公开(公告)号：CN101379607B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200780004585.2

申请日：2007-02-08

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 安藤正美 ,  宫地淳 ,  冈本修

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  C04B35/10 ,  H02N13/00

CPC classification number: H02N13/00 ,  C04B35/111 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/963 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明的课题是要提供曝露在等离子体过后，仍可以维持平滑的面，其结果是可以抑制对于硅片等的被吸附物所造成微粒的污染，且有优异的吸附、脱离被吸附体的特性，以低温烧成，容易进行制作的静电卡盘。本发明的静电卡盘是具备有氧化铝为99.4wt％以上、氧化钛为大于0.2wt％且0.6wt％以下、室温中体积电阻率为108～1011Ωcm、且氧化钛偏析至氧化铝粒子的粒界的结构的静电卡盘用电介体。

公开(公告)号：CN101379607A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004585.2

申请日：2007-02-08

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 安藤正美 ,  宫地淳 ,  冈本修

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15 ,  C04B35/10 ,  H02N13/00

CPC classification number: H02N13/00 ,  C04B35/111 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/963 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明的课题是要提供曝露在等离子体过后，仍可以维持平滑的面，其结果是可以抑制对于硅片等的被吸附物所造成微粒的污染，且有优异的吸附、脱离被吸附体的特性，以低温烧成，容易进行制作的静电卡盘。本发明的静电卡盘是具备有氧化铝为99.4wt％以上、氧化钛为大于0.2wt％且0.6wt％以下、室温中体积电阻率为108～1011Ωcm、且氧化钛偏析至氧化铝粒子的粒界的结构的静电卡盘用电介体。