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公开(公告)号:CN108074875A
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201710334218.4
申请日:2017-05-12
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/053 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L23/055 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/15151 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/164 , H01L2924/19106 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L21/56 , H01L23/053
Abstract: 本发明提供一种半导体器件封装,其包括一载体、一盖、一电子部件和一密封剂。该载体具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面,且限定从该第一表面延伸到该第二表面的一孔。该盖附接到该载体的该第一表面。该盖和该载体限定一腔室。该电子部件附接到该载体的该第一表面且设置在该腔室中。该密封剂附接到该载体的该第二表面并覆盖该孔。
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公开(公告)号:CN105321908B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201510468297.9
申请日:2015-08-03
Applicant: 株式会社索思未来
CPC classification number: H01L23/053 , H01L21/52 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1631 , H01L2924/16315 , H01L2924/1659 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括:衬底;半导体元件,设置在所述衬底上;多个电极,彼此分开地设置在所述衬底上并且在平面图中布置为围绕所述半导体元件;盖,覆盖所述半导体元件,所述盖包括内部和周边部,所述周边部在平面图中比所述内部更靠外,所述盖包括多个第一突出构件,所述多个第一突出构件彼此分开地设置,所述多个第一构件设置在所述内部中;以及多个导电构件,设置在所述多个电极和设置在分别与所述多个电极相对的位置处的多个突出构件之间,所述导电构件结合至所述多个电极和多个突出构件。采用本公开的技术方案,能够防止发生导电构件的分离和破裂。
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公开(公告)号:CN104375572B
公开(公告)日:2017-12-26
申请号:CN201310585120.8
申请日:2013-11-19
Applicant: 华宏新技股份有限公司
IPC: G06F1/16
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/3675 , H01L2924/14 , H01L2924/1432 , H01L2924/16251
Abstract: 本发明揭示一种用于降低电磁干扰并且大体上均匀地分布热量的电磁干扰(EMI)屏蔽。所述EMI屏蔽包括经配置以遮蔽EMI的第一层以及经配置以散热的第二层。所述EMI屏蔽进一步包括界面。一些实施例还提供用于遮蔽EMI并且均匀地驱散电子部件热量的方法。
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公开(公告)号:CN104701287B
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201410733546.8
申请日:2014-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/36 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/42 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/29011 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33519 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/1679 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了一种封装件,该封装件包括具有导电层的衬底,并且导电层包括暴露部分。管芯堆叠件设置在衬底上方并且电连接至导电层。高导热系数材料设置在衬底上方并且接触导电层的暴露部分。封装件还包括凸轮环,凸轮环位于高导热系数材料上方并且接触高导热系数材料。本发明涉及具有热点热管理部件的3DIC封装。
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公开(公告)号:CN103794573B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201210433253.9
申请日:2012-11-02
Applicant: 环旭电子股份有限公司 , 环鸿科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/552 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1531 , H01L2924/16251 , H01L2924/00012
Abstract: 一种电子封装模块及其制造方法,电子封装模块包括一电路板、至少一第一电子元件、至少一第二电子元件以及至少一模封块。电路板具有一承载面。第一电子元件与第二电子元件皆装设在承载面上。模封块配置在承载面上,并局部覆盖承载面。模封块包覆第一电子元件,但不包覆第二电子元件。该电子封装模块不仅不影响光电元件的运行,而且也能保护其它电子元件。
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公开(公告)号:CN105655310A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201511030490.0
申请日:2015-12-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/49 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/485 , H01L23/49 , H01L24/96 , H01L2224/12105 , H01L2224/1403 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2924/15159 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/3025 , H01L24/26 , H01L24/10 , H01L24/42 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85
