 (1)(Pb1-aA1a)TixZr1-x-y-z-b(Zn1/3A22/3)ySnbO3 (2)[在式(1)中，A1表示选自Ca、Sr以及Ba中的至少一种元素，A2表示选自Nb、Ta以及Sb中的至少一种元素并且至少含有Nb。另外，在式(2)中，A1表示选自Ca、Sr以及Ba中的至少一种元素，A2表示选自Nb以及W中的至少一种元素，并且A2至少含有Nb]。

公开(公告)号：CN102557632B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110302695.5

申请日：2011-09-28

申请人： TDK株式会社

发明人： 田内刚士 ,  田中大介 ,  古川正仁

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/1876

摘要： 本发明涉及压电陶瓷、压电元件以及具备该压电元件的压电装置。本发明的优选实施方式的压电陶瓷含有具有由下述式(1)或式(2)所表示的组成的复合氧化物以及Mn，换算成MnCO3时，Mn的含量分别为0.2～1.2质量％或0.2～3质量％。(Pb1-aA1a)TixZr1-x-y-z-b(Zn1/3A22/3)y(Yb1/2A21/2)zSnbO3……(1)(Pb1-aA1a)TixZr1-x-y-z-b(Zn1/3A22/3)ySnbO3……(2)[在式(1)中，A1表示选自Ca、Sr以及Ba中的至少一种元素，A2表示选自Nb、Ta以及Sb中的至少一种元素并且至少含有Nb。另外，在式(2)中，A1表示选自Ca、Sr以及Ba中的至少一种元素，A2表示选自Nb以及W中的至少一种元素，并且A2至少含有Nb]。

公开(公告)号：CN105073684B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201480017478.3

申请日：2014-02-04

申请人： TDK株式会社

发明人： 井村友哉 ,  田内刚士 ,  古川正仁

IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

摘要： 本发明的目的在于提供一种5V/μm的DC偏置变化率非常小以至小到‑15％以内，并且具有1000以上的比较高的相对介电常数的介电陶瓷组合物以及使用了该介电陶瓷组合物的介电元件。本发明所涉及的介电陶瓷组合物为由下述通式(1)所表示的复合氧化物，{[(BisNat)a(BiuKv)bBac]1‑dAd}xTi1‑dNbdO3(1)[在通式(1)中，A表示选自Li、Na、K中的至少一种元素。a、b、c、d、s、t、u、v以及x分别是满足下述关系式的数字。]0.10≤a＜0.950.00＜b≤0.850.05≤c≤0.70a+b+c＝10.10≤d≤0.500.90≤s+u≤1.000.45≤t≤0.500.45≤v≤0.500.95≤x≤1.05。

公开(公告)号：CN102219511A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110073923.6

申请日：2011-03-23

申请人： TDK株式会社

发明人： 田内刚士 ,  东智久 ,  曾根英明

IPC分类号： C04B35/493 ,  H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/24 ,  H03H9/02

CPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  H01L41/1876 ,  H03H9/1035

摘要： 本发明提供一种压电陶瓷组合物、压电元件以及振荡器。本发明提供了一种提高振荡器的Qmax并且能够抑制在低温环境下振荡器的振荡频率F0的变化的压电陶瓷组合物。本发明的压电陶瓷组合物，具有由下列通式(1)表示的组成。(PbαLnβMeγ)(Ti1-(x+y+z)ZrxMnyNbz)O3 (1)[式(1)中，Ln表示镧系元素，Me表示碱土金属元素，α＞0，β＞0，γ≥0，0.965≤α+β+γ≤1.000，0.158≤x≤0.210，y≥0，z≥0，1-(x+y+z)＞0]。