公开(公告)号：CN105074907B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480019069.7

申请日：2014-03-20

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 丰田英志 ,  清水祐作 ,  饭野智绘

IPC分类号： H01L23/29 ,  C08G59/62 ,  C08G59/68 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： C08L63/00 ,  C08G59/24 ,  C08G59/621 ,  C08G59/686 ,  C08J5/18 ,  C08J2361/04 ,  C08J2363/00 ,  C08J2409/00 ,  C08J2461/04 ,  C08J2463/00 ,  C08K3/36 ,  C08L9/00 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供常温保存性优异的树脂片。涉及利用差示扫描量热计测定的放热起始温度为120℃以上、放热峰温度为150～200℃的电子器件密封用树脂片。

公开(公告)号：CN106449534B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510514542.5

申请日：2015-08-20

申请人： 颀邦科技股份有限公司

发明人： 施政宏 ,  谢永伟 ,  林淑真 ,  何馥言 ,  陈彦廷

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/13 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/165

摘要： 本发明是有关于一种具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板及制造过程，该具有中空腔室的半导体封装结构包含下基板、接合层及上基板，该下基板具有下底板及下金属层，该下金属层形成于该下底板的设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该第一外侧面的第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面的第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，该相交点、该第一端点及该第二端点形成的区域为该表面的第一显露区，该接合层形成于该下金属层，该上基板连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成中空腔室。本发明提供的技术方案可有效地避免污染并提高接合层表面共面性。

公开(公告)号：CN105280561B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201510276881.4

申请日：2015-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.加雷马尼 ,  D.科尔 ,  U.辛德勒 ,  H.托伊斯

IPC分类号： H01L23/043 ,  B81B7/02

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/0023 ,  G01L9/0042 ,  H01L41/0825 ,  H01L41/0926 ,  H01L41/0973 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及基于引线框架的MEMS传感器结构。公开一种传感器结构。该传感器结构可以包含：用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的表面中的凹部；以及耦合到引线框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔的MEMS传感器。替选地，引线框架可以具有穿过它形成的穿孔并且MEMS传感器可以被耦合到引线框架的表面并且布置在穿孔的开口之上。

公开(公告)号：CN109716511A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780058052.6

申请日：2017-08-14

申请人： QORVO美国公司

发明人： 扬·爱德华·万德梅尔 ,  乔纳森·哈勒·哈蒙德 ,  朱利奥·C·科斯塔

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： B81C1/00801 ,  B81B7/0025 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/0023 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0792 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/185 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/10083 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1322 ,  H05K2203/308

摘要： 本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片包括由玻璃材料形成的第一装置层(24)。所述多层再分布结构包括再分布互连件，所述再分布互连件将所述第一装置层连接到在所述多层再分布结构的底部表面上的封装触点(44)。在本文中，所述再分布互连件与所述第一装置层之间的连接不含焊料。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。

公开(公告)号：CN108735697A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810523854.6

申请日：2012-05-17

申请人： 索尼公司

发明人： 长田昌也

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L27/146 ,  H01L23/544 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/30 ,  H01L22/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种半导体装置，包括：基底材料部分，包括半导体基板和形成在该半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着半导体基板的厚度方向于该基底材料部分形成竖直孔；竖直孔配线部分，包括形成在该基底材料部分的形成该竖直孔的侧壁上的竖直孔电极；金属膜，形成在该绝缘膜内，并且电连接到竖直孔配线部分；以及导电保护膜，形成为与该绝缘膜内的该金属膜接触，并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。

公开(公告)号：CN108602664A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680070114.0

申请日：2016-09-29

申请人： 麦穆斯驱动有限公司

发明人： 罗曼·古铁雷斯 ,  托尼·唐 ,  刘晓磊 ,  王桂芹 ,  马修·恩格

IPC分类号： B81B7/04 ,  B81B5/00 ,  B81B3/00

CPC分类号： H01L21/76816 ,  B81B3/0045 ,  B81B3/007 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0029 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00674 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0135 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181

摘要： 一种用于控制MEMS装置的结构特性的系统和方法，包括：将多个孔蚀刻到所述MEMS装置的表面中；其中多个孔包括被确定为MEMS装置提供所需的特定的结构特性的一个或多个几何形状。

