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公开(公告)号：CN101218188A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024762.9
申请日：2006-07-13
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C04B35/50
CPC分类号： C04B35/505 , C04B2235/3409 , C04B2235/3821 , C04B2235/386 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9669 , H01L21/68757
摘要： 本发明提供一种高密度且耐等离子体性优异的氧化钇(Y2O3)烧结体。氧化钇(Y2O3)烧结体构成如下：作为该烧结体的构成晶体，含有氧化钇(Y2O3)晶体和Y3BO6晶体。为了获得该氧化钇(Y2O3)烧结体，在氧化钇(Y2O3)粉末中，以换算成氧化硼(B2O3)为0.02wt以上且不足10wt％的比例添加硼化合物，对该混合粉末进行成型后，在1300℃以上且不足1600℃下使其烧结。
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公开(公告)号：CN102276283B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110140673.3
申请日：2011-05-26
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： C04B35/573 , B82Y30/00 , C04B35/563 , C04B35/65 , C04B37/005 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6027 , C04B2237/083 , C04B2237/36 , C04B2237/365
摘要： 本发明提供一种不从外部添加硅，防止在热处理工序中伴随接合层热收缩的裂纹或起因于此的接合不良，从而高强度地进行接合的陶瓷接合体的制造方法。该制造方法具备：准备工序，准备一对陶瓷烧结体，其中至少一方通过反应烧结法而形成且含有游离硅；形成工序，形成微粒层，其是在一对陶瓷烧结体各自的接合面之间配置使含有碳元素的微粒分散在有机溶剂中的接合浆后干燥而成的；及接合工序，在以加压的方式保持微粒层的状态下，在惰性气氛下加热一对陶瓷烧结体，将游离硅导入微粒层，由此，形成至少含有碳化硅的接合层以进行接合，从而成为陶瓷接合体。
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公开(公告)号：CN102276283A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110140673.3
申请日：2011-05-26
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： C04B35/573 , B82Y30/00 , C04B35/563 , C04B35/65 , C04B37/005 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6027 , C04B2237/083 , C04B2237/36 , C04B2237/365
摘要： 本发明提供一种不从外部添加硅，防止在热处理工序中伴随接合层热收缩的裂纹或起因于此的接合不良，从而高强度地进行接合的陶瓷接合体的制造方法。该制造方法具备：准备工序，准备一对陶瓷烧结体，其中至少一方通过反应烧结法而形成且含有游离硅；形成工序，形成微粒层，其是在一对陶瓷烧结体各自的接合面之间配置使含有碳元素的微粒分散在有机溶剂中的接合浆后干燥而成的；及接合工序，在以加压的方式保持微粒层的状态下，在惰性气氛下加热一对陶瓷烧结体，将游离硅导入微粒层，由此，形成至少含有碳化硅的接合层以进行接合，从而成为陶瓷接合体。
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公开(公告)号：CN101218188B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200680024762.9
申请日：2006-07-13
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C04B35/50
CPC分类号： C04B35/505 , C04B2235/3409 , C04B2235/3821 , C04B2235/386 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9669 , H01L21/68757
摘要： 本发明提供一种高密度且耐等离子体性优异的氧化钇(Y2O3)烧结体。氧化钇(Y2O3)烧结体构成如下：作为该烧结体的构成晶体，含有氧化钇(Y2O3)晶体和Y3BO6晶体。为了获得该氧化钇(Y2O3)烧结体，在氧化钇(Y2O3)粉末中，以换算成氧化硼(B2O3)为0.02wt以上且不足10wt％的比例添加硼化合物，对该混合粉末进行成型后，在1300℃以上且不足1600℃下使其烧结。
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公开(公告)号：CN105439564B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510580537.4
申请日：2015-09-11
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/573 , B28B1/001 , B28B11/243 , B29C64/153 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , C04B35/565 , C04B35/6269 , C04B35/64 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/82 , C04B41/83 , C04B41/87 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/48 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/6026 , C04B2235/608 , C04B2235/616 , C04B2235/661 , C04B2235/665 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9615
摘要： 本发明公开在具有大型且复杂的形状的同时刚性及强度等陶瓷特性优异的反应烧结碳化硅构件的制造方法。该方法至少包含以下工序：准备至少包含碳化硅粒子与成形用树脂的原料的工序；形成所述原料的薄层并在该薄层的所期望的区域照射激光且将该薄层进行烧结从而形成烧结薄层的工序；多次进行所述工序从而得到将所述烧结薄层进行多次层压的成形体的工序；使包含碳源的辅助剂含浸于所述成形体，然后使含浸了该辅助剂的成形体固化从而得到固化体的工序；使所述固化体中包含的有机化合物成分碳化从而得到烧成体的工序；使硅含浸于所述烧成体，然后使该烧成体反应烧结从而得到反应烧结碳化硅构件的工序，所述烧成体包含8重量％以上、30重量％以下的碳。
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公开(公告)号：CN105439564A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510580537.4
申请日：2015-09-11
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622
CPC分类号： C04B35/573 , B28B1/001 , B28B11/243 , B29C64/153 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , C04B35/565 , C04B35/6269 , C04B35/64 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/82 , C04B41/83 , C04B41/87 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/48 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/6026 , C04B2235/608 , C04B2235/616 , C04B2235/661 , C04B2235/665 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9615
摘要： 本发明公开在具有大型且复杂的形状的同时刚性及强度等陶瓷特性优异的反应烧结碳化硅构件的制造方法。该方法至少包含以下工序：准备至少包含碳化硅粒子与成形用树脂的原料的工序；形成所述原料的薄层并在该薄层的所期望的区域照射激光且将该薄层进行烧结从而形成烧结薄层的工序；多次进行所述工序从而得到将所述烧结薄层进行多次层压的成形体的工序；使包含碳源的辅助剂含浸于所述成形体，然后使含浸了该辅助剂的成形体固化从而得到固化体的工序；使所述固化体中包含的有机化合物成分碳化从而得到烧成体的工序；使硅含浸于所述烧成体，然后使该烧成体反应烧结从而得到反应烧结碳化硅构件的工序，所述烧成体包含8重量％以上、30重量％以下的碳。
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公开(公告)号：CN101578249A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001772.X
申请日：2008-01-16
申请人： TOTO株式会社
IPC分类号： C04B35/50 , H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种高密度、粒径小的耐等离子体性优异的陶瓷构件。使陶瓷构件由微细粒子所成的微结构所构成。通过作成平均粒径为不到1.5μm，且经由阿基米德法测定得到的开口气孔率为不到0.5％，最大粒径为不到3μm所构成的陶瓷构件，使开口气孔变少，可减少作为等离子体侵蚀的起点的部位，故可提供耐等离子体性优异的陶瓷构件。并且通过以抑制异常粒子成长的小粒子构成，可降低由于发尘引起的微粒污染，可提升耐等离子体性与耐微粒特性。
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