Abstract: 本发明公开一种封装结构,包括基板、扇出单元及布线层,扇出单元包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括第一引脚阵列,第二芯片包括第二引脚阵列。扇出单元还包括第三引脚阵列,所述第一引脚阵列、所述第二引脚阵列及所述第三引脚阵列均面对所述基板设置。布线层跨接于第一引脚阵列和第二引脚阵列之间,用于将第一引脚阵列中的第一引脚连接至第二引脚阵列中的对应的第二引脚。所述基板上设有与所述基板内部布线层电连接的焊垫,第三引脚阵列连接至焊垫。本发明还公开一种电子设备和封装方法。本发明之封装结构具有制造工艺难度小、成本低及小型化的优势。
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公开(公告)号:CN103329260B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201280005707.0
申请日:2012-07-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/04
CPC classification number: H01L24/42 , H01L23/057 , H01L23/10 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/16195 , H01L2924/16251 , H01L2924/171 , H05K3/3442 , H05K2201/09172 , H05K2201/09181 , H05K2201/09409 , H05K2201/09909 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的一方式的半导体元件收纳用封装体具备:基体,其在上表面具有载置半导体元件的搭载区域;框体,其具有以包围搭载区域的方式设置在基体的上表面的框状部以及从框状部的内侧贯通到框状部的外侧的开口部;平板状的绝缘构件,其设置于开口部,从框体的内侧延伸到框体的外侧;多个配线导体,它们设置在绝缘构件的上表面,从框体的内侧延伸到框体的外侧;金属膜,其在绝缘构件的上表面且框体的外侧设置,包围多个配线导体且连续。
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公开(公告)号:CN103367268B
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201310240227.9
申请日:2013-03-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/495 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L21/76898 , H01L23/047 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/345 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8385 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/1531 , H01L2924/16251 , H01L2924/16787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , Y02P80/30 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了基于PCB的射频功率封装窗口框架。一种半导体封装包括具有管芯附着区域和周边区域的基板、具有附着到管芯附着区域的第一端子和背对基板的第二端子和第三端子的晶体管管芯、以及包括电绝缘构件的框架,所述电绝缘构件具有附着到基板的周边区域的第一侧、背对基板的第二侧、在绝缘构件的第一侧处的第一金属层和在绝缘构件的第二侧处的第二金属层。该绝缘构件向外延伸超过基板的横向侧壁。第一金属层被附着到第一侧的向外延伸超过基板的横向侧壁的部分。第一和第二金属层在绝缘构件的与基板的横向侧壁间隔开的区域处被电连接。
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公开(公告)号:CN105377390A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201480003722.0
申请日:2014-07-02
Applicant: 英特尔公司
IPC: A99Z99/00
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/52 , H01L21/76898 , H01L23/04 , H01L23/13 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L28/00 , H01L29/0657 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16265 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2924/0002 , H01L2924/15153 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/16251 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 一种电子组件,所述电子组件包括第一电子器件。所述第一电子器件包括腔,所述腔延伸到所述第一电子器件的背侧中。所述电子组件还包括第二电子器件。所述第二电子器件在所述第一电子器件中的所述腔内安装到所述第一电子器件。在一些示例性形式的电子组件中,所述第一电子器件和所述第二电子器件中各自是管芯。应当指出的是,预期了所述电子组件的其它形式,其中,所述第一电子器件和第二电子器件中仅有一个是管芯。在一些形式的电子组件中,所述第二电子器件焊接到所述第一电子器件。
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公开(公告)号:CN105247784A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201480030815.2
申请日:2014-04-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 菊池谦一郎
IPC: H03H7/46
CPC classification number: H03H7/46 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6655 , H01L2223/6677 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/14215 , H01L2924/15313 , H01L2924/16251 , H01L2924/3025 , H03F3/19 , H03F2200/451 , H03H7/0138 , H03H7/0161 , H03H7/463 , H03H11/04 , H03H2001/0085 , H03K17/56
Abstract: 本发明的高频模块元器件(10)包括分配合成器(20)以及屏蔽壳(12)。分配合成器(20)包括层叠体(30)、公共输入输出电极(21)、低频带用输入输出电极(22)、高频带用输入输出电极(23)、以及外部接地电极(24a~24c)。层叠体(30)由多个绝缘层和电极图案层叠而成,具有侧面(31)~(34)。侧面(31)与侧面(32)相对。公共输入输出电极(21)设置于层叠体(30)的侧面(31)以及底面。低频带用输入输出电极(22)以及高频带用输入输出电极(23)设置于层叠体(30)的侧面(32)以及底面。层叠体(30)的侧面(33)最靠近屏蔽壳(12)的侧面并与其相对。
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