公开(公告)号：CN105439564B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510580537.4

申请日：2015-09-11

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 井出贵之 ,  安藤正美 ,  时园岳朗

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/573 ,  B28B1/001 ,  B28B11/243 ,  B29C64/153 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/64 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/82 ,  C04B41/83 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6026 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615

Abstract: 本发明公开在具有大型且复杂的形状的同时刚性及强度等陶瓷特性优异的反应烧结碳化硅构件的制造方法。该方法至少包含以下工序：准备至少包含碳化硅粒子与成形用树脂的原料的工序；形成所述原料的薄层并在该薄层的所期望的区域照射激光且将该薄层进行烧结从而形成烧结薄层的工序；多次进行所述工序从而得到将所述烧结薄层进行多次层压的成形体的工序；使包含碳源的辅助剂含浸于所述成形体，然后使含浸了该辅助剂的成形体固化从而得到固化体的工序；使所述固化体中包含的有机化合物成分碳化从而得到烧成体的工序；使硅含浸于所述烧成体，然后使该烧成体反应烧结从而得到反应烧结碳化硅构件的工序，所述烧成体包含8重量％以上、30重量％以下的碳。

公开(公告)号：CN105439564A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510580537.4

申请日：2015-09-11

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 井出贵之 ,  安藤正美 ,  时园岳朗

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/573 ,  B28B1/001 ,  B28B11/243 ,  B29C64/153 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/64 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/82 ,  C04B41/83 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6026 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615

Abstract: 本发明公开在具有大型且复杂的形状的同时刚性及强度等陶瓷特性优异的反应烧结碳化硅构件的制造方法。该方法至少包含以下工序：准备至少包含碳化硅粒子与成形用树脂的原料的工序；形成所述原料的薄层并在该薄层的所期望的区域照射激光且将该薄层进行烧结从而形成烧结薄层的工序；多次进行所述工序从而得到将所述烧结薄层进行多次层压的成形体的工序；使包含碳源的辅助剂含浸于所述成形体，然后使含浸了该辅助剂的成形体固化从而得到固化体的工序；使所述固化体中包含的有机化合物成分碳化从而得到烧成体的工序；使硅含浸于所述烧成体，然后使该烧成体反应烧结从而得到反应烧结碳化硅构件的工序，所述烧成体包含8重量％以上、30重量％以下的碳。