公开(公告)号：CN101826473A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010128069.4

申请日：2010-03-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 曾我部智浩 ,  土门孝彰 ,  井之口大辅 ,  高木干夫 ,  远池健一

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。

公开(公告)号：CN101826473B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010128069.4

申请日：2010-03-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 曾我部智浩 ,  土门孝彰 ,  井之口大辅 ,  高木干夫 ,  远池健一

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。