公开(公告)号：CN104871308B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201380067353.7

申请日：2013-12-10

申请人： 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司

发明人： L·比布里歇尔 ,  M·舒尔迈斯特 ,  J·席林格 ,  D·胡贝尔 ,  T·菲舍尔 ,  S·甘特奈尔 ,  W·鲍穆格

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552

CPC分类号： H05K3/30 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/495 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/186 ,  Y10T29/49147 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及种用于制造电子组件(14)的方法,在该电子组件中,承载在布线载体(32)上的电子结构元件(26,30)用封装材料(38)进行封装,该方法包括:‑在所述布线载体(32)上这样设置所述电子结构元件(26,30),使得通过所述封装材料(38)引入到所述电子结构元件(26,30)上的应力低于预先规定的值,和‑用所述封装材料(38)封装所述电子结构元件(26,30)。

公开(公告)号：CN108352355A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062703.4

申请日：2016-11-04

申请人： 德州仪器公司

发明人： 拉吉夫·D·乔希 ,  豪·阮 ,  阿宁迪亚·波达尔 ,  肯·范

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L23/495 ,  H05K1/00

CPC分类号： H01L23/49537 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 在所描述实例中，一种用于半导体系统的双引线框(100)包含：具有由第一间隙分离的第一金属区域的第一引线框(110)，所述第一金属区域包含具有减小的厚度和选定第一位置中的接合供应品的部分；以及具有由第二间隙分离的第二金属区域的第二引线框(120)，所述第二金属区域包含具有减小的厚度和与所述第一位置匹配的选定第二位置中的接合供应品(150)的部分。所述第二引线框(120)堆叠于所述第一引线框(110)的顶部上，且匹配的所述第二位置与所述第一位置的接合供应品被链接在一起。所得双引线框(100)能够进一步包含绝缘材料(140)，绝缘材料(140)填充所述第一间隙和所述第二间隙和具有减小的厚度的所述区域部分，并具有与顶部和底部金属表面共面的绝缘表面。

公开(公告)号：CN104766903B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201410722539.8

申请日：2014-12-02

申请人： 光澄科技股份有限公司

发明人： 陈书履

IPC分类号： H01L31/14 ,  H01L31/0203 ,  G02B6/42

CPC分类号： G02B6/4228 ,  G02B6/4232 ,  G02B6/4274 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/167 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81129 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105

摘要： 一种集成模块及其形成方法，集成模块包含至少两个单元，其中一第一单元包含在第一面的一光元件及电接垫及一相对的一第二面，一第二单元具有电接垫且该第二单元藉由匹配第一单元的电接垫而和第一单元接合。一光信号自一外部介质经由一部分蚀刻开口，一蚀穿开口，或一位于该第一单元的第二面的抗反射层而进入光元件。该部分蚀刻开口可在第一单元以使光信号由相对第一面的第二面表面入射到光元件；该蚀穿开口可在第二单元，以使光线经由第二单元一部分而入射到光元件。在将第一单元接合到第二单元时，可使用突起/凹陷成对结构以增加对准精确度。

公开(公告)号：CN103376356B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201210233060.9

申请日：2012-07-06

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 山田和也 ,  曾根纪久 ,  竹井彰启 ,  吉田裕一 ,  武政宪吾

IPC分类号： G01R22/06 ,  G01R11/185 ,  G01R35/04

CPC分类号： H03L1/026 ,  G01R1/44 ,  G01R21/00 ,  G01R22/061 ,  G01R22/10 ,  G01R35/04 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H03K3/011 ,  H03L1/02 ,  H03L1/027 ,  H03L1/04 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明提供一种能以高精度对振荡器的起因于温度的振荡频率的误差进行校正的半导体装置、测量设备以及校正方法。该半导体装置具有：振荡器（28），以固有的频率进行振荡；半导体集成电路（30），集成有温度传感器（58）和控制部（60），所述温度传感器（58）检测周围的温度，所述控制部（60）与振荡器（28）电连接，并且基于由温度传感器（58）检测出的温度来校正振荡器（28）的依赖于温度的误差；以及密封部，将振荡器（28）和半导体集成电路（30）一体地进行密封。